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预测电池阴极的锂铁硫化物
公式V a（v）∆ V（％）E H（MEV）S C（MAH/G）S E（WH/kg）分解LI 2 FESO 2.33 -4.5 0.0 227.3 N/a Li 2 Fe 4 S 3 O 2 2.72-7.2.72-7.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.gre ∗ 2.56 -5.3 3.3 248.6 637.8 li 2 feso + li 2 fe 4 s 3 o 2 + li 2 s li 2 s li 2 s li 2 fe 2 fe 2 o 2 2.56 -10.0 3.4 193.1 496.1 496.0 li 2 feo 2 feo 2 fe 4 s 3 s 3 o 2 s 3 o 2 li 2 li 2 s 2 2 Fe 4 S 3 O 2 + li 2 S Li 4 Fe 3 S 3 O 2 2.55 -4 18.1 248.6 633.6 Li 2 Feso + Li 2 Fe 4 S 3 O 2 + Li 2 S Li 2 S Li 4 O 2.47 -3.8 30.5 236.5 236.8 585.4 Li 2 Fe 2 Fe 4 2.58 -6.9 38.6 140.5 363.4 Li 2 Fe 4 S 3 O 2 + Fes + Fes + Li 2 S Li 2 S Li 4 Fe 2 S 3 O 2.09 -5.5 45.8 213.0 445.5 Li 2 Li 2 Fe 2 + Li 2 S Li 2 Fe 3 S 3 O 2.44 -7.6 48.8 182.6 446.5 Li 2 Fe 4 S 3 O 2 + Fes + Fes + Li 2 S Li 2 S Li 6 Fes 3 O 2.28
硫化物电解质固态电池中氯替代的协同效应
全固态电池被认为是锂离子电池最有前途的竞争对手之一。固体电解质的两个广为人知的性能指标是离子电导率和稳定性。本文发现，通过硫化物基固体电解质中氯取代的协同效应，可以改善这两者。具体来说，通过增加对机械收缩引起的电压稳定性增强的敏感性，氯取代的硫化物固体电解质可以更好地抑制由本体分解和电极界面反应引起的不稳定性。因此，一些富氯锂银锑矿的稳定窗口可以系统地高于一些其他缺氯或无氯电解质，尤其是在实施机械收缩电池组装和测试条件下。因此，使用这些富含氯的锂银锗矿，无需额外涂层，就可展示 4 V 至 5 V 级正极与锂金属负极配对的固态电池系统。此外，由于氯组分会调节低电压下锂银锗矿的稳定性和不稳定性，因此我们可以设计具有不同锂金属稳定性层次的多层配置，以展示固态电池在相对高电流密度下的稳定循环。研究发现，电解质中适中的氯组分最能抑制作为中心电解质层的锂枝晶渗透，除了两个众所周知的稳定性和离子电导率指标外，还强调了略微增加的“不稳定性”是这里相关的隐藏性能指标。了解硫化物电解质中的氯取代效应为全固态电池提供了重要的设计原则。
异质结构双金属硫化物的原位构建/...
Fang Yang a , Yuenian Shen b , Ze Cen a , Jie Wan a , Shijie Li *c , Guanjie He d , Junqing Hu b,
一步低温MOS2和WS2薄膜的硫化工程
免责声明：洛斯·阿拉莫斯国家实验室（Los Alamos National Laboratory）是一项平权行动/平等机会雇主，由Triad National Security，LLC经营美国国家能源部国家核安全管理局根据合同89233218CNA000001经营。通过批准本文，出版商认识到，美国政府保留了不判有限定的免版税许可，以出版或复制已发表的此捐款形式，或者允许其他人出于美国政府的目的。洛斯阿拉莫斯国家实验室要求出版商根据美国能源部主持的工作确定这篇文章。Los Alamos国家实验室强烈支持学术自由和研究人员发表权；但是，作为一个机构，实验室并未认可出版物的观点或保证其技术正确性。
2D过渡金属二硫化物中的高阶谐波生成
