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World File Search System硅原子
采用远程等离子体辅助氢解吸和乙硅烷作为前驱体的硅原子层外延
沉积 (RPCVD) 系统以尽量减少表面损伤。起始表面是二氢化物和一氢化物终止的组合。ALE 实验周期包括用等离子体中的氦离子轰击基底 1-3 分钟以使其解吸，然后在无等离子体激发的情况下，在一定分压范围（1&- 7 Torr 至 1.67 mTorr）、温度范围（250 0 C-400 0 C）和时间范围（20 秒至 3 分钟）内用乙硅烷对表面进行剂量控制，以自限制方式将 Si2H6 吸附在轰击产生的裸露表面 Si 原子上，形成硅基 (SiH3) 物种，从而形成氢终止表面。在 3 分钟的轰击周期内，获得的最大生长量为每周期 0.44 个单层。随着轰击周期时间的减少，每周期的生长量减少，表明氢去除的百分比随着轰击时间的增加而减少。
制造技术简介
正如我们在第1.1.1节中讨论的那样，大多数集成电路都是用硅制造的。因此，我们的重点是制造硅设备。为制造设备，硅必须以结晶形式为没有任何缺陷。它必须非常纯净。仅允许PPB的命令（仅零件十亿）的杂质。 2.1.1硅硅的纯化在自然界中大量可用于Sio 2（Sand）的形式，该形式形成了地壳的20％。 冶金级硅（MGS）是通过在碳弧炉中还原（以岩石形式可用的Sio 2的晶体形式）获得的。 MGS电子级硅（EGS）的是通过蒸馏过程获得的。 例如，本质上是多晶。 它由1 ppb的杂质组成。 （每10亿或10 9硅原子1不良杂质）。 2.1.2晶体生长仅允许PPB的命令（仅零件十亿）的杂质。2.1.1硅硅的纯化在自然界中大量可用于Sio 2（Sand）的形式，该形式形成了地壳的20％。冶金级硅（MGS）是通过在碳弧炉中还原（以岩石形式可用的Sio 2的晶体形式）获得的。是通过蒸馏过程获得的。例如，本质上是多晶。它由1 ppb的杂质组成。（每10亿或10 9硅原子1不良杂质）。2.1.2晶体生长
有机硅提高能源效率并促进...
有机硅是一个通用术语，指的是一类合成聚合物，这种聚合物基于交替的硅和氧（硅氧烷）键的骨架，其中至少一个有机基团通过直接的碳-硅键连接到硅原子上。Si-O 主链赋予了有机硅独特的物理和化学性质。有机硅可以抵抗潮湿、化学物质、高温、低温和紫外线辐射。有机硅具有许多独特的性能，可以润滑、密封、粘合、脱模、消泡、扩散和封装。由于这些和其他特性，有机硅聚合物被用于建筑、消费品、电子、能源、医疗保健和交通等应用中的数千种产品。使用有机硅可以减少一次能源需求并促进向可再生能源的过渡。
氢化硅纳米片的氯化揭示......
