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航空电子的完全可靠性 - Gore
GORE ® 航空高速数据电缆专为苛刻的飞机条件而设计，可提供出色的信号完整性，以小巧轻便的封装实现可靠的数据传输。它们满足甚至超越了航空电子网络、客舱/飞行管理系统、数字视频系统、机上娱乐和连接 (IFEC) 等应用的严格行业要求。此外，Gore 的高速铜缆和光纤解决方案支持最新的开源架构和标准化协议，如以太网、USB、HDMI、光纤通道等。
医学微电子的高级包装
研讨会计划国际微电子议会和包装协会（IMAPS）将于2月2日至3日在西丁圣地亚哥湾景酒店举行的医疗微电子供高级包装上举办高级技术研讨会。研讨会将与有兴趣应用高级包装方法的生命科学专家一起将技术人员聚集在一起，以实现下一代医学微电子设备。与会者和参展商将接触到各种各样的学科，以鼓励涉及技术，产品，策略，当前和新兴市场以及合作的讨论。这项为期两天的活动将吸引受邀的医学，医疗设备，生物材料，微电子，半导体包装和产品组件的专家。2月2日，星期四，上午8:00 - 下午6:00注册
可植入神经电子的高级材料
图2。提高生物相容性的材料策略。（a）左：植入的纳米电螺纹（NET）阵列的微型计算机（CT）扫描在大鼠大脑中，该阵列由八个128通道模块（总数为1,024个通道），高3D密度。紫色立方体突出显示网阵列。右：嵌入皮质组织中的3D NET阵列的原理图。（b）Micro-CT扫描显示了小鼠视觉皮层中8×8×16（1,024通道）的净阵列的体积分布。（a，b）在参考文献[12]的许可下改编。（c）金膜和铂丝酮复合材料的植入物和扫描电子显微照片的光学图像。（d）热图和条形图显示标准化的星形胶质细胞和小胶质细胞密度。（c，d）在参考文献[13]的许可下改编。（e）示意图，显示了纳米导导凝胶（CGS）和MicroCGS的制造。混合了藻酸盐溶液，石墨毡（GFS）和/或碳纳米管（CNT），并立即交联以创建纳米含量（顶部）。当混合溶液为
太空电子的1N-SQB-BTP系列武器系统...
建立了我们101-5HJ系列单渠道单渠道点火器电路测试人员的成功，并在过去40年中没有单个意外爆炸的情况下提供了5,000多个工具，现在，太空电子现在提供了1N-SQB-BTP系列的1N-SQB-BTP系列，由多型电动机的多型电动机组成的多型仪式控制器。这些全自动电路测试仪用于测试火箭点火器，保险丝，爆炸性螺栓，刺激性，爆破盖，位测试线和电动组件线（继电器，执行器，二极管，半导体设备），大大降低了无及高度准确性的事故爆炸的风险。
NSF 与半导体和微电子的未来
• 利用现有计划立即向前迈进 • 从社区学院和少数民族服务机构 (MSI) 开始，扩大面向半导体设计和制造领域多元化人才的奖学金和助学金 • 加强对未来半导体和微电子领域的研究，
多层和多材料电子的3D打印
guo liang goh 1，*，Haining Zhang 2，Tzyy Haur Chong 3,4，Wai Yee Yeong 1，***通讯作者电子邮件：guoliang.goh@ntu.edu.edu.edu.edu.edu.sg G. L. Goh博士，新加坡中心，1新加坡中心，3D印刷，机械和航空工程学的1个新加坡工具，新纽约市，6399。9393。1399。9393。9399。9393。H。Zhang教授，2，Kunming科学技术大学机械和电气工程学院，Kunming 650500，中国1新加坡3D印刷中心，机械与航空航天工程学院，Nanyang Technological University，639798，639798，新加坡技术中心，新加坡技术中心，新加坡技术中心（ 637141 4 Nanyang Technological University，Singapore 639798 *通讯作者电子邮件：wyyeong@ntu.edu.sg aSsoc。W. Y. Yeong教授1新加坡3D印刷中心，机械和航空航天工程学院，南南技术大学，639798，新加坡关键字：添加剂制造，3D打印，印刷电子学，多物质，多物质，后处理，后处理，表面处理，表面处理
强激光加速电子的能量增益...
