XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System焊管
残余应力和热处理... - CORE
4.1.4.2 硬度测试结果 .............................................................. 86 4.1.4.3 拉伸强度结果 .............................................................. 92 4.1.4.4 冲击能结果 .............................................................. 95 4.2 残余应力测试 .............................................................................. 97 4.2.1 简介 ............................................................................................. 97 4.2.2 工字钢箱形截面部件 ...................................................... 98 4.2.3 双 V 型低碳钢部件 ...................................................... 99 4.2.4 双 V 型不锈钢部件 ............................................................. 104 4.3 P W H T 优化 ............................................................................................. 108 4.3.1 低碳钢部件 ............................................................................. 109 4.3.1.1 焊后热处理程序 ..109 4.3.1.2 金相试验 ................................................. 110 4.3.1.3 硬度试验 ................................................. 110 4.3.1.4 拉伸强度试验 ...................................................... 112 4.3.1.5 缺口冲击试验 ...................................................... 113 4.3.1.6 残余应力试验结果 ...................................................... 113 4.3.2 不锈钢焊接部件 ...................................................... 114 4.3.2.1 焊后热处理程序 ..114 4.3.2.2 金相测试 .............................................................. 115 4.3.2.3 硬度测试 .............................................................. 115 4.3.2.4 拉伸强度测试 .............................................................. 116 4.3.2.5 缺口冲击测试 .............................................................. 117 4.3.2.6 残余应力测试结果 ...................................................... 118
BP645电池供电铁铁
新的BP645电池供电的焊铁是典型的全家焊接工作的理想工具。无论是修理孩子的玩具上的连接还是将布线固定在船上拖车上，Weller BP645都可以到达工作所在的地方，而无需担心。它加热了全部，它来自五十多年来最受信任的求职产品中最受信任的名称。
电弧增材制造在半圆柱壳几何强化中的模拟
摘要：电弧增材制造 (WAAM) 是一种基于气体保护金属电弧焊的增材制造工艺。它允许通过控制焊珠的沉积和堆叠来制造大体积金属部件。除了近净成形的金属部件制造外，WAAM 还应用于结构部件（例如壳体几何形状）的局部加固。然而，此过程可能会导致不希望的热诱导变形。在这项工作中，通过实验和瞬态热机械有限元模拟研究了半圆柱壳体几何形状的 WAAM 加固引起的变形。在实验中，将焊珠施加到样品上，同时使用热电偶测量其热历史。使用位移传感器记录正在发生的变形。实验数据用于校准和验证模拟。使用经过验证的模型，可以预测样品的温度场和变形。随后，使用模拟来评估不同的沉积模式和壳体厚度与由此产生的部件变形之间的关系。调查显示，壳体厚度与变形之间存在非线性关系。此外，焊道的方向和顺序对变形的形成有显著影响。然而，这些影响随着壳体厚度的增加而减弱。
产品目录 - Ortho = 解决方案
新设计的环状枢轴可让弓丝轻松滑过基座，并降低磨损的可能性。新的混合螺钉可以是主动的，也可以是被动的，可让您根据需要将枢轴锁定到弓丝上。枢轴设计用于弓丝上，也可以焊接到带子或牙冠上，具有惊人的多功能性。
wlcsp 焊点的电迁移性能 - PEP
摘要 在高温和大电流条件下测试了晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 组件。在焊料/凸块下金属化 (UBM) 界面处观察到电迁移损坏以及加速扩散和金属间化合物生长。最终电气故障通常是由于 UBM 附近的再分布线 (RDL) 中产生空隙而发生的。温度升高、电流密度增加和 RDL 走线宽度减小会导致故障率增加。Ni UBM 焊盘和 Cu 柱结构的性能均优于 Cu UBM 焊盘。根据实验数据和其他已发表数据开发了基于 Black 方程的故障模型。然后使用该模型根据代表性现场使用条件制定加速测试和鉴定测试的推荐指南。关键词：WLCSP、电迁移。引言由于 WLCSP 外形小巧，已成为便携式产品应用中使用的 RF 降压转换器、相机闪光灯驱动器、背光驱动器和模拟开关等设备的流行封装。这些器件需要通过 BGA 焊点传输高达 2A 或更高的电流。由于电迁移导致的现场故障是限制给定器件最大额定电流的一个潜在因素。倒装芯片和 WLCSP 焊点中的电迁移故障是由于高电流密度驱动的扩散和金属间化合物反应在高温下加速而发生的 [1-34]。这些影响会产生空洞，这些空洞会随着时间的推移而打开和增长。随着空洞尺寸的增加，通过焊点的电阻会增加，最终出现开路。在大多数电迁移研究中，使用电流密度和温度的测试矩阵来比较设计或材料变量。测试通常会持续到给定支路中至少一半的单元发生故障，以便数据可以拟合对数正态分布或威布尔分布。一个典型目标是确定故障预测模型的常数，例如 Black 方程 [27]。
NV3047E 数据表
1. 概述 ................................................................................................................................ 1 2. 特点 ................................................................................................................................ 2 3. 焊盘排列 ................................................................................................................................ 3 3.1. 输出焊盘尺寸 ........................................................................................................................ 3 3.2. 焊盘尺寸 ............................................................................................................................. 4 3.3. 对准标记尺寸 ...................................................................................................................... 5 3.4. 焊盘坐标 ............................................................................................................................. 6 4. 