半导体学会(印度),注册号 -209,印度,http://www.ssi.org.in 国家热物理学会(NTPS),印度 名称列于《世界名人录》第 28 周年纪念版。 研究技能和专业知识 - 总结 19 年左右的经验,涉及重要技术电子材料(外延和多晶薄膜)的制造和特性以及设备开发:薄膜晶体管 (TFT)、非易失性存储器、发光二极管 (LED) 和光电探测器 (PD)。复合半导体纳米材料:II-VI 和 III-V(ZnO、GaN)全面的知识和专业技能 1)薄膜沉积技术:溅射、PLD、电子束蒸发器、溶胶-凝胶、ALD 和 PECVD 2)结构、光学和电学特性:XRD、AFM/SEM、TEM、PL、UV-VIS、霍尔效应等; 3)使用光刻、电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)、电子束蒸发器和剥离工艺等标准程序开发和表征 TFT、基于 TFT 的非挥发性存储器、LED 和 PD 设备;布局设计; 4)熟悉在高影响因子期刊上发表学术研究文章 研究兴趣领域:薄膜处理/纳米结构材料合成/器件制造
高分辨率透射电子显微镜 (HRTEM) 能够实现原子分辨率的直接成像,是当代结构分析的核心方法之一。[1] HRTEM 需要大量的电子剂量,因此它主要限于在电子束下稳定的材料,如无机晶体。[2,3] 而有机材料对电子束敏感,[4–6] 因此,目前还没有通用的有机晶体 HRTEM 成像方法,而有机晶体在药物、[7] 有机电子器件 [8,9] 和生物系统中至关重要。[10,11] 对于金属有机骨架 [12–14] 共价有机骨架 [15] 石墨炔薄膜 [16] 酞菁晶体 [17–20] 和有序聚合物的 TEM 成像已经取得了进展,分辨率有所提高。 [21] 然而,在有机物的 TEM 成像中,为了减轻电子束损伤,需要使用低电子剂量来实现对比度,这就需要强烈的散焦条件,这会导致对比度解释困难和精细结构细节的丢失。[22,23] 此外,即使是接近焦点的有机物 TEM 成像,在图像解释方面,也会对轻微的局部结构变化非常敏感。[24] 提供相位恢复图像的 HRTEM 方法可以直接解释图像对比度和精细结构信息,因为它反映了成像对象的实际物理图像。[25,26] 这种方法对于解决与有机材料典型的多态性、异质性和局部无序有关的长期挑战非常有价值。它还可以解决未知的有机晶体结构,包括纳米级域的结构分析。HRTEM 图像形成涉及两个过程:电子与样品的相互作用和电子光学成像过程。后者阻碍了根据真实物体结构进行图像解释,因为 TEM 图像的形成高度依赖于透镜的光学缺陷。[27] 在 HRTEM 中,解开物体和仪器贡献的方法包括像差校正器 [28] 或
定量SEM/EDS分析的原位标本方向方法的开发和验证粘土Klein 1*,Faith Corman 1,Joshua Homan 1,Brady Jones 1,Brady Jones 1,Abbeigh Schroeder 1,Heavenly Duley 1和Chunfei Li 11。宾夕法尼亚州克拉翁大学,化学,数学和物理系,美国宾夕法尼亚州克拉里昂 *通讯作者:clay.w.klein@gmail.com定量分析具有扫描电子/能量分散式X射线/能量的标本元素组成的元素组成,以确保X射线光谱(SEM/EDIMENS)不需要一定的情况。错误。特别是,为了准确的定量EDS分析,标本表面必须足够平坦,并且与SEM的电子束具有正交性[1,2]。