摘要：据推测，通过 CaSi 2 拓扑脱插合成的二维硅纳米片 (Si-NS) 由 sp 3 杂化硅原子的弯曲层组成，这些硅原子与其他三个框架 Si 原子以及一个终端原子或功能团（例如 H、Cl 或 -OH 基）结合。在这里，我们应用 1 H{ 35 Cl} 和 29 Si{ 35 Cl} 共振回波饱和脉冲双共振 (RESPDOR) 固态 NMR 实验来直接确认 Si-NS 内氯化 Si 原子的存在。将观察到的 1 H{ 35 Cl} RESPDOR 失相绘制为 35 Cl 饱和脉冲偏移的函数，可以测量 35 Cl 中心跃迁 (CT) 四极粉末图和氯四极耦合常数 (CQ )。对 1 H{ 35 Cl} RESPDOR 失相曲线进行建模表明，Si-Si 层间距约为 6 Å。平面波 DFT 计算表明，Si-NS 的直接带隙跃迁随着氯化程度的增加而减小，这表明氯化是调整应用带隙的可行途径。
晶体管：影响和未来影响
外壳它们与相邻硅原子形成4个共价键。这将形成一个纯晶格，其中没有脱位的电子，并且是绝缘子。硅是一种半导体材料，因此可以通过称为“掺杂”的过程将杂质引入晶体结构来量身定制。最常用的元素是磷和硼。对于标准的NPN或PNP晶体管，术语PNP和NPN术语引用了其中的材料的布置。硅可以通过不存在电子的可移动正电荷（孔）进行操作，或者当结构中存在多余的电子时。用价3离子掺杂（例如Boron）（p-Type）在掺杂价5个离子时会产生带正电荷的材料（例如，磷）（N型）形成带负电的材料[3]。在它们之间的边界中产生一个负耗竭层，该层是由于负电荷相互驱除而阻止更多的电子通过。当通过第三端子将正电压应用于晶体管的底部时，耗尽层被否定，使电子自由流动并完成电路。虽然仍用作开关组件，但事实证明，晶体管在控制当前输入电容器的内存芯片中特别有用。此类存储的值提供了二进制表示的基础。与布尔代数一起，晶体管支撑着每个电子设备的功能。达灵顿晶体管可用于扩增电信号
纳米级
更多类似石墨烯的2D系统，例如Xenes和Xanes（其中x =硅，德语等），4 - 6个过渡金属二分法（例如，MOS 2，WS 2，Mose 2，WSE 2），7,8六角硼硝酸盐，9 mxenes（例如，过渡金属碳化物和硝酸盐），10个黑磷，11和2d钙钛矿12,13已合成。其中，硅纳米片由于与当前基于SI的纳米技术的预期兼容性而引起了极大的关注。硅纳米片在石墨烯类似硅烯之间存在分歧，该石墨烯类似硅由混合的SP 2 /SP 3-杂化硅原子组成，14和氢末端的石墨烯的类似物，所谓的硅烷，SP 3-氢化硅原子。15作为SP 3-杂交对硅的有利，16硅不稳定，因此仅在底物上外恋生长，例如，AG（111）或IR（111）。17 - 22通过在低温下用浓盐酸从ZINTL二相钙（CASI 2）从ZINTL相（CASI 2）的钙阳离子去钙阳离子来制备更稳定的硅硅烷（氢终止的硅质，SINS-H）。6 Sins-H具有独特的电子，机械和光学特性。根据理论研究，SINS-H是一种半导体材料23，具有应变带隙，24,25，而其原子
利用环境能量进行可持续运营...
太阳能电池由半导体制成。具体来说，它们具有三层，即P型和N型半导体的组合。顶层薄，由硅制成，其中包含少量元素，例如磷，其电子比硅更大。这使顶层过量的电子自由移动并使材料更具导电性。因此，顶层是N型。薄的底层还用硅制成，其中含有少量电子的硼或耐芯的硅。这使底层更少，可以自由移动，从而使底层的电子导电较少。因此，底层称为p型。中间层比顶层和底层厚，并且电子的材料略少一些，使材料略有p型[8-17]。通常由银制成的薄金属线印在顶层的顶部，铝板与底层接触。可以在下图（2）中找到太阳能电池的示意图。我们都知道阳光具有不同的波长并发出不同的波浪。有些波对我们来说是可见的，而有些波则没有，因为波长太长了，无法看见，例如推断红光，而某些波长太短了，无法看到诸如紫外线。对于太阳能电池，仅具有350-1140nm波长的光被其吸收。这些还包括可见的灯。松动的电子移至顶部N型层，而“孔”呈正电荷原子向底部的P型层移动。当阳光撞击细胞时，中间层吸收它，而光波则将电子从硅原子中裂开，这使电子损失并留下正电荷区域也称为“孔”。这种效应称为“光伏效应”，如果阳光撞击了细胞，则过程继续。现在将电子和“孔”分开到每一层，以及电线连接到顶部和底层时，使电子流动使电流流动[33-36]。在这个项目中，可以选择太阳能电池板作为能源之一，因为阳光可以到达地球上的大多数地方，尤其是在亚洲地区。使其达到微型尺寸，使其像可穿戴设备一样使其成为可能。