框图 ............................................................................................................................. 17 5. 引脚描述 ............................................................................................................................. 18 6. 3 线串行接口 ................................................................................................................ 21 7. 寄存器列表 ........................................................................................................................ 22 7.1. 寄存器汇总 ........................................................................................................................ 22 7.2. 算法 ................................................................................................................................ 25 7.2.1.全局对比度设置 (04h) ...................................................................................................... 25 7.2.2. Sub-R 对比度设置 (05h) ................................................................................................ 26 7.2.3. Sub-B 对比度设置 (06h) ................................................................................................ 27 7.2.4. 全局亮度设置 (07h) ................................................................................................ 28 7.2.5. Sub-R 亮度设置 (08h) ................................................................................................ 29 7.2.6. Sub-B 亮度设置 (09h) ................................................................................................ 30 7.3. OTP 控制设置 ............................................................................................................................. 31 7.3.1. OTP 控制 (10h) ............................................................................................................. 31 7.3.2. OTP 地址 (11h) ................................................................................................................. 32 7.3.3. OTP 写入数据（12h） ...................................................................................................... 33 7.3.4. SPI 读取 OTP 数据（13h） ................................................................................................ 34 7.4. 接口类型和消隐门限控制 ...................................................................................................... 35 7.4.1. 接口类型和极性设置（21h） ............................................................................................. 35 7.4.2. 消隐门限控制 1（22h~26h） ............................................................................................. 36 7.4.3. 消隐门限控制 2（27h~2Bh） ............................................................................................. 37 7.5. 功率微调 ............................................................................................................................. 38 7.5.1. IBAS 调整（30h） ............................................................................................................. 38 7.5.2. IBIAS 和 VCC 调整 (31h) .............................................................................................. 39 7.5.3. LVD 和 VDDS 调整 (32h) .............................................................................................. 40 7.5.4. GVCL 调整 (38h) ...................................................................................................... 41 7.5.5. GVDD 调整 (39h) ...................................................................................................... 42 7.5.6. VGSP 调整 (3Ah) ...................................................................................................... 43 7.6. 栅极设置 ............................................................................................................................. 44 7.6.1. 栅极开关设置 (40h) ................................................................................................ 44 7.6.2. 栅极启动使能设置 (41h) ................................................................................................ 45 7.6.3. 栅极结束使能设置 (43h) ................................................................................................ 46 7.7.