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World File Search System硼烯
磁石墨烯氧化石墨烯：
近年来，由于其独特的特性以及在气体和生物传感器中的潜在应用，对磁石墨烯（MGO）的兴趣显着增加。在本评论文章中给出了MGO合成技术的广泛摘要，例如化学还原，水热合成和溶剂热合成。及其在气体和生物传感器中的许多用途，MGO的灵敏度，选择性和稳定性也被突出显示。除了可以鉴定氨，硫化氢和挥发性有机化合物的气体传感器外，MGO还可以用作鉴定蛋白质，葡萄糖，胆固醇和DNA的生物传感器。文章的结论讨论了该领域的未来方向以及在各个行业的MGO研究中的可能应用。
锂硼硅酸盐玻璃的离子电导率
• LiBH 4 和 Al 2 O 3 • LiI 和 Al 2 O 3 • AgI 和 Al 2 O 3 • AgBr 和 Al 2 O 3 • CuBr 和 Al 2 O 3 • CuBr 和 TiO 2 • Li 7 La 3 Zr 2 O 12 和锂硼硅酸盐玻璃
单层无定形碳和硝酸硼的结构和机械性能
无定形材料表现出各种特征，这些特征不包含晶体，有时可以通过其混乱程度来调节（DOD）。在这里，我们报告了具有不同DOD的单层无定形碳（MAC）和单层无定形硼（MABN）的机械性能。使用具有密度功能理论级别准确性的机器学习势能通过动力学蒙特卡洛（KMC）模拟获得相关结构。提出了一个直观的阶参数，即连续随机网络中由Crystallites占据的面积f x来描述DOD。我们发现f x捕获了DOD的本质：具有相同f x的样品，但使用两个不同的KMC程序获得的微晶的大小和排列，实际上具有相同的径向分布函数，以及键长和键长和键 - 角度。此外，通过使用分子动力学模拟断裂过程，我们发现裂缝前MAC和MABN的机械响应主要由F X确定，并且对大小和特定排列不敏感，并且在某种程度上是晶体的数量和区域分布。分析了两种材料中裂纹的行为，并发现主要在连续的随机网络区域的蜿蜒路径中繁殖，并以截然不同的方式对材料加强的不同方式影响。目前的结果揭示了无定形单层的结构和机械性能之间的关系，并可能为二维材料提供普遍的加强策略。
六方硼中的缺陷辅助光致发光......
5 帕多瓦大学化学科学系，Via Marzolo 1, 35131 帕多瓦，意大利 * 通讯作者：plinio@uniss.it 关键词：六方氮化硼，二维材料，光致发光 摘要 基于六方氮化硼纳米片（h-BNN）的功能光电应用的开发依赖于控制结构缺陷。特别是，已经观察到荧光发射取决于空位和取代缺陷。在目前的研究中，通过超声辅助液相剥离块体对应物获得了少层 h-BNN。制备的样品在可见光范围内表现出微弱的荧光发射，中心在 400nm 左右。通过在不同温度下在空气中氧化引入了定制缺陷。已经观察到氧化 h-BNN 的荧光发射显著增加，在 300°C 下处理的样品的发射强度最大。温度进一步升高（>300°C）会导致荧光猝灭。
![增强的 N 导向亲电 C–H 硼化生成具有改善光物理性质的 BN–[5]- 和 [6] 螺旋烯](/simg/b\b522efa6dee813d65eb7420c246b458b19de2b37.webp)
增强的 N 导向亲电 C–H 硼化生成具有改善光物理性质的 BN–[5]- 和 [6] 螺旋烯
