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EC5534I-G (AS34-G) 数据表 - DALINCOM
� 应用信息 产品描述 EC5534 轨到轨四通道放大器采用先进的高压 CMOS 工艺制造。其超轨输入能力和全摆幅输出范围使其成为广泛通用应用的理想放大器。3.2V/µS 高压摆率、快速稳定时间、3.5MHz GBWP 以及高输出驱动能力等特性已证明 EC5534 是 TFT-LCD 应用的良好电压参考缓冲器。高相位裕度使 EC5534 成为高驱动应用的电压跟随器连接模式的理想选择 电源电压、输入范围和输出摆幅 EC5534 可在 4.5V 至 18V 的单个标称宽电源电压下运行，在 -40 °C 至 +85 °C 的工作温度下性能稳定。EC5534 具有比轨到轨输入共模电压范围大 500mV 和共模抑制比为 70dB 的特性，允许在许多应用中进行宽范围感测，而无需担心超出范围，也不会影响准确性。EC5534 的输出摆幅通常延伸到正负电源轨 80mV 以内，负载电流为 5mA。只需降低负载电流，输出电压摆幅就可以更接近电源轨。图 1 显示了单位增益配置中设备的输入和输出波形。放大器在 ±5V 电源下工作，10k Ω 负载连接到 GND。输入为 10Vp-p 正弦波。可以轻松实现约 9.985 Vp-p 的输出电压摆幅。
Vectron Space 和高可靠性频率控制...
• 无需 OEM SCD 或自定义部件编号 • 订购代码定义 EEE 谱系和 QA 级别 • MIL-PRF-55310/38534 等效筛选选项 • 明确定义有源设备的辐射耐受性 • 多种封装、输出和电源电压选项 • 无需额外的平台资格 • 更短的交货时间和更低的总体成本 • 提高设计效率（BOM 创建和输入） • 支持标准构建/筛选/测试文档 • 鼓励高可靠性流程一致性 • 采购和制造规模经济 • 修订“实时”发布到 Vectron 网站 • 利用超额快速设计 • 设计飞行传统
NSi8100/NSi8101：高可靠性双向 I2C 隔离器
产品概述 NSi810x 器件是与 I 2 C 接口兼容的高可靠性双向隔离器。NSi810x 器件符合 AEC- Q100 标准。NSi810x 器件通过 UL1577 安全认证，支持多种绝缘耐压（3.75kVrms、5kVrms），同时在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。NSi810x 的 I 2 C 时钟高达 2MHz，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 高达 150kV/us。NSi810x 器件的宽电源电压支持直接与大多数数字接口连接，易于进行电平转换。高系统级 EMC 性能增强
符合 EMC 标准的隔离式 2 通道二进制或数字输入模块，适用于宽范围 AC/DC 输入参考设计 (Rev. A)
使用隔离电源推挽驱动器 SN6501DBV 生成 MCU、数字隔离器和用于感测二进制输入的信号调节电路的隔离电源。本应用使用的变压器是 750313638。选择的变压器封装具有 > 5 kV 的隔离电压。选择更大的变压器封装便于轻松迁移到增强型隔离器。齐纳二极管 PTZTE253.9B 用于保护电源免受过压和 ESD 的影响。隔离电源采用单个 3.3 V 输入运行。主机接口为二进制模块运行提供所需的电源。LDO TPS70933DBVT 用于改善 ADC 动态范围和输出电源电压的准确性。
NSI8020/NSI8021：高可靠性双通道数字...
