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World File Search System硫族化物
通过气相-液相-固相联合生长和边缘附着制备独立的大型超薄硒化锗范德华带
在 IV 族单硫族化物中，层状 GeSe 因其各向异性、1.3 eV 直接带隙、铁电性、高迁移率和出色的环境稳定性而备受关注。电子、光电子和光伏应用依赖于合成方法的开发，这些方法可以产生大量具有可控尺寸和厚度的晶体薄片。在这里，我们展示了在低热预算下，在不同基底上通过金催化剂通过气相-液相-固相工艺生长单晶 GeSe 纳米带。纳米带结晶为层状结构，带轴沿着范德华层的扶手椅方向。纳米带的形态由催化剂驱动的快速纵向生长决定，同时通过边缘特定结合到基面而进行横向扩展。这种组合生长机制能够实现温度控制的纳米带，其典型宽度高达 30 μm，长度超过 100 μm，同时保持厚度低于 50 nm。单个 GeSe 纳米带的纳米级阴极发光光谱表明，在室温下具有强烈的温度依赖性带边发射，其基本带隙和温度系数分别为 E g (0) = 1.29 eV 和 α = 3.0×10 -4 eV/K，证明了高质量 GeSe 和低浓度的非辐射复合中心，有望用于包括光发射器、光电探测器和太阳能电池在内的光电应用。
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
有机硫在锂硫电池中的研究进展及展望
锂硫电池 (LSB) 是后 LIBs 技术最有前途的候选者之一。[10–12] 在 LSB 中，通过硫和锂之间的多电子反应可实现 1675 mAh g −1 的理论容量。放电过程中会出现两个不同的电压平台。在较高的电压平台（约 2.3 V）下，S 的最稳定的同素异形体 S 8 的环状结构被破坏，形成长链多硫化锂；一开始是 Li 2 S 8 ，然后进一步还原为 Li 2 S 6 和 Li 2 S 4 。在较低的电压平台（约 2.1 V），长链多硫化锂进一步还原为 Li 2 S 2 和 Li 2 S。[13,14] 除了理论容量高之外，地球上 S 的储量丰富、价格低廉以及环境友好等特性使得 LSB 比 LIB 更便宜。然而，LSB 的工业化进程中仍存在一些障碍。[15,16] 首先，S 和放电产物 Li 2 S 本质上都是绝缘的（≈ 5 × 10 − 30 S cm − 1）。电极材料的低电导率会影响电池的电化学性能，尤其是在高电流密度下。其次，充放电过程中体积变化大会导致安全性和稳定性问题。由于 S 和 Li 2 S 的密度差异，当 S 转移到 Li 2 S 时，体积变化将高达 75%。最后，臭名昭著的穿梭效应会进一步导致性能下降。充放电过程中形成的多硫化锂可溶于电解液。这些中间体在正极和负极之间穿梭，并通过公式（1）和（2）所示的化学反应或电化学反应与电极材料发生反应，导致锂负极的消耗和“死”硫的形成，最终导致库仑效率和稳定性降低。
日本实验动物协会 金黄仓鼠作为实验动物...
1. L. Janský、G. Haddad、Z. Kahlerová、J. Nedoma。外部因素对金黄仓鼠冬眠的影响。《比较生理学杂志》B 154 (4), 427-433 (1984), doi: 10.1007/ Bf00684450。2. F. Geiser，《冬眠和日常麻木期间代谢率和体温降低》。《生理学年鉴》。66 (1), 239-274 (2004), doi: 10.1146/annurev.physi- ol.66.032102.115105。 3. DA Bechtold、A. Sidibe、BRC Saer、J. Li、LE Hand、EA Ivanova、VM Darras、J. Dam、R. Jockers、SM Luckman、ASI Loudon。褪黑激素相关受体 GPR50 在瘦素信号传导、适应性产热和麻木中的作用。当代生物学。22 (1)，70-77 (2012)，doi:10.1016/ j.cub.2011.11.043。4. V. van der Vinne、MJ Bingaman、DR Weaver、SJ Swoap。时钟和进餐使老鼠无法保持凉爽。实验生物学杂志。221 (15)，jeb179812 (2018)，doi:10.1242/ jeb.179812。5. A. Malan。冬眠的麻木-觉醒周期是否由非温度补偿的循环控制？
产业废弃物处理服务（汽车冷却液）
4天前 — （在建设工程等中，县警察要求将你作为与黑社会有关联的人排除在外，这种情况并没有持续下去。或者，在建设工程等以外的公共工程中，你有在投标指南等中规定的排除黑社会的特别条款……
Kedar Singh 教授的简历 - 德里
