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World File Search System电压测量
硅介电层不同钝化参数的电容电压曲线模拟
摘要：表面钝化是一种广泛使用的技术，可减少半导体表面的复合损失。钝化层性能主要可以通过两个参数来表征：固定电荷密度（𝑄ox）和界面陷阱密度（𝐷it），它们可以从电容-电压测量（CV）中提取。在本文中，使用模拟钝化参数开发了高频电容-电压（HF-CV）曲线的模拟，以检查测量结果的可靠性。𝐷it 由两组不同的函数建模：首先，代表不同悬空键类型的高斯函数之和和应变键的指数尾部。其次，采用了由指数尾部和常数值函数之和表示的更简单的 U 形模型。使用基于晶体硅上的二氧化硅（SiO 2 /c-Si）的参考样品的实验测量来验证这些模拟。此外，还提出了一种使用简单 U 形 𝐷 it 模型拟合 HF-CV 曲线的方法。通过比较近似值和实验提取的 𝐷 it 的平均值，发现相对误差小于 0.4%。近似 𝐷 it 的常数函数表示在复合效率最高的中隙能量附近实验提取的 𝐷 it 的平均值。
备用电池存储和调试...
3. 要求 ................................................................................................................................................................ 6 3.1 备用电池存储要求 .............................................................................................................................. 6 3.1.1 概述 .............................................................................................................................................. 6 3.1.2 新镍镉电池的存储 ............................................................................................................. 6 3.1.3 新富液式铅酸电池的存储 ...................................................................................................... 8 3.1.4 新阀控式 (VRLA) 铅酸电池的存储 ............................................................................. 9 3.2 调试检查表 ............................................................................................................................................. 9 3.2.1 概述 ............................................................................................................................................. 9 3.2.2 电池室 ............................................................................................................................................. 9 3.2.3 电池、电池柜和电池架 ............................................................................................................. 10 3.3 调试测量设备 ............................................................................................................................. 10 3.3.1 概述 ............................................................................................................................................. 10 3.3.2 电压测量 ................................................................................................................................ 10 3.3.3 电流测量 ................................................................................................................................ 10 3.3.4 温度测量 ................................................................................................................................ 10 3.3.5 比重测量和电解液 ............................................................................................................. 10 3.3.6 时间测量 ............................................................................................................................. 10 3.3.7 电池水电导率 ...................................................................................................................... 10 3.3.8 放电测试设备 ...................................................................................................................... 10 3.4 电池安装 ...................................................................................................................................... 10 3.4.1 电池柜 ............................................................................................................................. 10 3.4.2 电池架 ............................................................................................................................................................................................. 11 3.4.3 电池 ................................................................................................................................ 