在本文中，我们探讨了MOS 2和WS 2 2D单层的能力，可通过产生高阶谐波在Terahertz范围内产生辐射。这种现象是通过基于Monte Carlo方法的粒子集合随机模拟方法研究了电子载体种群对应用电场的非线性响应的结果。对电场振幅，外部温度和激发频率进行了研究，研究了产生的谐波信号的功率。此外，模拟工具的随机性使得可以从扩散状态的固有载流子速度波动带来的背景光谱噪声中辨别出纯粹的离散谐波信号，从而允许设置带宽阈值以进行谐波提取。发现，与低温下的IIII-V半导体相比，两个TMD都显示出相似的阈值带宽，而WS 2将是迄今为止MOS 2的更好选择，用于利用7次和第9次谐波。
单层硫化物硫化物卤化物具有高迁移率转运各向异性和高效的光收集
摘要：具有较高载流子迁移率的二维半导体的发现和设计对于高速电子和光电设备至关重要。在此基于高通量计算的基础上，我们确定了一组半导体，硫磺halide halides irsx'（x'= f，cl，br，i），具有较高的载流量（〜10 3 cm 2 v-1 s-1）和高效的光收获（〜34％）。此外，这些材料表现出各向异性的平面运输行为，这是通过铁弹性开关进行切换的，从而提供了单层IRSX的巨大潜力，可用于在方向控制的高速电子和Optoelectronic设备中应用。高载体迁移率和各向异性转运是源自在矩形晶格中的传导带最小值（CBM）和价带最大值（VBM）的IR原子3D轨道的各向异性分布。ML IRSX's（X'= F，Cl，Br）显示出良好的动力学和热稳定性，并且根据相图计算在热力学上稳定，因此未来值得实验实现。
二硫化钼（MOS2）纳米材料的合成及应用研究进展
1 无机和分析化学，2 制药，3 无机和分析化学，维沙卡帕特南，530003，印度。摘要：纳米材料的生产和应用研究已经开展多年。由于基本元素钼和另一种化学元素硫（氧族元素）的性质不同，它们具有各种吸引人的特性。尽管我们对二硫化钼纳米粒子的成核、发展和结构所涉及的过程以及其生物特性和催化活性背后的机制的理解取得了重大进展，但仍存在许多困难。纳米材料的进化有助于在纳米级改变材料的形状和结构，以实现所需的应用。为了区分半导体相和金属相，人们开发了准二维 (Q2D) 材料，例如石墨烯和 2D 蜂窝硅，以及层状过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如二硫化钼 (MoS 2 ) (WS2)。因为它在从块体转变为纳米级时能够表现出广泛的特性。其中，二硫化钼 (MoS 2 ) 是一种有趣的多功能材料。由于其 (1.9 eV) 直线带隙值，单片 MoS 2 无疑能够实现后硅电子学。在室温下，它具有高开/关电流比和大约 200 cm 2 (Vs -1 ) 的迁移率。MoS 2 的结构也是其两个特性的决定因素。它对气体传感很有用，因为它具有六边形结构，其中 S-Mo-S 原子层共价连接，相邻的 MoS 2 层之间有范德华连接。由于 MoS 2 具有良好的特性，因此具有多种实际应用。我们力求在这篇综述中涵盖当前的合成技术及其在 2D MoS 2 材料中的应用。关键词：过渡金属二硫化物 (TMD)、二硫化钼 (MoS 2 )、二硫化钼材料的合成技术以及二硫化钼的应用。
硫化物胶体套件，用于制备99mtc ...
99M TC硫化物胶体是一种简单的技术，用于图像功能功能肝实质并确定尺寸，形状和腹部位置。Alter注射，胶体颗粒被RES的细胞吞噬。血液和血浆清除迅速发生，即- 注射后1小时的血浆浓度在人类中为0.005％。一旦胶体颗粒被RES细胞吞没，它们在扫描程序的持续时间内保持固定，因为胶体颗粒无限期保留在肝脏中，因此
铅硫化物红外探测器（1-3微米）
•新的自动化化学加工（ACP）以较低的成本产生较高的产量。•极端条件下的可靠性极高。•长期的保质期。•密封包装完全消除了对检测区域的湿度攻击。•可用的广泛电气特性。•可用的各种尺寸。•立即交付。•紧凑的集成过滤器/检测器组合。•经100％测试。•艺术微电子制造能力的状态。•专门研究高密度阵列。
与真空紫外线二硫化物的原位光合作用和聚合有机薄膜
摘要：已研究了液相有机化合物碳二硫化物（CS 2）的真空紫外线（VUV）光解析。在每个氮环境和大气空气环境中，在微腔等离子体灯的Si底物上照射了SI底物上的自胸膜灯的172 nm（7.2 eV）VUV光子。在反应期间，在不同气体环境中观察到CS 2在C-C，C-C，C-S或C-O-S基片段中的选择性和快速分离。薄层聚合物微型沉积物。这款来自VUV微质量灯的新型照片过程引入了大面积沉积的低温有机（或合成）转换的另一种途径。可以在光电和纳米技术应用中使用各种有机前体的原位，选择性转换。