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摘要 在本文中,我们提出了计算 Cu O 2 量子阱、线和点中受限里德堡激子能量偏移的第一步。具有高量子数 n 的里德堡激子的宏观尺寸意味着已经 μ m 大小的层状、线状或盒状结构会导致量子尺寸效应,这取决于主里德堡量子数 n 。此类结构可通过聚焦离子束铣削赤铜矿晶体来制造。量子受限会导致受限物体的能量偏移,这对于量子技术来说很有趣。我们在计算中发现,由于量子受限,里德堡激子获得了 μ eV 到 meV 范围内的势能。该效应取决于里德堡激子尺寸,因此也取决于主量子数 n 。计算出的 μ eV 到 meV 能量范围内的能量偏移应该是可以通过实验获得和检测到的。
分层的钙钛矿是杂化2D材料,它是通过有机铵阳离子层分隔的无机铅卤化物网络的自组装形成的。在这些天然量子孔结构中,量子和介电结构导致强烈依赖于材料组成的激烈的激子状态。在本文中,我们回顾了对分层钙钛矿中激子光体物理学的当前理解,并强调了对其激子特性进行调整的许多方式。特别是,我们专注于激子动力学与晶格运动和软性杂种晶格的局部变形的耦合。这些效果导致了复杂的激发状态动力学,为光电材料设计设计了新的机会,并探索了量子固定系统中基本光物理学的探索。
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a,沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b,56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c,4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱,随着激光功率的增加,显示出不同的发射行为,主要峰位于 1.7167eV(P1)和 1.7206eV(P2)。d,P1 和 P2 的提取线宽,以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e,随着激光功率的增加,P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a ,沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b ,56 µ m × 56 µ m 范围内 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等高线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ,4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱,随着激光功率的增加,显示出不同的发射行为,主要峰位于 1.7167eV (P1) 和 1.7206eV (P2)。d ,P1 和 P2 的提取线宽,绘制为激发功率的函数。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的分辨率受限线宽。e,P1 和 P2 的光子发射积分计数随着
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a,沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b,56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c,4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱,随着激光功率的增加,显示出不同的发射行为,主要峰位于 1.7167eV(P1)和 1.7206eV(P2)。d,P1 和 P2 的提取线宽,以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e,随着激光功率的增加,P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a,沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b,56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c,4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱,随着激光功率的增加,显示出不同的发射行为,主要峰位于 1.7167eV(P1)和 1.7206eV(P2)。d,P1 和 P2 的提取线宽,以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e,随着激光功率的增加,P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a,沉积有 WSe 2 单层的设备示意图。 b ,在 56 µ m × 56 µ m 上,能量范围在 1.525eV 和 1.734eV 之间的光致发光强度云图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ,WSe 2 单层中局部发射极在 4.5K 下的光致发光光谱,随着激光功率的增加显示出不同的发射行为,以 1.7167eV(P1)和 1.7206eV(P2)处的峰值为主。d ,P1 和 P2 的提取线宽,以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e,P1 和 P2 的光子发射的积分计数随着激光功率的增加显示出超线性和亚线性行为