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未来几年，我们将掌握临界尺寸在 30 纳米 - 150 纳米数量级的纳米电子和光子微结构。电子和离子光刻技术可以满足进一步电子设备小型化挑战的要求。定量估计光刻胶改性参数 [I] 是优化电子和离子光刻曝光以及相关的显影过程的重要一步。由于光刻胶层的聚合物分子发生交联或断裂，溶解率在辐照后会发生变化。经过适当溶剂（显影剂）的适当显影过程后，可以观察到光刻胶层中的浮雕微结构。在显影过程中，正光刻胶的辐照区域和负光刻胶的相反区域（未辐照区域）被去除。辐照点的溶解率变化取决于所使用的曝光剂量。聚合物光刻胶对辐射（电子束和离子束）的敏感度是通过曝光图像显影过程中的最小剂量 Do 来衡量的。光刻胶的敏感度由辐射粒子的辐射效率决定，辐射效率可以用吸收能量每单位（即电子伏特）的平均化学事件数（断链或破坏）来表征。在高分辨率电子束和离子束光刻领域，非常重要的一点是
辐射效率、对比度和...的测定
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