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PSFC/JA-22-110
激光粉末床熔合 (L-PBF) 使 Glenn Research Copper 84 (GRCop-84) 能够通过增材制造 (AM) 制造出低混合电流驱动发射器组件，Glenn Research Copper 84 (GRCop-84) 是一种具有高抗拉强度和导电性的 Cr 2 Nb 沉淀硬化合金。由于构建体积限制，需要对通过激光焊接连接在一起的模块化段进行 AM 制造。开发了一种夹具系统，用于对准和压缩 0.5 毫米厚的对接焊缝，用氩气保护内表面，并防止组装过程中发生变形。外部夹具和夹板对准发射器部分，同时为脉冲 1070 nm 光纤激光器提供光束通道，而内部微型千斤顶在波导段内膨胀，消除连接部分之间的高度偏移并分配氩气保护气。传导模式焊接可防止形成锁孔和光束穿透波导内部，消除飞溅并产生光滑的底部焊道。顶面的表面粗糙度为 R a =2.34 µm，底面的表面粗糙度为 R a =3.17 µm。焊缝的平均 UTS 为 476 MPa，与 900°C 5 小时热处理后的 520 MPa UTS 相似。DOI：PACS 编号：I. 简介 Glenn Research Copper 84 (GRCop-84) [1], [2] 是一种铌铬化物 (Cr 2 Nb) 8 原子％Cr、4 原子％Nb [3] 沉淀硬化合金，适用于采用激光粉末床熔合 (L-PBF) 的增材制造 (AM) [4],[5],[6],[7],[8]。 L-PBF GRCop-84 的热导率在 260 W/m∙K [5] 到 300 W/m∙K [6] 之间（OFC 的 75%-84%），电阻率为 2.5 µΩ∙cm [9]，为无氧铜 (OFC) 的 140%，屈服强度为 500 MPa，打印状态下的 UTS 为 740 MPa，伸长率为 20% [4]，经 450°C 热处理 (HT) 后屈服强度增加到 810 MPa，UTS 为 970 MPa，伸长率为 9%，或经 900°C HT 后屈服强度降低到 300 MPa，UTS 为 520 MPa，伸长率为 26-37% [10]。与挤压或热等静压 (HIPing) [12] 粉末固结相比，L-PBF [11] 过程中细化沉淀物尺寸可提高强度，因为 2/3 的抗拉强度来自 Orowan 机制 [13]。高抗拉强度和稳定的沉淀物可用于火箭发动机 [5],[6],[7],[8] 或聚变反应堆 [14],[15] 的高温。高热导率和与 Nd:YAG 和光纤激光器的耦合不良 [16] 增加了传统铜合金的表面粗糙度和空隙率 [17]。GRCop-84 的 L-PBF 可实现全密度（> 99.9%）[4]，平均垂直侧壁粗糙度为 Ra =3-4 μm [18]。通过机械抛光 [18] 或化学机械抛光 [20],[21]，AM GRCop-84 的表面粗糙度[19]降低至 Ra <~0.3 μm，在 4.6 GHz 下实现低损耗。由于 14 vol% Cr 2 Nb [7],[11] 增强了 GRCop-84 的 AM，近红外激光的低温吸收得到了改善。
储能杂志
