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激光遥感——空战新工具
一种替代方法，称为光吸收光谱（“吸收光谱”），解决了基于发射方法的许多局限性。吸收光谱涉及通过目标介质传递已知光谱特性的光，并观察到波长被培养基吸收。特定的分子将在特定波长上引起共鸣（振动），这样就可以在该波长下吸收光。与发射光谱法不同，它要求将目标培养基加热至合适的温度，吸收光谱利用了测量设备提供的光源，这通常是合适的波长（颜色）的单色激光器或激光器。由于激光具有已知的波长特性，因此不一定要加热目标介质
Pandey A，Mi Zt。多波长的纳米线微型领导，用于未来的高速光学通信。 Opto-Electron Adv 7，240011（2024）。
可以使用自下而上的工艺完全避开蚀刻损伤的关注点。选择性面积生长（SAG）的过程将vias涂到掩模层上的基板上，然后将图案化的底物加载以进行生长。调整生长条件，使外观仅发生在定义的开口内。这会导致纳米（微）结构的生长，其尺寸和形状与底物5,6时所定义的尺寸和形状完全匹配。此外，这些纳米结构不需要暴露于任何干蚀刻过程以定义装置台面，从而防止形成与该过程相关的表面缺陷。这些优势对于任何（子）微米级设备的高效效率是必要的。纳米结构也可以在非本地基材上生长，有可能打开更多新应用7。此外，
![arxiv：2412.18878v1 [physics.optics] 2024年12月25日](/simg/g:\will\search\icon\source\5\59b14591d8d8c891d6dd044e5a15904dbdc546f6.webp)
arxiv：2412.18878v1 [physics.optics] 2024年12月25日
传统的金属和N型掺杂的半导体材料是新兴的Epsilon – Near -near -Zero（ENZ）材料，展示了非线性光子应用的巨大潜力。然而，这种材料的一个重要限制是缺乏多功能的ENZ波长调整，因此，对ENZ波长的动态调整仍然是一个技术挑战，从而限制了其潜在应用，例如多频带通信。在此，通过光激发后极性形成/解耦的孔浓度的可逆变化以及可调的enz波长移动，可以观察到PSS膜中的ENZ波长的动态调整，从而可以通过可逆的孔浓度变化来实现PSS膜。关于极性激发超快速动力学的实验研究表明，北极子积累的〜80 fs时间常数，北极子解耦的〜280 fs时间常数，表明在子picosocecond时尺度内的enz波长逆转超快切换的潜力。这些发现表明，P型有机半导体可以用作通过极性激发动态调整ENZ波长的新型平台，这为基于ENZ的非线性光学应用在柔性光电上开辟了新的可能性。
系统工程师，Jena-Optronik GmbH，Lidar Group
- 模式单光子计数雪崩光电二极管（SPAD）在室温下 - 改进的Ingaas Spad（GHz - 高QE） - 单个光子计数表征和资格 - 电信波长 - 电信波长
定向能武器.pdf
假设指向精度具有特定程度，激光对任何类别目标的致死性将由功率水平，波长和光学维度确定。这些因素通常在设计整体系统时交易。较短的波长使设计人员能够使用较小的功率或较小的光学尺寸，并且仍然达到所需的致死性，尽管大气湍流的效果在较短的波长下更为明显。较高的功率或更大的光学元件可以在较长的波长下实现相同的效果，而降解较少。但是，这些参数中的每个参数都有限制。例如，在大气中在任何给定波长中工作的激光将具有定义其最大杀伤力的“临界功率水平”。在较高的功率水平下，与大气相互作用导致的光束降解实际上会减小沉积在目标上的能量。高功率输出也可以超过光学系统的公差，从而导致系统故障。15
全球趋势和土耳其能力报告 - SETA
简要介绍一下电磁波谱 (EMS) 可以为解释 EW 系统在现代战争中的作用铺平道路。毫不奇怪，从手机到简单的电视遥控器，我们日常生活中的许多设备都使用 EMS。什么是电磁波谱 1 ？基本上，EMS 可以定义为在特定频率范围和波长内以光速传播的电磁波。下图 1 中可以看到 EMS 的频率和波长的全部范围。2 EMS 频率和波长部分的顶部属于伽马射线和 X 射线，由于其高能光子和非常小的波长（λ=10-10 厘米）的性质，它们常用于医学领域（医学成像）和核物理。在 X 射线之后，我们可以看到 EMS 的紫外线和红外光部分。这种 EMS 大部分是人眼看不见的，但只有在这个频谱的一小部分中，人类和大多数动物才能看到电磁波。红外摄像机（用于检测物体的热图像）也在 EM 频谱的这一部分工作。EMS 场的 1-300 GHz 频率（100 米-0.5 毫米波长）频谱主要用于军事应用、气象观测和导航辅助目的的各种雷达系统。EMS 范围的底部主要用于无线电通信和电视
钝化对选择性生长亚微米 Ge-on-Si 的影响...
近来，人们对开发工作在短波红外 (SWIR) 波长 [1] 的单光子探测器的兴趣日益浓厚，SWIR 波长定义为工作在约 1000 nm 的 Si 能带边缘之外的波长。光检测和测距 (LIDAR) [2]、透过遮蔽物成像 [3] 和量子通信 [1] 等众多量子技术应用都需要在这些波长下具有这样的单光子灵敏度。例如，由于太阳背景辐射较低且激光安全人眼阈值较高，可通过转移到 SWIR 来改进 LIDAR 应用。在量子通信中，1310 nm 和 1550 nm 的低损耗光纤波长要求任何单光子探测器都能在这些波长下进行探测。虽然超导纳米线探测器 [4] 和 InGaAS/InP SPAD [5] 是现成的单光子探测技术，但 Ge-on-Si SPAD 具有降低后脉冲和提高单光子探测效率的潜力。 [6] 本研究在 260 nm 绝缘体上硅 (SOI) 晶片上制造了 Ge-on-Si SPAD，采用独立吸收、电荷和倍增层几何结构 (SACM) 和横向 Si 倍增层，采用完全兼容 CMOS 的工艺。利用这种几何结构，可以轻松实现与 Si 波导和光纤的集成 [7]，从而实现其在量子通信应用中的潜力。Ge 选择性地生长在 SiO 2 沟槽内，与块状 Ge 生长相比，降低了穿线位错密度 (TDD)。研究了这些器件的暗电流特性，以及不同的 Ge 钝化技术对侧壁的影响。