11 3.5 电池调试 ................................................................................................................................ 12 3.5.1 安全要求 ............................................................................................................................ 12 3.5.2 电池充电 ............................................................................................................................ 12 3.5.3 干式、富液式铅酸电池的初始充电 ............................................................................. 12 3.5.4 湿式、富液式铅酸电池的初始充电 ............................................................................. 16 3.5.5 阀控铅酸电池的初始/调试充电 ............................................................................. 16 3.5.6 镍镉电池的初始/调试充电 ............................................................................. 16
当前泄漏机制与在Si（001）上生长的GE富含螺纹脱位有关
目前的工作研究了螺纹位错密度（TDD）在低密度状态下在SI 0.06 GE 0.94异质结构中集成在SI上（001）的垂直传输的作用。使用无意间掺杂的Si 0.06 GE 0.94层可以研究成长的螺纹位错（TD）的影响，而不会与加工诱导的缺陷相互作用，例如来自掺杂剂的植入。研究的杂层虽然成分等于应变弛豫程度和厚度，但具有三种不同的TDD值：3×10 6、9×10 6和2×10 7 cm -2。电流 - 电压测量结果表明，泄漏电流不会与TDD线性扩展。泄漏电流的温度依赖性表明，通过TD诱导的缺陷状态进行陷阱辅助的隧道，在室温下通过TD诱导的缺陷态进行了陷阱辅助的隧道。在较低的温度和高电场下，无直接相互作用与缺陷水平直接相互作用的直接带对隧道成为主要的运输类型。在较高的温度（> 100°C）下观察到与中间隙陷阱发射有关的泄漏电流。在这里，我们看到材料中SRH的贡献减少，其中最小的TDD（3×10 6 cm -2），我们将其归因于被困在TD菌株中的点缺陷簇中的减少。
锂离子电池应变计监测和放电深度估计
（CALCE）马里兰大学，马里兰州帕克分校，美国 通讯作者。电话：+1 301 227 3985；电子邮件：christopher.hendricks@navy.mil；海军水面作战中心卡德罗克分部，9500 MacArthur Blvd，西贝塞斯达，马里兰州 20817，美国 摘要：锂离子电池的诊断和预测依靠电阻抗、容量和电压测量来推断电池的内部状态。电池结构的机械变化代表了电池状态的额外衡量标准，因为这些变化与整体电池健康状况有关。当锂离子电池充电和放电时，锂离子会从阳极和阴极插入或移除，这一过程称为嵌入和脱嵌。当锂离子嵌入和脱嵌时，它们会导致电极颗粒晶格发生变化，从而导致体积变化。这些体积变化会导致锂离子电池电极产生机械应力和应变，因此整个电池的厚度会随着充电和放电而变化。本文介绍了一项使用表面贴装应变计现场测量锂离子电池结构变化的研究，以及单元间应变响应差异的表征。然后使用神经网络建模结构来预测动态放电条件下电池的放电深度。
li-ion构建块，带有Sony/Murata VTC6数据表
温度传感器是从细胞端子中分离出来的，可以通过单独的电路安全地读取信号。但是，使用标准堆栈测量IC非常方便，通常用于电池监视和平衡。图6给出了具有广泛可用LTC6803的电路示例。要测量温度，在IC上激活平衡开关。这样做后，CN+1和CN之间的电压差为温度。在这种测量过程中，传感器电流从细胞正选项卡到串联电阻器到传感器，然后转移到IC的内部平衡FET，然后通过另一个串联电阻到细胞为阴性。因此，在这种情况下，使用330Ω电阻为传感器形成680Ω电阻。当禁用开关时，可以测量电池电压。请注意，在添加电容器进行过滤测量时，应格外小心，因为这可能导致传感器中的过电流状态。还要注意，不得启用相邻的平衡开关，因为这也会导致过电流。如果选择了这样的技术，则应一次在每个第二个单元格上进行两个循环进行测量（例如：1、3和5，2、4和6）。建议使用单独的IC进行电池管理和温度测量，但是，通过额外的谨慎和智能工程，可以使用单个IC进行电池电压测量，温度测量和平衡：如果添加了额外的出血电阻和MOSFET，则可以在温度测量过程中平衡细胞。
Tetzner, H.、Fischer, I. A.、Skibitzki, O.、Mirza, M. M.、Manganelli, C.
本研究探讨了低密度状态下穿透位错密度 (TDD) 对集成在 Si(001) 上的 Si 0.06 Ge 0.94 异质结构中垂直传输的影响。使用无意掺杂的 Si 0.06 Ge 0.94 层可以研究生长穿透位错 (TD) 的影响，而不会与加工引起的缺陷（例如源于掺杂剂注入）相互作用。所研究的异质层虽然在成分、应变弛豫度和厚度上相同，但 TDD 有三个不同的值：3×10 6、9×10 6 和 2×10 7 cm -2 。电流-电压测量表明漏电流与 TDD 不是线性比例。漏电流的温度依赖性表明场增强载流子生成对电流传输有很大贡献，其中通过 TD 诱导的缺陷态的陷阱辅助隧穿被确定为室温下的主要传输机制。在较低温度和高电场下，直接带间隧穿而不与缺陷能级直接相互作用成为主要的传输类型。在较高温度（>100 °C）下观察到与 Shockley-Read-Hall (SRH) 产生的中带隙陷阱发射相关的漏电流。在这里，我们发现材料中来自 SRH 的贡献减少，TDD 最小（3×10 6 cm -2 ），我们将其归因于 TD 应变场中捕获的点缺陷簇减少。
UCC5880-Q1 隔离式 20A 可调节栅极驱动 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器，具有高级保护功能，适用于汽车应用数据表 (Rev. A)
• 具有实时可变驱动强度的双输出驱动器 – ±15A 和 ±5A 驱动电流输出 – 数字输入引脚 (GD*)，用于在没有 SPI 的情况下调整驱动强度 – 3 个电阻设置 R1、R2 或 R1||R2 – 集成 4A 有源米勒钳位或可选外部驱动器用于米勒钳位晶体管 • 初级侧和次级侧有源短路 (ASC) 支持 • 内部和外部电源的欠压和过压保护 • 驱动器芯片温度感应和过温保护 • 短路保护： – 对 DESAT 事件的响应时间为 110ns – DESAT 保护 – 最高 14V 的选择 – 基于分流电阻的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护 – 可配置的保护阈值和消隐时间 – 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流 • 集成 10 位 ADC – 能够测量电源开关温度、DC Link 电压、驱动器芯片温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压 –可编程数字比较器 • 高级 VCE/VDS 钳位电路 • 符合功能安全标准 – 专为功能安全应用而开发 – 提供文档以帮助符合 ASIL D 标准的 ISO 26262 系统设计 • 集成诊断： – 保护比较器的内置自检 (BIST) – 用于功率器件健康监测的栅极阈值电压测量 – INP 至晶体管栅极路径完整性 – 内部时钟监控 – 故障报警和警告输出 (nFLT*) – ISO 通信数据完整性检查 • 基于 SPI 的器件重新配置、验证、监控和诊断 • 150V/ns CMTI • 符合 AEC-Q100 标准，结果如下： – 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。