本研究分析了基于闭环布雷顿-焦耳循环并与聚光太阳能发电 (CSP) 电厂集成的创新型泵送热能存储 (PTES) 系统的预期性能。集成的 PTES - CSP 电厂包括五台机器（两台压缩机和三台涡轮机）、一个中央接收塔系统、三个水冷却器和三个热能存储 (TES) 罐，而氩气和花岗岩卵石分别被选为工作流体和存储介质。首先对集成电厂的主要部件进行了尺寸测量，以设计一个集成的 PTES-CSP 电厂，其标称净功率为 5 MW，标称存储容量为 6 等效运行小时数。已经在 MATLAB-Simulink 中开发了特定的数学模型来模拟不同操作条件下的 PTES 和 CSP 子系统，并评估三个储罐在充电和放电过程中的温跃层剖面演变。最终开发了一种控制策略，根据电网服务请求、太阳能可用性和 TES 水平来确定工厂的运行模式。考虑到 PTES 子系统在意大利能源市场的整合，分析了该系统在夏季和冬季的性能，以进行套利。结果证明了 PTES 系统与 CSP 工厂混合的技术可行性以及集成系统参与能源套利的能力，尽管与单一 PTES 系统（约 60%）相比，往返效率较低（约 54%）。
文章
摘要：硼氢化镁（Mg(BH4)2，本文缩写为MBH）具有优异的重量和体积储氢能力，作为一种有前途的车载储氢介质而受到了极大的关注。尽管MBHα（α）、β（β）和γ（γ）的多晶型物具有不同的性质，但它们的合成均质性可能难以控制，这主要是因为它们的结构复杂性和相似的热力学性质。在这里，我们描述了一种有效的方法，用于在温和条件下（60-190℃，温和真空，2托）从两个最初在氩气和真空下干燥的不同样品开始，在还原氧化石墨烯载体（缩写为MBHg）中获得纯的多晶型MBH纳米材料相。具体来说，我们在 150 - 180 ° C 的温度范围内从 γ 相中选择性地合成热力学稳定的 α 相和亚稳态的 β 相。通过理论热力学和动力学成核模型阐明了相关的潜在相演变机制。所得的 MBHg 复合材料在脱氢和再氢化过程中表现出结构稳定性、抗氧化性和部分可逆形成多种 [BH 4 ] − 物种，使其成为进一步优化储氢应用的有趣候选材料。关键词：硼氢化镁、储氢、相演变、热力学、动力学、还原氧化石墨烯 H
新型直流辉光放电等离子体装置的特性...
（DC-GDPAU）是一个直流辉光放电等离子体实验，由艾因夏姆斯大学（埃及）物理系设计、建立和运行。该实验的目的是通过将印刷电路板（PCB）暴露于等离子体来研究和改善它的某些特性。该装置由圆柱形放电室组成，其中固定有可移动的平行圆形铜电极（阴极和阳极）。它们之间的距离为12厘米。该等离子体实验在氩气的低压范围（0.15 - 0.70 Torr）下工作，最大直流电源为200 W。在两个电极之间每厘米处测量和计算了等离子体的帕申曲线和电等离子体参数（电流、伏特、功率、电阻）。此外，使用双朗缪尔探针获得了不同径向距离下的电子温度和离子密度。电子温度（KT e ）保持稳定在6.58至10.44 eV范围内；而离子密度（ni ）范围为0.91×10 10 cm −3 至1.79×10 10 cm −3 。采用数字光学显微镜（800倍）比较等离子体暴露前后对电路布局成形的影响。实验结果表明，等离子体暴露后电导率增加，铜箔表面的粘附力也有所改善。电导率的显著增加与样品表面的位置以及暴露时间直接相关。这表明所获得的结果对于开发用于不同微电子设备（如航天器上的设备）的PCB制造非常重要。
FEC-PRY31-049-24.pdf - 横须贺空军基地空缺公告 - Navy.mil
海军设施工程系统司令部 (NAVFAC) 为海军部提供重要的基础设施和采购支持以及公共工程服务。NAVFAC 远东分部是海军岸上设施工程专家，负责管理远东地区的规划、设计、建造和维护。点击以下链接了解有关美国海军工程司令部远东基地的更多信息：https://pacific.navfac.navy.mil/Facilities-Engineering-Commands/NAVFAC-Far-East/About-Us/Host-Nation-Job-Vacancies/ 6. 职责在横须贺地区的建筑设施中使用电、氩气和乙炔气进行焊接工作。 执行分配的其他相关或附带职责。 出色的工作条件（如果有） 7. 