我们研究了使用Lindblad-Von Neumann Master方程形式主义在耗散存在的情况下,在耗散存在下,石墨烯纳米容器具有扶手椅边缘的光电导率响应。我们建议通过用光线沿纳米替宾的有限方向线性极化的光照明系统来控制传输性能,同时沿着扩展方向进行探测。我们证明,最大的稳态光电流是针对与纳米替比宽度成正比的电子带隙略有蓝色的驱动频率。我们比较了在相干和不连贯的光线下的光电导率,得出的结论是,蓝色驱动驾驶的光电导率的增强取决于驾驶项的连贯性。基于此结果,我们提出了一个切换协议,以在几个picseconds的时间尺度上快速控制光电流。此外,我们建议设计用于石墨烯纳米甲和高t c超导体的异质结构的设计,该设计是作为晶体管运行的,作为迈向下一代相干电子设备的一步。
由于其优异的电导率、热稳定性和机械强度,嵌入石墨烯纳米片 (GNP) 的环氧复合材料被研究用作电化学传感应用中的电极材料的潜在用途。在这项研究中,使用三辊技术将石墨烯纳米片与环氧树脂基质(即 Epon 828)一起加工。环氧树脂基质中含有 0.5 至 5 wt.% 石墨烯纳米片的复合材料通过 3 和 5 wt.% 石墨烯纳米片的电化学过程进行表征;观察到显著的电化学性能。在使用 Na2SO4 作为电解质的循环伏安法研究中,加入石墨烯显著增强了电极材料的性能。电导率研究表明,1 wt.% 石墨烯纳米片的渗透阈值,电导率进一步增加,证实了该复合材料作为海水中硫脲电化学传感电极材料的有效性。通过循环伏安法分析验证了环氧-石墨烯电极的灵敏度和选择性令人满意。
在电磁干扰屏蔽、天线和电化学能存储与转换电极等应用中,MXene 薄膜需要具有高电导率。由于采用基于酸蚀的合成方法,因此很难分解化学成分和薄片尺寸等因素对电阻率的相对重要性。为了了解内在和外在因素对宏观电子传输特性的贡献,对 Ti y Nb 2- y CT x 系统中的固溶体进行了控制成分和结构参数的系统研究。特别是,我们研究了金属(M)位成分、薄片尺寸和 d 间距对宏观传输的不同作用。硬 x 射线光电子能谱和光谱椭圆偏振法揭示了 M 位合金化引起的电子结构变化。与光谱结果一致,低温和室温电导率以及有效载流子迁移率与 Ti 含量相关,而薄片尺寸和 d 间距的影响在低温传输中最为突出。该结果为设计和制造具有广泛电导率的 MXene 提供了指导。
一维(1D)固体的电导率相对于其长度表现出指数衰减,这是定位现象的众所周知的表现。在这项研究中,我们介绍了将一维半导体插入单模电磁腔所产生的电导率改变,并特别集中在非排定掺杂的状态上。我们的方法采用了绿色的功能技术,适用于对腔体激发状态的非扰动考虑。这包含相干的电子腔效应,例如零点爆发场中的电子运动,以及在隧道过程中的不一致的光子发射过程。跨腔的电子传递的能量谱发育与虚拟光子发射,沿谐振水平的通过以及光子重吸收相关的FANO型共振。FANO共振的质量因素取决于中间状态是否耦合到铅,当该状态深入障碍潜力中时达到最大值。耦合到空腔也提高了浅结合状态的能量,使它们接近传导带的底部。这种作用导致低温下电导率的增强。
氮化铝(ALN)是由于其高热电导率高的3D集成电路(IC)的热管理材料。然而,在低温下生长的Aln薄膜中实现了高温的高温电导率,这对后端(Beol)兼容性构成了显着的挑战。这项研究报告了高温度SIO 2底物在低温(<200°C)下在低温(<200°C)下降低的近300 nm厚的Alnfms溅射,接近90 wm-1 K-1的高平面热电导率。探索了跨平面与平面导热率,质地,晶粒尺寸,氧含量,Al:N原子比和这些纤维的热边界电导之间的相关性。这些发现揭示了晶粒方向对齐在达到高导热率和高热边界电导方面的关键作用。使用X射线差异引入了一种方法来有效地监测Aln薄膜的导热率。这项研究提供了有价值的见解,可以帮助在半导体生产线上实施有效的热管理材料。
摘要:装有碳基材料的导电聚合物复合材料(CPC)被广泛用于抗固定,电磁干扰屏蔽和可穿戴电子设备的领域。CPC具有碳基填充的电导率反映了其电渗透行为,并且是该领域研究的重点。与实验方法相比,蒙特卡洛模拟可以预测电导率,并分析从微观角度使用影响电导率的因素,从而大大减少了实验的数量,并为导电聚合物的结构设计提供了基础。本评论的重点是具有碳基填充的CPC的蒙特卡洛模型。首先,引入了模型构造的理论基础,并对球形,杆,磁盘和混合填充聚合物的电渗透行为进行了蒙特卡洛模拟,并分析影响从微观观点的电气渗透行为的因素。此外,本文总结了与实际应用更相关的聚合物压电模型和聚合物泡沫结构模型的进展;最后,我们讨论了具有碳基填充物的现有蒙特卡洛模型的缺点和未来的研究趋势。
lifsi在20-40°C的温度范围内与LIPF 6相比,电导率提高了10%。t(li+)为0.50,高于LIPF 6的0.30。