序号 论文内容 1. 室温下 Se 85-X Te 15 Sb x（X =2、4、6、8 和 10）硫属玻璃的热导率和热扩散率的同时测量 Kedar Singh、NB Mahrjan 和 NS Saxena* phys. stat. sol. (a) 189, 1 197-202, (2002)。 2. 室温下 Se 80 Te 20-X In X（X = 2、4、6 和 10）硫属玻璃的热导率和热扩散率的同时测量 NS Saxena*、Mousa MA Imran 和 Kedar Singh Bulletin of Material Science 25, 241, (2002)。 3. 中子辐照 Se 80 Te 10 In 10 玻璃的热性能 Kedar Singh 和 NS Saxena* Mater. Sci. Engg. A. 346, 287, (2003)。4. 处理过的油棕纤维增强酚醛复合材料的热导率和热扩散率的温度依赖性研究 Kedar Singh、NS Saxena*、MS Sreekal 和 S. Thomas Journal of Applied Polymer Science 98, 13, 3458, (2003)。5. Se 75 Te 25-X Sn X 硫属化物玻璃的量热研究 NB Maharjan、Kedar Singh 和 NS Saxena* phys. stat. sol. 395, 1, 305-310, (2003)。 6. 苯酚甲醛混合复合材料的结构松弛 Kedar Singh、NS Saxena*、S. Thomas 和 MS Sreekala Indian J. Eng. &Material Science 10, 65, (2003)。 7. Ge-As-Se 在玻璃化转变区的动力学 Kedar Singh 和 NS Saxena* Bulletin of Material Science 26, 543, (2003)。 8. 未经处理的油棕纤维增强苯酚甲醛复合材料热物理性质的温度依赖性 Kedar Singh、NS Saxena* 和 S. Thomas J. Scientific & Industrial research 62, 903, (2003)。 9. Se-Te-In 硫属化物玻璃的热导率和热扩散率的压力依赖性”Kedar Singh 和 NS Saxena* Indian J. Pure & Appl. Physics 41, 466, (2003)。10. 使用瞬态平面源技术对不同填料浓度的松苹果叶纤维增强复合材料的热性能 Ravindra Mangal、NS Saxena*、MS Sreekala、S. Thomas 和 Kedar Singh Mater. Sci. Engg. A 339, 281-285, (2003)。11. Se 80 Te 10 In 10 硫属化物玻璃的热物理性质的温度依赖性。Kedar Singh 和 NS Saxena* Mater. Sci. Engg. A 329 (1-2), 38, (2005)。12. Zn-Se 颗粒的热物理性质 NS Saxena*， R. Sharma、Kedar Singh 和 TP Sharma J. Mat. Sci. Lett. 40, 523, (2005)。13. 室温下 Se 100-X In x（x = 0、5、10、15 和 20）硫属化物玻璃的热导率和扩散率的同步测量 Kedar Singh、NS Saxena* 和 D. Patidar 固体物理和化学杂志，66，946，（2005）。14. 室温下 Se 85-X Te 15 Sb x（x = 2、4、6、8 和 10）硫属化物玻璃的电导率的成分依赖性
韦尔半金属中网络拓扑界面的量子振荡
层状过渡金属硫族化物是电子 Weyl 节点和拓扑超导的有希望的宿主。MoTe 2 是一个引人注目的例子，它同时包含非中心对称 T d 和中心对称 T ' 相，这两种相都被认为是拓扑上非平凡的。施加的压力会将这些相分离的结构转变调整到零温度，从而稳定混合的 T d – T ' 矩阵，该矩阵包含两个非平凡拓扑相之间的界面网络。本文中，我们表明，这一临界压力范围以不同的相干量子振荡为特征，表明拓扑非平凡 T d 和 T ' 相之间的拓扑差异产生了一种新兴的电子结构：拓扑界面网络。拓扑非平凡电子结构和锁定变换势垒的罕见组合导致了这种违反直觉的情况，其中可以在结构不均匀的材料中观察到量子振荡。这些结果进一步开启了稳定多种拓扑相与超导共存的可能性。
p 掺杂二硫化钼中光驱动瞬态皮秒顶层半导体到金属相变
二硫族化合物 MX 2 (过渡金属 M 和硫族元素 X) 是范德华耦合的层状准二维材料，具有可定制的电子特性，因此在器件、气体传感器和化学过程方面具有重要意义。[1] 其基础是多相和堆叠顺序的存在，以及作为主体材料进行掺杂和插层的能力。[2] 二硫族化合物辉钼矿 (MoS 2 ) 是一种热力学稳定的块体晶体，间接带隙为 1.2 至 1.3 eV。[3–5] 其晶体结构由堆叠的 S–Mo–S 片组成，具有 A–B–A 堆叠的三角棱柱对称性，其中顶部和底部 S 平面中的硫原子占据等效的垂直位置。[3] S–Mo–S 片之间的距离为 6.5 Å。 [6] 从间接带隙块体 2H-MoS 2 到单层，带隙逐渐加宽，单层 MoS 2 的直接带隙达到 1.9 eV。[5] 半导体 2H-MoS 2 相支持通过化学和物理方法诱导的 n 型和 p 型掺杂。[7–11] 据报道，插层、电子、光学和热激发以及机械应变和层取向。[3,12–16] 将 S-Mo-S 层中一个 S 平面的硫原子滑动 1.82 Å 会导致单层内的 ABC 堆积，其中硫原子占据 2H 相六边形的中心，从而产生金属 1T-MoS 2 相。 [3,17] 金属 1T-MoS 2 相可以通过电子注入来稳定，例如用电子显微镜直接注入电子或通过吸附的锂原子提供电子。[12,17–21]