资格/身体要求 * 必须具备达到第 1 项所示语言能力水平 (LPL) 的英语语言能力。具有一年相当于同类工作2-6级的专业经验。 b. 气焊技能课程结业证书及特殊电弧焊培训结业证书 c. 使用电、氩、乙炔气进行焊接等的知识和技能。 如果您不满足资格要求，您可能会被视作以下较低等级： 2-6级： a. 具有一年相当于同类工作2-5级的专业经验。 b. 气焊技能培训证书2-5级： a. 一年相关经验。 b. 气焊技能课程结业证书 *将根据残疾程度考虑残疾情况。 * 残疾申请者也可能被录取，但需根据残疾程度和种类而定。
β‐Ga2O3 纳米片晶体管的欧姆接触形成……
摘要：金属与其导电通道之间的有效欧姆接触是开发高性能Ga 2 O 3 基晶体管的关键步骤。与块体材料不同，退火过程中多余的热能会破坏低维材料本身。考虑到热预算问题，提出了一种可行且温和的解决方案（即含氩气的等离子体处理）来实现与（100）β-Ga 2 O 3 纳米片的有效欧姆结。首次用X射线光电子能谱比较研究了四种等离子体处理（即混合气体SF 6 /Ar，SF 6 /O 2 /Ar，SF 6 /O 2 和Ar）对（100）β-Ga 2 O 3 晶体的影响。通过最佳等离子体预处理（即氩等离子体，100 W，60 s），所得的 β -Ga 2 O 3 纳米片场效应晶体管（FET）无需任何后退火即可表现出有效的欧姆接触（即接触电阻 RC 为 104 Ω·mm），从而可获得具有竞争力的器件性能，例如高电流开/关比（> 10 7 ）、低亚阈值摆幅（ SS ，249 mV/dec）和可接受的场效应迁移率（ µ eff ，~21.73 cm 2 V − 1 s − 1 ）。通过使用重掺杂的 β -Ga 2 O 3 晶体（N e ，~10 20 cm − 3 ）进行氩等离子体处理，接触电阻 RC 可进一步降低至 5.2 Ω·mm。这项工作为增强低维Ga2O3基晶体管的欧姆接触性能开辟了新的机会，并可进一步使其他基于氧化物的纳米器件受益。
基于Mg的热电模块的原子层沉积的性能降解和保护作用
热电技术近年来由于对可持续能源和有效的冷却系统的需求不断增长，因此目睹了近年来的复兴。最近，使用无毒的，丰富的材料（包括P型MGAGSB和N -Type Mg 3（SB，BI）2标志着显着突破的无毒热模块。尽管表现有希望，但关于长期鲁棒性和稳定性的问题仍然存在，尤其是在恶劣的环境中。在这项研究中，对热电模块进行了彻底的探索，重点是在各种条件下的性能降解。通过元素映射分析，在氩气环境中循环过程中的模块中鉴定了降解机制，在氩环境中，原子迁移和在接触区域的复杂氧化物形成是关键因素。此外，空气中的骑自行车测试揭示了显着的降解，从而促进了保护策略的探索。使用原子层沉积（ALD）出现的表面涂层作为一种有希望的解决方案，尤其是HFO 2，表现出了出色的保护作用。此外，还发现了重新销售的恢复模块性能，强调了开发高级焊接技术以推广基于镁的热电技术的重要性，作为BI 2 TE 3的可持续替代方案。这些发现强调了探索新型接触材料的重要性，并证明了ALD作为增强模块可靠性和鲁棒性的普遍方法的潜力。
触觉溅射目标中的纹理不均匀性
溅射沉积如图1所示，溅射沉积过程是通过用离子轰击所需沉积材料的目标来完成的。事件离子在目标内引发碰撞级联。当级联反应以足够的能量克服表面结合能到达目标表面时，可以弹出原子。溅射室的示意图如图2所示。电场将传入的气体电离（通常是氩气）。阳性离子轰击靶（阴极）和溅射原子在底物上（阳极）。可以加热底物以改善键合。溅射产量（即从每个入射离子射出的原子的平均原子数）取决于几个参数，包括相对于表面的离子入射角，离子的能量，离子和靶原子的相对质量以及靶原子的表面结合能。虽然影响溅射的相对较大的数字参数使其成为一个复杂的过程，但具有如此多的控制参数可以对所得膜的生长和微观结构进行很大程度的控制。各向异性的晶体靶材料，晶格相对于靶表面的方向影响溅射产量。在多晶溅射目标中，以不同速率的不同方向溅射的晶粒。这可能会影响沉积薄膜的均匀性。一个关键控制参数是目标材料中纹理的均匀性。图3显示了铜单晶溅射产量的各向异性（Magnuson＆Carlston，1963年）。所有面部中心材料的一般趋势均具有：S（111）> s（100）> s（110）。