用等电子 BN 单元替换 CC 会产生极其相似的分子，但 BN 同类物通常具有不同的性质。1 由于这种现象，将 BN 掺入有机材料中已受到广泛关注，2 目前已成为一种修改物理和光电性质的成熟方法。3 该方法已应用于螺旋烯，发现将 BN 掺入[4]螺旋烯（例如 A 和 B，图 1）的螺旋骨架内可提高其相对于全碳[4]螺旋烯的荧光效率。 4 然而，将 BN 单元纳入更高阶[ n ]螺旋烯（ n = [5]，对构型稳定性必不可少）的螺旋骨架的研究还不够深入，据我们所知，迄今为止尚未报道过更高阶螺旋烯、[5] 和 [6] 螺旋烯（ C 和 D ）的简单 BN 类似物（迄今为止发表的所有例子都是 p 扩展 BN – 螺旋烯，例如 E ）。5
开发由石墨烯氧化石墨烯
首席研究者已经对GO纳米片的基本物理特性和应用进行了研究。在GO纳米片和GO膜中的离子电导率中，我们发现离子电导率超过了Nafion的电导率。在还原形式的情况下，RGO，还通过还原方法成功控制了P型，N型和解体半导体特性的降低形式。此外，GO的氧官能团是负电荷的，杂种是通过与各种金属离子的静电相互作用形成的，并且发现以RGO杂种，金属氧化物和金属纳米颗粒的降低形式在RGO纳米片上支持。在GO和RGO纳米片的合成中，使用液体等离子体掺杂了各种原子，并且通过热液合成和Freeze-Drysing从GO和RGO纳米片形成的3D结构也成功。因此，着重于研究获得的材料中的钻石相变，我们首先合成了N-RGO的氮掺杂钻石。尽管结果是初步的，但我们观察到在纳米颗粒相中T C = 30 K的Meissner效应，而在大量相中，T C = 130 K。此外，从高温和高压在高压中合成的钻石显示出T C = 65 K的铁磁过渡。此外，它们还致力于合成硼掺杂和氧气掺杂的钻石。这些结果表明，在掺杂的钻石中开发各种功能材料的有效性，并且有必要迅速促进掺杂或表面修饰的钻石的研究和开发。
Cocemasov，Al。，Isacova，C.，Nika，D。半导体纳米结构，石墨烯和相关二维材料中的热运输。在：中文
我们回顾了半导体纳米结构中热传输的实验和理论结果（多层薄膜，核/壳和分段纳米线），单层和几层石墨烯，己酮硝化氢，二甲硝基硼，钼二硫化物和黑磷。讨论了用于优化电力和热电导的声子工程的不同可能性。揭示了声子能光谱修饰在半导体纳米结构中热导率中的作用。分析了石墨烯和相关的二维（2D）材料对温度，薄片尺寸，缺陷浓度，边缘粗糙度和应变的依赖性。
二维原子晶体，用于突出电气装置的Young-Jun Yu电子和电信研究所（ETRI），218 GAJ
下一代电子产品不仅需要较小，而且还需要更灵活。为了满足此类需求，已经深入研究了使用二维原子晶体的电子设备。尤其是在多功能研究领域具有前所未有的性能实现的石墨烯会导致2D原子晶体游行。在本演讲中，我将介绍石墨烯对突出的电晶体管实现的电气表征和应用。即使是上升的2D原子晶体，例如六角硼（H-BN），二硫化钼（MOS 2）和用于现场效应晶体管（FET）的有机薄膜，以符合胜任的增强。
石墨烯和掺杂石墨烯：DFT 比较研究
已经考虑了两种不同的模型，即卵烯 (C 32 H 14 ) 和环环烯 (C 54 H 18 ) 及其各自的掺杂模型 (C 31 XH 14 、C 53 XH 18，其中 X = B、Al、N、P、Fe、Ni 和 Pt)，用于 GGA-PBE/DNP 级别的 DFT 计算。根据各种计算出的结构参数和电子特性对这两个模型进行了比较。还绘制了电子态密度 (DOS) 光谱，以查看尺寸增加时电子特性的变化。从较小的模型移动到较高的模型时，结构和电子特性没有发生重大变化。发现掺杂保持了表面的平面性，但会引起掺杂原子周围键长发生相对较大的变化，从而削弱键。版权所有 © VBRI Press。关键词：DFT、石墨烯、掺杂、DOS。简介