NSI802x器件是高可靠性双通道数字隔离器。NSI802x器件通过UL1577安全认证，支持3kV rms绝缘耐压，同时在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。NSI802x的数据速率高达10M bps，共模瞬态抗扰度（CMTI）高达1 0 0kV / us。NSI802x器件提供数字通道方向配置和输入电源丢失时的默认输出电平配置。NSI802x器件的宽电源电压支持直接与大多数数字接口连接，易于进行电平转换。高系统级EMC性能增强了使用的可靠性和稳定性。
摘要 本文提出了一种基于开关电容的CMOS带隙基准源，采用温度补偿的方法，实现了较好的温度稳定性。
本文提出了一种基于开关电容的CMOS带隙基准源。利用开关电容，可以将两个一阶补偿基准电压组合起来，从而实现具有较低温度系数的新型基准电压。所提出的设计电路采用0.18μm CMOS工艺实现。在-40℃至120℃范围内，1.8V电源电压下基准输出电压的TC为14.5ppm/℃。所提出的基准电压为0.235V，开关电容操作引起的纹波电压为700μV。结果表明，本文描述的带隙基准源实现了比其他工作更好的TC，适用于
一种高效绝热 4 位阵列乘法器，适用于低功耗...
摘要 本研究提出了一种创新技术，基于一种高效的低功耗 VLSI 方法，设计用于信号和图像处理中混频电路应用的 4 位阵列乘法器。建议的架构使用近阈值区域的绝热方法来优化传播延迟和功耗之间的权衡。乘法器是许多数字电子环境中必不可少的组件，因此诞生了许多针对特定应用定制的乘法器类型。与传统 CMOS 技术相比，该技术显著降低了动态和静态功耗。近阈值绝热逻辑 (NTAL) 使用单个时变电源实现，从而简化了时钟树管理并提高了能源效率。使用 Tanner EDA 工具和 Spectre 模拟器在 TSMC 65 nm 技术节点上对建议的设计进行仿真，以确保验证优化结果。与典型的 CMOS 方法相比，在保持相似设计参数的情况下，可变频率、电源电压和负载电容的功耗分别显著改善了约 66.6%、14.4% 和 64.6%。值得注意的是，随着频率变化，负载电容保持恒定在 C load = 10 pF 和 VDD (max) = 1.2 V；随着电源电压变化，负载电容保持恒定在 C load = 10 pF 和频率 F = 4 GHz；随着负载电容变化，频率保持在 F = 4 GHz 和电源电压 VDD (max) = 1.2 V。关键词：- 4 位阵列乘法器、绝热逻辑、低功耗 VLSI、近阈值区域、NTAL 方法、TSMC 65 nm CMOS 技术、混频器电路、信号和图像处理、能源效率、Tanner EDA、Spectre 模拟器和功耗优化。
低功率的有效的绝热4位阵列乘数...
摘要这项研究为基于有效的低功率VLSI方法设计了一种在信号和图像处理中设计的4位阵列乘数的创新技术。建议的架构使用近阈值区域的绝热方法来优化传播延迟和耗能之间的权衡。乘数是许多数字电子环境中必不可少的组成部分，导致了许多针对某些应用程序定制的乘数类型的诞生。与传统的CMOS技术相比，该技术大大降低了动态和静态功率耗散。接近阈值绝热逻辑（NTAL）是使用单个时间变化的电源实现的，这简化了时钟树的管理并提高了能源效率。使用Tanner EDA工具和幽灵模拟器在TSMC 65 nm技术节点上模拟了建议的设计，并确保验证了优化的结果。与典型的CMOS方法相比，在保持相似的设计参数的同时，可变频率，电源电压和负载电容的功率耗散大约有66.6％，14.4％和64.6％的显着提高。值得注意的是，随着频率变化，负载电容在C负载= 10 pf和vdd（max）= 1.2 V时保持恒定。随着电源电压的变化，负载电容在C负载= 10 pf时保持恒定，而频率为f = 4 GHz； and with load capacitance variation, the frequency is maintained at F = 4 GHz and the supply voltage at VDD (max) = 1.2 V. Keywords: - 4-bit array multiplier, adiabatic logic, low-power VLSI, Near Threshold Region, NTAL approach, TSMC 65 nm CMOS technology, mixer circuit, signal and image processing, energy efficiency, Tanner EDA, Spectre simulator, and功率耗散优化。