在本演示文稿中,我们报告了一种在SEM中,肉眼看不见的足够平坦的微观表面的方法的开发和验证,使得表面与传入的电子束是正交的。该方法基于使用多个SEM图像来测量两个点之间的距离的变化,而两个点之间的界线垂直于SEM倾斜轴,在不同的倾斜角度上。该方法利用了多个SEM图像和测量值,它为我们当前在开发和统计上分析试样方向过程中使用的工具提供了一个良好的测试基础,比以前的方法更有效,更精确[3]。SEM具有两个操作,可以实现对象的原位操纵:旋转和倾斜。要应用该方法,我们使用了以随机旋转和倾斜角度定向的宏观平坦样本。2。[4]。旋转操作通过平行于传入的电子束(定义为轴)的轴的角度旋转样品,而倾斜操作则通过围绕轴(轴)垂直于旋转轴的角度倾斜样品。对于以某个任意角度倾斜的平面,我们将适当的角度定义为 - 参数空间中的坐标,使得平面的表面与电子束正交。一旦确定了足够平坦的平面,我们可以通过以下步骤确定适当的角度:(1)以增量旋转角度进行一系列SEM图像,((2)用一定角度倾斜样品,(3)重复(3)重复(1)和(4)度量,对于每个旋转角度,在斜角和直至图像中的两个特征之间的距离。可以通过形成倾斜度的比率并在每个旋转角度以测量为单位,并将理论上确定的曲线与数据拟合,从而计算出适当的角度。具有50 m的视野,每10°旋转以0°,20°和-20°旋转每10°旋转。测量是在SEM图像上进行的,如图1形成两个点之间的距离之比。在图中显示了这些测量结果的曲线使用最小二乘曲线拟合程序,确定最佳和值。图中还显示了以适当角度定向的样品的图片2;我们看到表面似乎与电子束的方向是正交的。
未来几年,我们将掌握临界尺寸在 30 纳米 - 150 纳米数量级的纳米电子和光子微结构。电子和离子光刻技术可以满足进一步电子设备小型化挑战的要求。定量估计光刻胶改性参数 [I] 是优化电子和离子光刻曝光以及相关的显影过程的重要一步。由于光刻胶层的聚合物分子发生交联或断裂,溶解率在辐照后会发生变化。经过适当溶剂(显影剂)的适当显影过程后,可以观察到光刻胶层中的浮雕微结构。在显影过程中,正光刻胶的辐照区域和负光刻胶的相反区域(未辐照区域)被去除。辐照点的溶解率变化取决于所使用的曝光剂量。聚合物光刻胶对辐射(电子束和离子束)的敏感度是通过曝光图像显影过程中的最小剂量 Do 来衡量的。光刻胶的敏感度由辐射粒子的辐射效率决定,辐射效率可以用吸收能量每单位(即电子伏特)的平均化学事件数(断链或破坏)来表征。在高分辨率电子束和离子束光刻领域,非常重要的一点是
SPEQTEM(光谱量子透射电子显微镜)是一种先进的显微镜,配备单色仪、能量过滤器和电子束整形及量子控制附件。除了能够对材料进行原子分辨率成像外,它还有助于研究相干激发和内部电磁场。该显微镜由 IE entrance、NQSTI、Smart Electron 和 Impress 项目资助购置。它的目标是成为光谱和量子显微镜的领先中心。
•扫描电子显微镜是使用精细的能量电子束来观察和分析散装样品的表面微观结构的仪器。•电子光系统用于形成电子探针,该探针可以以栅格模式在样品表面扫描。•通过该梁与样品的相互作用产生了各种信号。可以通过适当检测器的应用来收集或分析这些信号。•对于成像,可以组装在栅格图案中每个位置上获得的信号振幅以形成图像。
