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World File Search System理论研究
Au(111) 表面WS2 成核控制的理论研究*
二维二硫键（WS 2）作为具有独特层依赖性电子和光电特性的半导体材料，在光电设备领域表现出了有希望的应用前景。晶圆尺度单层WS 2膜的制造目前是一个至关重要的挑战，可以推动其在高级晶体管和集成电路中的应用。化学蒸气沉积（CVD）是一种可行的技术，用于制造大面积，高质量的单层WS 2膜，但其生长过程的复杂性导致低生长效率和WS 2的薄膜质量不一致。为了指导实验性努力以减少WS 2中的晶界，从而提高了膜质量以提高电子性能和机械稳定性，本研究通过第一原则理论计算研究了CVD增长过程中WS 2的成核机制。通过将化学势视为关键变量，我们在不同的实验条件下分析了WS 2的生长能曲线。我们的发现表明，调节钨和硫的前体的温度或压力可以决定性地影响WS 2的成核速率。值得注意的是，成核速率在1250 K的钨源温度下达到峰值，而硫源温度的升高或压力降低可以抑制成核速率，从而增强单层WS 2的结晶度和均匀性。这些见解不仅为根据需要在实验中微调核定率提供了强大的理论基础，而且还提供了优化实验参数以完善单层WS 2膜的结晶度和均匀性的战略指导。这些进步有望在一系列高性能电子设备中加速WS 2材料的部署，这标志着材料科学和工业应用领域的显着迈步。
实验和理论研究...
4.2.1 弹丸的行为 ................................................................................................ 164 4.2.2 单球阻力系数 .............................................................................................. 164 4.2.3 弹丸减速 ................................................................................................ 165 4.2.4 拟合时间范围数据 ............................................................................................. 166 4.2.5 推导每颗弹丸的速度和能量 ............................................................................. 167 4.2.6 弹丸云长度 ...................................................................................................... 168 4.2.7 最佳数据模型 ............................................................................................. 169
扎根理论研究
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-184470 注意：引用本作品时，请引用原始出版物。这是发表于以下文章的电子版：Gustavsson, M., Ytterberg, C., Nabsen Marwaa, M., Tham, K., Guidetti, S., (2018), Experiences of using information and communication technology within the first year after stroke – a grounded theory study, Disability and Rehabilitation, 40(5), 561-568. https://doi.org/10.1080/09638288.2016.1264012
关于光诱导的电子传递的理论研究...
摘要。在这项研究中，使用了密度功能理论（DFT）和时间依赖性密度功能理论（TD-DFT）方法，研究了硫代齐奈德富勒烯C 60纳米复合物的物理和化学特性。最重要的目标是增加C 60偶极力矩作为一种新型药物输送系统，以携带硫代齐奈德。在基态下使用了几个描述符，包括基于HOMO和LUMO轨道能，硬度，柔软度，化学势和Mulliken电荷的电化学性质。该纳米复合物的偶极矩约为2.61d，这表明其在极溶剂中中度溶解度。使用CAMB3LYP方法获得的UV-VIS频谱表明，在复合物形成后，吸收光谱的蓝移度约为= 24 nm。基于激发态的计算和第一个模式中的孔 - 电子理论，在复合物的不同吸收波长处观察到光诱导的电子传递（PET）现象。使用电子传递的Marcus理论，计算电子转移的激活的自由能和所有宠物的电子转移的自由能。
量子逻辑门：详细的理论研究
如果您仔细观察上图 2 中所示的量子电路表示，从左到右穿过量子非门 X 的直线称为量子线，它代表单个量子位。术语“量子线”、它在量子电路表示中的绘制方式以及整个量子电路本身的读取或解释方式，似乎量子位在空间中从左向右移动。但这不是量子电路的解释方式——相反，量子线从左到右的表示应该被认为是时间流逝的表示。因此，量子非门 X 左侧的量子线部分应严格解释为仅表示时间的流逝，而量子位本身没有发生任何事情。然后量子非门 X 应用于量子位的输入状态。最后，量子非门 X 右侧的量子线部分导致所需的输出状态。事实上，量子非门X的量子电路表示清楚地表明我们已经执行了涉及单个量子位和量子逻辑门的量子计算。
量子逻辑门：详细的理论研究
因此，如上图 6 所示，量子电路对计算基础量子态 ∣ 0 ⟩ 的影响会导致 ∣ 1 ⟩ 状态被抵消，∣ 0 ⟩ 状态被强化。同样，如上图 6 所示，量子电路对计算基础量子态 ∣ 1 ⟩ 的影响会导致 ∣ 0 ⟩ 状态被抵消，∣ 1 ⟩ 状态被强化。因此，如上图 6 所示，量子电路保持 ∣ 0 ⟩ 和 ∣ 1 ⟩ 状态不变。因此，如上图 6 所示，量子电路的净效应与量子线的净效应相同。
碳化物中固有缺陷的理论研究...
图。2。示意图说明了对带电缺陷的DFT超级电池计算的远程筛选能量的评估。（a）带电荷Q的批量缺陷具有介电筛选，该筛选有限地扩展，刻有正方形，表明计算超级电池的范围。（b）DFT Supercell在超级电池并行教的全净电荷Q中汇总，通过从超级电池边缘绘制电子来筛选近场的区域，从而降低边缘区域。（c）等效体积球，半径为R Vol，需要评估远程筛选能量。（d）R皮肤减少了此半径以解释未经筛选的细胞体积，从而导致R JOST定义的JOST经典介电筛选。
4H-SIC JFET阈值电压的实验和理论研究
在过去的几年中，在越来越有能力高温综合电路（IC）的发展方面取得了重大进展，这些电路（ICS）可能受益于各种航空航天，汽车和能源生产系统。例如，在本次会议上的其他地方，据报道，具有两个金属互连的4H-SIC连接场效应晶体管（JFET）IC显示出500°C的电动操作超过3000小时[1]。对于这种极端温度的越来越准确且易于访问的IC设计和仿真工具显然与进一步的技术开发和应用采用有关。为此，这项工作报告了4H-SIC JFET阈值电压（V T）的理论和实验比较研究，这是底物体偏置（V s）和温度（T）的函数，从25°C（298K）到500°C（773K）。
光电子发射和界面从头理论研究...
了解 Si(001) 上替代高 K 电介质的外延生长：应用于氧化镨。《真空科学与技术杂志》美国真空学会 B 官方杂志，微电子处理与现象，2003 年，21，1765。