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World File Search System活化能
醋酸浸出钢过程中钒溶解的动力学研究
钢渣是炼钢过程的副产品。由于钢渣生成率高，且其中含有大量有毒而有价值的金属，如钒，因此从该产品中回收钒是十分必要的。在本研究中，将炼钢转炉渣（含约1.96wt.% V 2 O 5 ）磨碎至平均粒度为85µm，采用乙酸浸出法回收钒。在固定乙酸浓度（1摩尔）和固液重量比（200毫升中1克钢渣）的情况下，研究了时间（0至120分钟范围内）和温度（0至80⁰C范围内）对浸出过程的影响。结果表明，增加时间和降低温度（活化能等于-11.4kJ/mol）可提高钒的浸出效率。在 0 ⁰ C 和 90 分钟时达到最大浸出效率。动力学研究表明，通过固体层的热量扩散是钒在乙酸中溶解的控制步骤。此外，热导率 (ka) 随温度升高而降低 (ka=21877.6/T3)，因此热量以较慢的速度从反应区转移到颗粒表面。
3D集成电路中Cu⠍Sn⠍Cu微焊盘电迁移失效的实验研究
垂直堆叠的三维集成电路 (3D IC) 中的芯片间电通信由芯片间微凸块实现。微凸块的电迁移可靠性对于了解基于 3D IC 的微电子系统的可靠性至关重要。本文报告了通过热压键合在两个芯片之间形成的 Cu-Sn-Cu 微凸块的电迁移可靠性的实验研究。双芯片 3D IC 组装在线键合陶瓷封装中，并在不同温度下的空气和氮气环境中进行电迁移测试。测量了微连接链和开尔文结构的故障寿命和平均故障时间 (MTTF)。结果表明，Cu-Sn 微连接的本征活化能介于 0.87 eV 和 1.02 eV 之间。基于故障分析，提出了可能的故障机制。这项研究的结果有望提高人们对 3D IC 中电迁移可靠性的根本理解，并促进基于 3D IC 的稳健可靠的微电子系统的开发。2014 Elsevier BV 保留所有权利。
![arxiv：2104.08000V1 [cond-mat.mtrl-sci] 2021年4月16日](/simg/c\c1be7b0de9395d9ff48b8c8edf037ba7afca268b.webp)
arxiv：2104.08000V1 [cond-mat.mtrl-sci] 2021年4月16日
由于无机固体电解质是用于全稳态电池的关键组件之一，因此必须开发高离子电导性材料。因此，我们提出了一种通过计算潜在能量表面（PES），通过动态程序（DP）开发的算法来评估潜在能量表面（PES），并通过动态编程（DP）来寻找最佳的差异路径，并计算相应的激活能量的方法，从而通过n udasted Prolaster（Neb）计算相应的激活能量（NEB），从而通过计算潜在的能量表面（PES）来评估离子差异的激活能量的有效方法。以β -li 3 ps 4为例，在a - ，b-和c轴方向上，锂离子差异的活化能分别为0.43、0.25和0.40 eV，这与先前报道的值非常吻合。通过全面搜索PES-DP的最低能量路径，可以消除路径选择的任意性，并且必须仅使用NEB方法来几次计算激活能量，这大大降低了评估激活能量所需的计算成本，并可以启用固态电解质的高通量筛选。
Tectona Grandis Dye的合成和表征...
这项研究调查了由Tectona Grandis制成的天然染料提取物和银纳米颗粒的效果，可以防止在酸性环境中腐蚀碳钢。这些纳米颗粒在420纳米的波长下显示为深褐色，并吸收了最强的光。分析证实了官能团的存在：O-H，C = O，C = C和纳米颗粒中的N-Hb。用扫描电子显微镜检查显示纳米颗粒主要是球形或椭圆形。证实了银的存在，并使用XRD分析分析了其晶体结构。使用氮吸附技术进一步测试表明纳米颗粒是介孔的。染料和纳米颗粒都抑制了酸性溶液中低碳钢的腐蚀。较高的抑制剂浓度可提供更大的保护，以防止腐蚀。但是，这种保护在较高的温度下削弱了。抑制剂的存在提高了腐蚀所需的活化能。腐蚀过程是一个吸热过程。此外，熵变化表明在抑制期间在金属表面上的排列更加有序。研究表明，纳米颗粒是由提取物形成的。纳米颗粒在暴露于抑制剂后对钢表面的SEM/EDX研究在抑制腐蚀方面的表现优于Die提取物。
Averrhoa bilimbi叶提取物作为1 M HCl培养基中低碳钢的有效且可持续的抑制剂：实验和DFT枚举
摘要通过重量，电化学阻抗光谱和预触动力偏振方法评估了1 M HCl溶液中低碳钢对1 M HCl溶液中低碳钢腐蚀的抑制作用。在303至333 K的各个温度下确定抑制效率。讨论了温度和抑制剂浓度对抑制性能的结果。通过langmuir等温线近似抑制剂的吸附特性。从活化能值中评估了提取层的屏障特性及其与表面的化学相互作用。得出了热力学参数系统，以确认实验发现，并洞悉低碳钢腐蚀抑制的机理。通过气相色谱 - 质谱（GC -MS）分析评估ABL提取物的植物化学成分，该分析表明，光化学成分具有伴有杂原子的功能组，表明它具有显着的腐蚀抑制性能。使用密度函数理论计算研究了活性成分的量子化学参数。扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线光谱法（EDX）用于检查腐蚀和抑制的低碳钢样品的表面形态。紫外线 - 可见（UV）光谱和提取物的傅立叶转换红外（FT -IR）光谱以支持实验抑制数据。
通过溶胶-凝胶燃烧得到的 Dy3+ 掺杂 CaAl2O4 的光致发光和余辉