脉冲 HBr/O–2 等离子体中的硅蚀刻。II. 图案转移
由 HBr/O 2 组成的等离子体通常用于硅蚀刻工艺，如栅极蚀刻工艺或浅沟槽隔离蚀刻，由于人们对此类化学反应中的硅蚀刻相当了解，因此它成为研究等离子体脉冲对气相和等离子体-表面相互作用的影响的最佳选择。目标是了解连续等离子体和脉冲等离子体之间的根本区别，以及等离子体产生的变化如何影响最终的图案转移。在论文 I 中，我们展示了等离子体脉冲对离子通量和离子能量的强大影响。1 结果显示，占空比 (dc) 而不是脉冲频率对这些参数有显著影响。在本文中，我们重点研究等离子体脉冲对 HBr/O 2 等离子体中的蚀刻机制和图案转移的影响。先前的实验已经证明脉冲等离子体中等离子体引起的损伤有所减少，2 – 4 通常通过使用扫描电子显微镜 (SEM) 成像、椭圆偏振测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对侧壁钝化层 (SPL) 进行形貌分析。许多作者已经研究了 HBr/O 2 等离子体对硅和 SiO 2 的蚀刻机理。5 – 13 下面总结了 Si 和 SiO 2 蚀刻的基本机理，其中考虑了原料气中极小比例的氧气。含溴、氢和（较少量）氧的离子撞击硅表面、分解、破坏键并形成富含卤素的非晶层，也称为反应蚀刻层 (REL)，其中含有 H、Br 和一些 O 原子。非晶层的厚度和成分会根据离子能量、压力和原料气流量而变化。由于氢原子比其他粒子小得多，它们可以更深地渗透到硅层中，然后硅原子可以因碰撞而解吸，或可以融入挥发性物质，如 SiBr 4。含氢分子如 SiH 2 Br 2 的挥发性更强，13 但硅蚀刻并不
创建二维硅碳化物
通过将碳和硅添加到碳化物表面上，我的论文揭示了一种创建二维碳化硅碳化物的新方法，这种材料可能导致更有效的电子设备。如大多数人所知道的那样，今天的电子产品严重依赖硅。为了改善我们的设备，这些硅电子设备已变得越来越小，但现在已经达到了极限。想象一下，如果不使用庞大的三维结构，我们可以使用堆叠在一起的超薄原子。这些床单被称为二维（2D）材料，自2010年获得诺贝尔奖获奖石墨烯以来就引发了一波研究。石墨烯是一层碳原子，向我们展示了2D材料可以彻底改变技术，但它有局限性。例如，石墨烯没有带隙，这对于控制计算机等设备中的电流至关重要，我们需要清除开/关状态（例如管理汽车流量的交通信号灯）。此频段间隙对于创建二进制二进制（电流）和零（无电流）是计算机逻辑的基础至关重要。带有带隙的材料称为半导体，具有直接带隙的材料对于LED，激光器和太阳能电池等设备特别有用。直接带隙就像是一条井井有条的道路，在交通信号灯处停止后，允许汽车平稳，高效地加速，而间接的频段隙就像是一条扭曲的道路，使汽车需要更长的时间才能达到全速。建立在这一发现的基础上，我的目标是直接在TAC水晶上创建2D SIC。在我的研究中，我专注于创建一种新的2D材料：碳化硅（SIC），将硅原子和碳原子组合成单层。科学家认为，2D SIC可能是一个改变游戏规则的人，因为它具有直接的乐队差距，但使其非常具有挑战性。最近，一个突破表明，在顶部加热用薄薄的碳化物（TAC）加热碳化硅晶体可以帮助形成2D SIC。通过将碳和硅添加到加热的TAC表面，我成功形成了2D SIC。这种方法使我可以更好地控制编队过程，并更深入地了解2D SIC的成长方式。另外，通过调整碳的量，我可以在2D SIC的顶部创建石墨烯层。石墨烯的稳定性提高了将其用作2D SIC上的保护层的令人兴奋的可能性。未来的研究可以探索这种可能性。最重要的是，我的作品展示了一种创建2D SIC的新方法，使其更接近被用于下一代电子和光学设备。这可能会导致更快，更高效的技术，继续我们用硅取得的进步，但将其提升到一个新的水平。