量子计算技术的最新进展已导致嘈杂的中间量子量子计算机(NISQ 1)的实现,其性能出色。2–8但是,NISQ设备只是迈向实现量表的通用量子计算机的一半。这不可避免地需要支撑量子校正(QEC)的逻辑单元,9一个目标,其成就超出原理级别的成就似乎与当前的技术能力相距甚远。的确,基于多量表编码的标准QEC代码会大大增加物理量子和操作的数量,从而使对这种平台的控制非常苛刻。在这里,我们基于利用罪恶的多级对象来编码受错误保护的逻辑量子的基础,采用不同的方法。10
b'for \ xce \ xb2,\ xce \ xb3 \ xe2 \ x88 \ x88 \ x88 \ xce \ x93。我们可以将其视为将标签的中心移至\ xce \ xb2 \ xe2 \ x88 \ x92 1。我们说,如果\ xce \ xb2 \ xb2 \ xe2 \ xe2 \ x88 \ x88 \ x88 \ x88 \ x97 \ x97 \ xc2 \ xc2 \ xc2 \ xc2 \ xc2 \ xc2 \ xb5, \ xe2 \ x88 \ x88 \ xce \ x93,其中\ xce \ xb2 \ xe2 \ x88 \ x97表示pushforward。我们用prob \ xce \ x93(a \ xce \ x93)表示一组移位不变的概率度量。如果V是\ XEF \ XAC \ X81NITE集,我们可以考虑来自\ XCE \ X93的同构的SET HOM(\ XCE \ X93,SYM(V))到V的排列组。此集合有可能为空。Given \xcf\x83 \xe2\x88\x88 Hom(\xce\x93 , Sym( V )), we write the permutation which is the image of \xce\xb3 \xe2\x88\x88 \xce\x93 by \xcf\x83 \xce\xb3 .我们可以将导向图与\ xcf \ x83与Vertex Set V和I -LabeLed Edge(V,\ XCF \ X83 S I(V))相关联,每个I \ Xe2 \ X88 \ X88 \ X88 [R]和V \ XE2 \ X88 \ X88 \ X88 \ x88 v。任何\ xcf \ x83的图形都可以被认为是一个局部看起来像\ xce \ x93的\ xef \ xac \ x81nite系统,就像局部的大矩形网格看起来像Integer lattice Z r一样。\ xce \ x93或某些\ xcf \ x83的图可以具有自然的图形距离:一对顶点之间的距离是de \ xef \ xac \ x81,是它们之间的最小边数,忽略边缘方向。Let B \xcf\x83 ( v, R ) denote the closed radius- R ball centered at v \xe2\x88\x88 V , and similarly de\xef\xac\x81ne B \xce\x93 ( \xce\xb3, R ) for \xce\xb3 \xe2\x88\x88 \ xce \ x93。let \ xcf \ x83 \ xe2 \ x88 \ x88 hom(\ xce \ x93,sym(v))和x \ xe2 \ x88 \ x88 a v。\ xef \ xac \ x81nite与\ xef \ xac \ x81nite系统之间的对应关系是使用em-pirical Distributions建立的,我们现在是我们现在de \ xef \ xaC \ xac \ x81ne。对于任何V \ Xe2 \ x88 \ x88 V,有一种自然的方法可以将X提升到标签\ XCE \ XA0 \ XCF \ XCF \ X83 V X \ XE2 \ X88 \ X88 A \ XCE \ XCE \ X93,从将X V提起到根e。更准确地说,\ xce \ xa0 \ xcf \ x83 v x(\ xce \ xb3)= x \ xcf \ x83 \ xce \ xce \ xb3(v)。
Josephson隧道连接是几乎所有超导电子电路(包括Qubits)的核心。典型地,使用阴影蒸发技术制造了量子位的连接处,以减少超导纤维界面的介电损耗贡献。近年来,亚微米量表重叠连接开始引起人们的注意。与阴影蒙版技术相比,不需要角度依赖性沉积,也不需要独立的桥梁或重叠,这对于晶圆尺度处理而言是显着的局限性。这是以在制造过程中打破真空的成本,但简化了在多层电路中的集成,实现截然不同的连接尺寸,并可以在工业标准的过程中更大规模地制造。在这项工作中,我们证明了减法过程用于制造重叠连接的可行性。在一系列测试接触中,我们发现6个月内平均正常状态阻力的低老化仅为1.6%。我们通过将它们用于超导式的transmon量子位来评估连贯性。在时间域实验中,我们发现,最好的设备的量子寿命和相干时间平均大于20µs。最后,我们讨论了我们技术的潜在改进。这项工作铺平了迈向更标准化的过程,并具有材料和生长过程,这是大规模制造超导量子电路的重要步骤。
分子和冷凝系统中的电子旋转是量子信息的存储和过程的重要资源1。在过去的几十年中,在宽带间隙半导体和绝缘子中进行了几种自旋缺陷,在钻石2,碳化硅3,4和硝酸铝5,6中进行了广泛研究。自旋缺陷的原型示例是钻石7-12中的负氮氮 - 脱牙中心(NV)中心。NV中心在室温13处表现出具有长旋连贯性时间的自旋三个基态。电子自旋的不同自旋状态可用于编码量子信息,并且自旋状态之间的过渡可以由微波炉驱动。迄今为止,自旋缺陷发现在典型科学和尖端量子技术中都有许多应用。例如,已使用自旋缺陷来证明量子力学的基础原理,例如浆果期14
芯片贴装是集成电路 (IC) 封装工艺中最关键的工艺之一。过去几年,芯片厚度越薄,漏源导通电阻 RDS(on) 越小,顶部金属和焊盘之间的硅电阻越低,散热性能越好,堆叠封装厚度越薄,重量越轻,这些要求就越高。这种三维技术代表了封装创新的下一波浪潮,并将在未来几年内实现大幅增长 (Ibrahim 等人,2007 年)。这些趋势对现有的电子封装技术(主要是芯片拾取工艺)提出了相当大的挑战。必须特别注意处理更薄芯片的工艺,以确保半导体产品的可靠性和质量 (Huiqiang 等人,2015 年;Carine 等人,2014 年)。
在本报告中,我们记录了 WR15 矩形波导标准的模型和尺寸可追溯性,用于使用矢量网络分析仪执行 50 GHz 至 75 GHz 的多线直通反射线校准。我们确定了传输线标准模型中使用的方程,并提出了一种使用闭式解确定波导金属电导率的方法,该解将其与传播常数相关联。接下来,我们详细介绍了 WR15 传输线标准的可追溯尺寸测量和相关不确定性。最后,我们描述了如何使用我们的软件 NIST 微波不确定性框架来实现校准标准的物理模型,并将这些系统不确定性传播到被测设备的校准散射参数。我们提供了一个测量示例以供说明。
光学显微镜显示蚀刻后表面清晰无特征。总之,我们描述了一种制造可靠、易于去除的高能高剂量离子注入掩模的新工艺。要注入的样品以额外的 AIGaAs 金属剥离层作为表面层,在其上通过常规光刻胶剥离技术对金属掩模进行图案化。注入后,通过使用 HCl 选择性蚀刻 AIGaAs 来去除 AIGaAs 金属剥离层和金属掩模。由于 HCl 的选择性,在去除金属掩模期间底层外延结构不会受损。这项工作得到了国家科学基金会化合物半导体微电子工程研究中心 (CDR-85-22666)、材料研究实验室 (DMR-86-12860) 和海军研究实验室 (NOOO14-88-K-2oo5) 的支持。