本研究探讨了辐射束能量水平和角度对癌症治疗期间对邻近健康组织和肿瘤的剂量的影响。由于电子束由于其浅渗透深度而最适合浅表肿瘤,但线性加速器产生的光子束对于深座的肿瘤有用。辐射剂量在0°和60°的不同角度以不同的角度和15 mV光子束进行测量,并在0°和15°处使用6 MeV,12 MeV和15 MeV电子束。研究结果表明,在光子治疗中,较大的角度和较高的能量在不同位置产生较高的剂量。电子治疗中的能量水平对剂量分布的影响比角度更大。我们的线性回归模型分析发现,光子治疗中的能级角度和剂量测量与高R 2分数密切相关(高于0.8)。与电子疗法观察到了实质性和不一致的相关性。尽管有这些变化,但两种治疗方法的各种剂量测量之间仍存在正相关。这些结果强调了选择直角和能量水平以最大化治疗功效并最大程度地减少对健康组织的伤害的重要性。通过将我们的结果与确保安全性和有效性的国际标准进行比较,支持在临床环境中使用这些治疗方案。
驱动)会产生不良后果,最明显的是输出失真。本论文研究了多音驱动下的行波管 (TWT) 建模。多音驱动意味着馈送到放大器的输入信号或驱动信号的频谱具有几个不同的音调或载波,每个音调或载波都用于传输与其他载波上的信息无关的信息。即使对于中等水平的驱动信号,放大器输出上的频谱也包含输入中没有的频率内容,即输出不仅仅是输入的缩放版本。输入信号的这种失真使得随后对载波上的信息进行解码变得困难。我们研究 TWT 的物理、建模和分析,旨在提高设备性能。1.1.1 行波管 行波管是一种用于放大相干电磁波的装置,通常在微波(1-100 GHz)范围内。放大波所需的自由能来自存储在靠近电磁 (EM) 波的电子束中的直流能量。如果电子束和 EM 波的速度几乎相同,则光束中的能量会传递给波,表现为波幅增长;这种增长是由于光束-波系统固有的不稳定性造成的。在定性描述相互作用之前,我们需要简要解释一下相互作用所需的慢波引导结构。
驱动)会产生不良后果,最明显的是输出失真。本论文研究了多音驱动下的行波管 (TWT) 建模。多音驱动意味着馈送到放大器的输入信号或驱动信号的频谱具有几个不同的音调或载波,每个音调或载波都用于传输与其他载波上的信息无关的信息。即使对于中等水平的驱动信号,放大器输出上的频谱也包含输入中没有的频率内容,即输出不仅仅是输入的缩放版本。输入信号的这种失真使得随后对载波上的信息进行解码变得困难。我们研究 TWT 的物理、建模和分析,旨在提高设备性能。1.1.1 行波管 行波管是一种用于放大相干电磁波的设备,通常在微波(1-100 GHz)范围内。放大波所需的自由能来自存储在靠近电磁 (EM) 波的电子束中的直流能量。如果电子束和 EM 波的速度几乎相同,则光束中的能量会传递给波,表现为波幅增长;这种增长是由于光束-波系统固有的不稳定性造成的。在定性描述相互作用之前,我们需要简要解释一下相互作用所需的慢波引导结构。
抽象相干量子发射器是高级量子技术的中心资源。六角硼硝酸盐(HBN)容纳了一系列量子发射器,可以使用诸如高温退火,光学掺杂和用电子或离子辐照等技术进行设计。在这里,我们证明了此类过程可以降低HBN中量子发射器的连贯性,从而降解功能。具体来说,我们表明,在HBN纳米化方案中常规使用的HBN退火和掺杂方法会导致B-中心量子发射器的脱谐。详细表征了Decerention,并归因于在SPE激发期间静电波动并诱导光谱扩散的电荷陷阱的缺陷。当发射器是通过HBN生长的原始薄片的电子束照射来设计的,在HBN的电子束辐射中,B-中心线宽接近涉及干扰和纠缠所需的量子应用所需的寿命极限。我们的工作强调了晶格质量对于在HBN中实现相干量子发射器的至关重要性,尽管人们普遍认为HBN晶格和HBN SPE非常稳定,并且对化学和热降解具有弹性。它强调了对纳米制作技术的需求,这些技术在工程HBN SPES和量子交联技术的设备上时避免了晶体损伤。