通过一致反馈抑制控制酶活性*
最近的研究-4关于微生物中天冬氨酸家族氨基酸生物合成的最终产物调节的研究揭示了存在几种神经控制模式。本报告描述了在光合细菌中观察到的一种现象，该现象为一个控制方案提供了一个基本元素，即，在分支的生物合成途径中，通过两种氨基酸源产物的同时作用。我们认为，这种效应可能被认为是一致的反馈抑制，它将被证明具有一般意义，尤其是在分支或相互连接的生物合成途径中。Materials and Methods.-Growth of bacteria: The strain of Rhodopseudomonas capsulatus used was a new isolate, with properties closely corresponding to those described by van Niel.5 It was grown photosynthetically in a synthetic medium identical to that specified by Ormerod et al.,6 except that the nitrogen source was 0.1 per cent L-glutamate instead of ammonium sulfate, and thiamine添加盐酸盐（1 mg/L）代替生物素。细胞，以制备提取物。酶制备：提取物是通过悬浮在0.05 m磷酸钾 + 0.02 m的声音破坏（10-kc示波器）中制备提取物，在氩气的大气下，磷酸钾 + 0.02 m，F-磁乙醇缓冲液pH 7.2。通过以18,500 x g离心30分钟来阐明Sonicate，然后在30,000 rpm下进行第二个离心16小时（Spinco RotorN1O。30）。饱和硫酸铵溶液，
单组分等离子体在光电探测器阵列周期性结构的 ICP-RIE 蚀刻工艺中的应用
红外 (IR) 探测技术的发展主要依赖于 InAs/GaSb SL 外延 [1] 和生长后处理 [2] 的改进。为了实现最佳性能，必须优化器件架构 [3] 以及台面结构，使其侧壁垂直且光滑，以防止像素间距较小的焦平面阵列 (FPA) 中的串扰，其中周长与表面积的纵横比很高 [2, 4]。表面台面的粗糙度、反应产物的存在以及电活性缺陷的表面密度（包括断裂的化学键）都会影响表面漏电流的大小 [5]。台面型结构可以通过湿法或干法蚀刻来创建。先前的研究表明，无机和有机酸性蚀刻剂都适用于 InAs/GaSb 超晶格 (SL) 的湿法蚀刻 [5, 6]。湿法蚀刻有许多优点，例如断裂的化学键数量少、自由载流子密度降低，因此漏电流低 [6, 7]。然而，也会产生不良反应产物并残留在侧壁表面上，导致漏电流的显著增加。湿法蚀刻也是各向异性的，导致台面侧壁几何形状不理想 [8]。另一方面，InAs 和 GaSb 材料的干法蚀刻经常使用气态氯与惰性气体（如氩气）的组合 [9, 10]。气态氯因其高挥发性和高蚀刻速率而受到青睐，而氩离子通过轰击蚀刻表面简化了反应产物的解吸。BCl 3 蚀刻具有较低的蚀刻速率，但使用它会产生更光滑的台面侧壁 [11]。BCl 3 /Ar 等离子体的使用已被证明在分立探测器中是有效的。尽管如此，当用于台面时，它表现出次优性能