本文讨论了在具有静态均匀磁场 B ∗ 的等离子体中用激光脉冲加速电子。激光脉冲垂直于磁场线传播，其极化选择为 (E 激光 · B ∗ ) = 0。本文重点研究具有可观初始横向动量的电子，这些电子由于强烈的失相，在没有磁场的情况下无法从激光中获得大量能量。结果表明，磁场可以通过旋转这样的电子来引起能量增加，从而使其动量变为向前。能量增益在这个转折点之后仍会持续，在此转折点处失相会降至一个非常小的值。与纯真空加速的情况相反，电子会经历快速的能量增加，通过分析得出的最大能量增益取决于磁场强度和波的相速度。磁场增强的能量在高激光振幅（a 0 ≫ 1）下非常有用，此时与真空中的加速度类似的加速度无法在数十微米的范围内产生高能电子。强磁场有助于在不显著增加相互作用长度的情况下增加 a 0。
微电子的现代复兴摘要
简历：Jonathan Bird 于 2004 年秋季加入布法罗大学 (UB) 电气工程系担任教授。目前，他是该系主任和 UB 先进半导体技术中心主任。此外，他还担任日本千叶大学的客座教授。Jonathan 分别于 1986 年和 1990 年获得萨塞克斯大学 (英国) 物理学学士 (一等荣誉) 和博士学位。1991 年至 1992 年，他担任筑波大学 (日本) 的 JSPS 客座研究员，之后他加入了物理和化学研究所 (RIKEN，也在日本) 的前沿研究计划。1997 年，他被任命为亚利桑那州立大学电气工程系副教授，在那里工作了七年，之后加入 UB。Bird 教授的研究领域是纳米电子学。
探索铬掺杂对电子的影响......
Cr% Δ E (meV) 稳定相 M Tot ( μB ) M Al ( μB ) M Cr ( μB ) M Sb ( μB ) 4 0.00026 铁 0.11671 0.00163 3.13973 -0.02824 8 0.00146 铁 0.23694 0.00338 3.1305 -0.05262 12 0.00313 铁 0.35691 0.00504 3.12125 -0.07593 16 0.00517 铁 0.47674 0.00663 3.11375 -0.09868 20 0.00753 铁0.59647 0.00817 3.10763 -0.12114 24 0.00095 铁磁 0.71616 0.00969 3.10249 -0.14348 此外，图3显示了Cr掺杂AlSb的配置，其表现出正的ΔE，表明其在铁磁状态下比在反铁磁状态下更稳定。图3中的分析表明，不仅杂质的3d态，而且Sb的4p态也对费米能级有显着贡献。AlSb和Cr的共掺杂表明铁磁稳定基于具有强pd杂化的双交换机制。此外，图3显示了计算出的Cr掺杂闪锌矿AlSb的居里温度（TC）。结果表明，这两种过渡金属在室温以上都有较高的TC值。值得注意的是，钒的TC高于钛，达到750K。而且，图上显示TC随掺杂浓度的增加而增加。
微电子的血浆| IEE NPSS
图5：硅等离子体蚀刻的示意图。在光孔中的模式转移到SIO 2（SIO 2）中（此处未显示，也使用等离子体蚀刻）后，硅（Si）暴露于AR /Cl 2 /O 2等离子体。Cl 2仅攻击SI而不是SIO 2。在蚀刻线时，将暴露的Si侧壁氧化：血浆中的氧与Si形成SiO 2的薄层Si结合。此“氧化物”层可保护侧壁免受Cl 2蚀刻。该特征的底部也被氧化。，但氩离子（AR+）垂直加速了RF偏置打击仅特征的底部（而不是侧面）去除薄氧化物层并暴露基础的Si（XSI），以将其蚀刻为Cl 2。暴露的硅（XSI）被氯原子蚀刻，从而释放了气态SICL 4。（来源：TEL）