其中 Dy 3+ 掺杂的铝酸钙 (CaAl 2 O 4 :Dy 3+ ) 是一种著名的无机荧光粉，在紫外激发下可发出白色光致发光 (PL)。5 CaAl 2 O 4 :Dy 3+ 除了白色的 PL 之外，即使去除紫外激发后，仍呈现白色的余辉。6 根据 Liu 等人在 2005 年报道，Dy 3+ 是 CaAl 2 O 4 :Dy 3+ 余辉的发光中心，在最佳掺杂浓度为 2 at% 时，固相反应生成的 CaAl 2 O 4 :Dy 3+ 的白色余辉持续时间为 32 分钟。 6 对于辉光材料，带电载流子的激发、迁移、捕获、释放和辐射复合过程对于理解其辉光性质至关重要。 7 – 9 例如，只有当陷阱具有适当的活化能（大约 0.65 eV）时，才能在室温下实现长时间的辉光，而浅陷阱（E # 0.4 eV）和深陷阱（E > 2 eV）并不理想，因为它们在室温下很容易或很难被清空。 7 到目前为止，只有一篇关于 CaAl 2 O 4 :Dy 3+ 辉光的报道，没有完全揭示带电载流子的激发、迁移、捕获和释放过程。缺乏这方面的知识阻碍了对辉光材料的进一步研究。
通过高通量筛选设计氮基固态锂导体
摘要 随着电动汽车的普及和无线电子设备的扩展，对二次电池的需求正在迅速增长。 然而，使用最广泛的锂离子电池经常发生火灾事件，限制了市场的增长。 为了避免易燃性，基于固体电解质的系统在下一代锂离子电池中越来越受到关注。 然而，离子电导率的限制和高制造成本等挑战需要进一步的研究和开发。 在本研究中，我们旨在确定一种尚未得到广泛探索的新型氮基固体电解质材料。 我们提出了一种通过高通量筛选（HTS）选择最终材料的方法，详细说明了用于材料选择和性能评估的方法。 此外，我们展示了氮取代材料与碳和氧置换的从头算分子动力学（AIMD）计算和结果，包括阿伦尼乌斯图、活化能和锂离子电导率最高的材料在 300K 下的预测电导率。虽然性能尚未超越传统固态电解质的离子电导率和活性，但我们的结果为探索和筛选新型固态电解质材料提供了系统框架。该方法也可以应用于探索不同的电池材料，并有望为下一代储能技术的创新做出重大贡献。
对MOF吸收在羟基化和非羟基化金属氧化物表面上吸收的第一原理研究及其对MOS2原子层沉积的影响
对二维过渡金属二核苷的显着兴趣已通过可伸缩的蒸气相，例如化学蒸气沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）进行了许多实验研究。ALD通常允许较低的沉积温度，化学前体的成核需要与表面官能团的反应。用于研究ALD建模的一种常见的第一原理方法是计算提出的反应途径的活化能。在这项工作中，我们使用密度功能理论（DFT）计算了部分电荷密度，状态（LDO）的局部密度（LDOS），不良电荷分析，吸附能和电荷密度差，以研究MOF 6在包括Al 2 O 3，HFO 2，HFO 2和MGO在内的三个氧化物表面上MOF 6的成核。我们的发现表明，羟基（OH）有助于降低MOF 6的前半循环期间的反应屏障，并促进氧化物底物上前体的化学吸收。这一发现得到了高离子MF X（M =金属，X = 1，2，3）在氧化物表面的键的支持。通过比较有和没有羟基的表面，我们强调了表面化学的重要性。
在高宽高比结构中对原子层沉积过程中的不完全结合性进行建模
原子层沉积允许精确控制膜厚度和形式。它是高纵横比结构（例如3D NAND记忆）的关键推动因素，因为它的自限性行为比传统过程更高的合并性。然而，随着纵横比的增加，经常发生与完全保征的偏差，需要全面的建模以帮助开发新技术。到此为止，我们为存在不完整的整合性的原子层沉积过程中提供了一个模型。该模型结合了基于Knudsen扩散和Langmuir动力学的现有方法。我们的模型通过（i）通过Bosanquet公式融合了气相扩散率以及在Yanguas-Gil和Elam首先提出的建模框架中的反应可逆性，以及（ii）有效地集成在级别设定的地形模拟器中。该模型在侧面高纵横比结构中手动校准了Al 2 O 3的原型原子层沉积结果。我们研究了h 2 o步的温度依赖性，从而提取了0的活化能。178 eV与最近的实验一致。在TMA步骤中，我们观察到Bosanquet公式的精度提高，并以相同的参数集复制了多个独立的实验，这突显了模型参数有效地捕获了反应器条件。
MoF6 在羟基化催化剂上吸附的第一性原理研究...
人们对二维过渡金属二硫属化物产生了浓厚的兴趣，这引发了大量使用可扩展气相方法（如化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD)）对其合成进行实验研究。ALD 通常允许较低的沉积温度，并且化学前体的成核需要与表面功能团发生反应。研究 ALD 建模的常用第一性原理方法是计算拟议反应途径的活化能。在这项工作中，我们使用密度泛函理论 (DFT) 计算了部分电荷密度、局部态密度 (LDoS)、Bader 电荷分析、吸附能和电荷密度差，以研究 MoF 6 在三种氧化物表面（包括 Al 2 O 3 、HfO 2 和 MgO）的成核。我们的研究结果表明，羟基 (OH) 有助于降低 MoF 6 前半周期内的反应势垒并促进前体在氧化物基底上的化学吸附。这一发现得到了氧化物表面高离子性 MF x（M = 金属，x = 1、2、3）键形成的支持。通过比较有羟基和无羟基的表面，我们强调了表面化学的重要性。