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World File Search System硅化钼
基于钼的钼（MOS2）柔性纳米生成器的最新进展：包容性评论
在新时代的能源消耗和结构随着物联网（IoT）和人工智能的增长而发生了变化，数十亿分散的小工具和传感器的功率来源在全球范围内引发了人们的注意以保护环境。由于不可再生能源的使用量增加以及由此产生的环境损害，研究人员正在研究可以利用环境的替代能源系统。因此，通过使用未充分利用的自然废物能源（NGS），可以使用自给自足的小型电子系统。所使用的Ma terials的特征对NGS的工作效果有重大影响。在这方面，二硫化钼（MOS 2）是一种2D材料，是当今讨论的化合物之一，因为它的出色特征使其在各种应用中都有用。已经发表了许多有关MOS 2材料的进步和实施的研究论文，但本文将提供深入的概述。它提供了2D MOS 2纳米材料的主要特性的介绍和解释，从当前状态，属性和各种合成过程开始。后来，审查集中于MOS 2应用和能量收获的CAPA能力，并根据2D MOS 2纳米复合材料进行了对压电，底压和热纳米生成剂的全面研究。
高级硅化丙烯酸厨房和浴室密封剂
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关于中子辐照钼的讨论
空洞和空位环形成的概率几乎相等。空洞或空位环在何种条件下形成尚待推测；一般认为，除非有空洞成核位点且杂质原子稳定，否则不会形成空洞。如果不满足这些条件，原本会形成空洞的空位（或空洞胚胎）要么迁移到稳定的缺陷凹陷，即空位环，要么保持亚稳态瞬态配置。虽然后一种情况发生的概率较小，但本研究结果似乎支持其发生。当样品在辐照后冷却至室温时，这种配置可以保留，随后在相对较低的温度下重新加热时退火。
超出的钼基于二硫化物的电催化剂...
2 School of Mechanical and Aerospace Engineering, Nanyang Technological University, 639798, Singapore 3 University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China 4 Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea 5 SUNCAT Center for Interface Science and Catalysis, Department of Chemical Engineering, Stanford University, California 94305, USA 6 Cintra CNRS/NTU/Thales，Umi 3288，研究技术广场，637553，新加坡7催化理论中心，丹麦技术大学物理学系，丹麦林格比，丹麦2820 8材料学院，Sun Yat-Sen University，Sun Yat-Sen University，Sun Yat-Sen University，Sun Yat-Sen University，Puangzhou 510275，Cungzhou 510275 Nanyang Technological University Electronic Engineering，639798，新加坡†同等贡献通讯作者。*Byungchan Han：bchan@yonsei.ac.kr; ** pingqi gao：gaopq3@mail.sysu.edu.cn; *** hong li：ehongli@ntu.edu.sg电话：+0065 6790 5519
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
致密碳化硼基陶瓷的强韧化机理研究进展
Liu 等 [36] 在 1950 ℃ 和 50 MPa 压力的 SPS 过 程中，发现随着 TiB 2 的添加量由 5 mol% 增至 30 mol% ，复合陶瓷的硬度降低，断裂韧性增加。 除裂纹偏转和 TiB 2 的钉扎效应使 B 4 C 晶粒细化 ( 从 1.91 μm 减至 1.67 μm) 外，两相间位错的产生， 是 B 4 C 陶瓷增强、增韧的次要原因，其在陶瓷断 裂前吸收能量，造成局部强化 [37–38] 。研究发现， 添加 20 mol% TiB 2 时，复合陶瓷的相对密度为 97.91% ，维氏硬度为 (29.82±0.14) GPa ，断裂韧性 为 (3.70±0.08) MPa·m 1/2 。 3.1.2 Ti 单质引入 与直接添加 TiB 2 相比，在烧结过程中原位反 应生成 TiB 2 可以在较低的烧结温度下获得更高 的密度和更好的机械性能。 Gorle 等 [39] 将 Ti-B( 原 子比 1:2) 混合粉体以 5 wt.% 、 10 wt.% 和 20 wt.% 的比例加入到 B 4 C 粉末中，研磨 4 h 后通过 SPS 在 1400 ℃ 下获得致密的 B 4 C 复合陶瓷。由于 WC 污染，获得了由被 (Ti 0.9 W 0.1 )B 2 和 W 2 B 5 的细颗粒 包裹的 B 4 C 颗粒组成的无孔微结构。当 Ti-B 混合 物的量从 5 wt.% 增至 20 wt.% 时，烧结活化能从 234 kJ·mol −1 降至 155 kJ·mol −1 。含 5 wt.% Ti-B 混 合物的 B 4 C 复合材料的最大硬度为 (3225±218) HV 。由于 TiB 2 的原位形成反应是高 度放热并释放大量能量的自蔓延反应，因此，原 料颗粒界面间的实际温度预计高于 SPS 烧结温 度，同时，液相 W 2 B 5 的形成润湿了 B 4 C 表面， 有助于降低 B 4 C 晶粒的界面能，并加速了沿晶界
高纯度钼和钨铜复合材料
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无氧化物硅表面的功能化及其在生物传感中的应用
信息和通信技术在近几十年来的发展使得这种技术成为可能。今天我们可能面临着类似的情况，微电子技术即将用于生物系统，但半导体与生物环境之间的信号交换仍然受富含缺陷的界面的影响。半导体技术的快速发展也体现在新型微型生物传感器 [1–3] 上，微技术与纳米技术大大提高了生物传感器的灵敏度和性能。纳米生物传感器因较高的表面积与体积比 [4] 而受益于高效的转导机制，并且由于较低的分数维数，理论上分析物扩散速度更快。 [5] 此外，生物相容性、标准化制造工艺和广泛可用的生物功能化协议使纳米硅在许多方面成为生化传感的理想基材。由于硅器件的小型化，表面特性和表面功能化变得越来越重要，通过它们可以调整半导体器件的特性。对各种硅基底（如晶体硅、多孔硅或具有明确有机膜的纳米线）进行化学功能化，可能会显著改变其表面润湿性，[6] 可能会产生掺杂效应，[7] 并允许将分子线集成到传统半导体技术中。[8] 虽然微型硅基底的功能化提供了许多机会来根据您的需求调整其特性，但将生物分子固定在纳米级结构上有时可能具有挑战性。 这可能是由于生物分子在多孔基底的纳米孔中的扩散有限，或者在具有纳米级曲率的表面上不太容易形成明确界定的分子层。 [9]