源控制设置 ................................................................................................................................ 47 7.7.1. 源负载设置 1 (50h) ................................................................................................ 47 7.7.2. 源负载设置 2 (51h) ................................................................................................ 48 7.7.3. 源负载设置 3 (52h) ................................................................................................ 49 7.7.4. 源负载设置 4 (53h) ................................................................................................ 50 7.7.5. 源负载设置 5 (54h) .................................................................................................................................... 51 7.7.6. 源充电设置 1 (55h) .............................................................................................. 52 7.7.7. 源充电设置 2 (56h) .............................................................................................. 53 7.7.8. 源充电设置 3 (57h) .............................................................................................. 54 7.7.9. 源充电设置 4 (58h) ............................................................................................. 55 7.7.10. 源设置 1 (59h) ...................................................................................................... 56 7.7.11. 源设置 2 (5Ah) ...................................................................................................... 57 7.7.12. 源设置 3 (5Bh) ...................................................................................................... 58 7.7.13. 源设置 4 (5Eh) ...................................................................................................... 59 7.8. 7.9. Gamma P 选择 (60h~72h) .......................................................................................................... 60 7.9. Gamma N 选择 (73h~85h) .......................................................................................................... 61 7.10. 泵控制 ...................................................................................................................................... 62...................................................... 62...................................................... 62
柔性基板上薄硅片的倒装芯片组装
减薄硅芯片在柔性基板上的倒装芯片组装 Tan Zhang、Zhenwei Hou 和 R. Wayne Johnson 奥本大学 阿拉巴马州奥本 Alina Moussessian 和 Linda Del Castillo 喷气推进实验室 加利福尼亚州帕萨迪纳 Charles Banda 物理科学实验室 摘要 将减薄硅芯片（25-100 µ m）组装到柔性基板上为从智能卡到太空雷达等各种应用提供了超薄柔性电子产品的选择。对于高密度应用，可以通过堆叠和层压预组装和测试的柔性层然后处理垂直互连来制造 3-D 模块。本文介绍了将减薄芯片倒装芯片组装到聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP) 柔性基板上的工艺。已经开发出两种用于聚酰亚胺和 LCP 柔性基板的组装方法。在第一种方法中，将焊料凸块芯片回流焊接到图案化柔性基板上。需要使用夹具在回流期间保持柔性基板平整。回流之后是底部填充分配和固化。底部填充分配工艺对于避免底部填充流到薄硅片顶部至关重要，我们将在下文中讨论这一工艺。在第二种方法中，通孔通过聚酰亚胺或 LCP 蚀刻，露出接触垫的底面。将焊膏挤入通孔，回流并清洗，在通孔中形成焊料“凸块”。对浸焊产生的具有低轮廓焊料凸块的芯片进行焊剂处理、放置和回流。然后对芯片进行底部填充。这种方法可降低总组装厚度。简介为了满足单芯片和堆叠芯片封装中不断降低的轮廓要求，正在开发薄芯片的组装工艺。1-4 柔性基板（25-50 µ m）提供了一种进一步减小封装厚度的方法。减薄的 Si-on-flex 结构也有利于太空应用。减薄的 Si 虽然易碎，但也很灵活。减薄的 Si-on-flex 可以卷成管状进行发射，并在太空中展开，从而形成带有集成电子设备的大面积天线。组装减薄的 Si-on-flex 必须解决的问题包括：基板设计和制造、减薄后的凸块、芯片处理、回流期间的基板平整度和底部填充分配。这些将在以下章节中讨论。基板本工作中使用了两种柔性基板材料：聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP)。LCP 特性包括 100GHz 下的良好介电性能、低吸湿性和极低的透湿性。5-13 LCP 的热膨胀系数 (CTE) 可以在 LCP 薄膜的双轴挤出过程中控制。市售薄膜的 CTE 为 8 和 17ppm/o C。在本工作中使用 8ppm/o C LCP 薄膜。在用于倒装芯片组装的传统柔性基板设计中，铜芯片连接点的图案化位置与芯片组装位置在柔性薄膜的同一侧（图 1）。阻焊层用于定义可焊焊盘区域（顶面设计）。另一种方法是蚀刻聚酰亚胺或 LCP 通孔，露出铜焊盘的底面（背面设计）。通孔通过激光钻孔或反应离子蚀刻 (RIE) 制成。倒装芯片从铜图案的对面组装（图 2），从而无需阻焊层并减小了总厚度。这种方法的另一个优点（低轮廓凸块）将在后面介绍。顶面聚酰亚胺基板由约翰霍普金斯大学应用物理实验室制造，而激光钻孔背面 LCP 设计由 STS ATL 公司制造。背面 (RIE) LCP 和聚酰亚胺基板由奥本大学制造。只需一层金属即可布线菊花链芯片互连图案。
高速分配器 - 雅马哈
选择 YSD Long-Board 来处理长达 1,200 毫米的大型 LED 照明板等组件，并可灵活分配焊膏或粘合剂。这款经济实惠的选项使您的 YSD 分配器能够以经济高效的方式支持您所有特殊和标准作业。熟悉的 Yamaha 软件和用户界面有助于最大限度地提高生产力。
RaptorRAC 宽跨度货架：技术数据
焊接直立框架应为焊接桁架设计，类似于托盘架所用的设计。直立框架立柱应为 14 号规格 (1.90 毫米) 钢，箱形，2 英寸 (50.8 毫米) x 1-9/16 英寸 (39.69 毫米)，立柱正面设计有凹槽，位于 1-1/2 英寸 (38.1 米) 中心，以便轻松调整水平承重梁。立柱侧面应有凹槽，位于 1-1/2 英寸 (38.1 毫米) 中心，用于容纳锚脚、支撑、连接板和将横梁固定到立柱上。水平支撑应为 14 号规格 (1.90 毫米) 钢，滚压成型 1-1/2 英寸 (38.1 毫米) x 3/4 英寸 (19.05 毫米) 管，MIG 焊接到立柱上。斜撑应为 14 号钢（1.90 毫米），滚压成型 1 英寸（25.4 毫米）x 3/4 英寸（19.05 毫米）明槽，MIG 焊接到柱子上。所有焊接直立框架结构均应符合 AWS D1.3 认证的焊接标准。