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World File Search System碘化物
应用于agxbiyix+3y
银色二碘化物（Ag x Bi y i X + 3y）是一类有希望的材料类，具有光电设备中的吸收剂层的潜力，但是对其性质的理论研究受到其大量位点 - 分层和独特的分层结构的阻碍。在这里，我们演示了基于聚类的总能量的描述，该描述与模拟的退火最小化器配对，可以从10个可能的100个可能的选择中创建Ag x Bi y I X + 3Y的低能原子模型。我们采用第一原理密度功能理论来计算基态结构的带隙，状态密度，有效质量和吸收光谱。与可用的实验结果相比，结构的晶格常数，带隙和光谱。这项工作还提供了对更复杂的AG-BI-BI-I石术学的物理和电子结构的新见解。生成的模型可用于洞悉各种缺陷对这些材料的生长和特性的作用。
是什么使Photobattery可轻松充电？
对自动离网设备的需求导致了诸如“ Photobatteries”之类的设备的开发，这些设备将光能收获和电化学能源存储整合在同一架构中。尽管最近报告了几种光生化学和设计，但对光电子和反电极之间电荷转移所需的物理条件的见解很少。在这里，我们使用具有染色敏化的Tio 2光电极，三碘化物（I - /I 3-）天主解和具有不同插入电位的阳极来确认光电在传导频带quasi-fermi水平（e fc）的定位时，我们只有可行的插入，我们使用染色器2光电极（I - /I 3-）天主教徒和阳极的位置。我们还表明，如果电池和太阳能电池的电压不匹配，电池充满电后充满电后的寄生反应可以加速。在相同的光磁盘中多种阳极的整合确保了良好的测量条件，使我们能够明确地证明光片中电荷转移所必需的物理条件，这是现场有争议的主题。
na+/i-在非...
在过去的80年中，放射性碘（131 I）已被用来消融甲状腺组织，而不是通过手术去除或治疗已转移到人体其他部位的分化甲状腺癌。然而，在几种非甲状腺组织中也表达了将活性碘化物摄取到甲状腺卵泡细胞中的Na + /i-分类器（NIS）。这种NIS表达允许在这些非目标组织中131 I的积累和辐射损伤，这是放射性碘治疗的不良影响。我们将审查有关非甲状腺组织中NIS的表达，功能和调节的数据，并解释131 I引起的看似矛盾的不良反应，与131 I治疗后的永久性唾液功能障碍相比，自我有限的胃肠道不良反应与永久性唾液功能障碍相反。我们提出需要前瞻性研究来揭示开发和进展的病理过程的时间顺序，或者是131 I诱导的唾液导管阻塞和鼻腔泪管阻塞的最终分辨率。最后，将讨论可以采用可能采用的预防措施和早期治疗干预措施，以消除或减轻长期放射性碘不良反应。
混合 - 卤化物钙钛矿中相位分离的温度依赖性逆转
成功实施了在串联perovskite光伏设备的顶部细胞中的成功实施，但受到卤化物种族隔离现象的阻碍，[27-29]遭受了混合的碘化碘 - 溴组成，用于实现宽带式的（> 1.7 ev [> 1.7 ev [22,23,23]）。太阳光谱的高能部分。在带有袋中的照明下[27]或电荷载体注入，[30-32]这些伴侣经历了一个混合过程，从而形成了富含碘化物和溴化物的富相的局部区域。[33–36]去除外部刺激导致从隔离中恢复。[27,37–39]尽管这种可逆的相分离仅影响钙矿体积的少数族裔，[34,40]在空间上，空间不均匀的bandgap严重破坏了混合壁孔孔孔的适用性，不仅可以通过限制了频带的范围，而不仅会限制频带的范围，而且还限制了对频段的效果[41] [41] 41] [41] [41] [41–43]和重组，[44]并导致电压损耗。[40,45]因此，正如最近的几篇评论文章中列出的那样，已经大量的研究注意力用于理解这一案例以防止这种情况。[46–50]
具有超高面积能力的持久锌 - 碘电池，并通过镍单原子电催化剂
摘要：锌 - 碘（Zn -i 2）电池对其高能量密度，低成本和固有安全性引起了极大的关注。然而，包括聚二维溶解和穿梭，碘迟发的氧化还原动力学和低电导率的几个挑战限制了它们的实际应用。在此，我们通过将Ni单原子（NISA）均匀分散在分层多孔碳骨架（NISAS-HPC）上，为Zn-I 2电池设计了高效的电催化剂。原位拉曼分析表明，由于Nisas具有显着的电催化活性，因此使用NISAS-HPC显着加速了可溶性聚二维（I 3 - 和I 5 - ）的转化。带有NISAS-HPC/I 2阴极的结果Zn-I 2电池提供了出色的速率能力（在50 C时为121 mAh g-1）和超循环稳定性（在50 c时超过40 000个循环）。即使在11.6 mg cm -2碘以下，Zn -i 2电池仍然表现出令人印象深刻的循环稳定性，其容量保留为93.4％和141 mAh g -1，在10 c.关键字上10 000循环后，关键字：锌 - 碘化物 - 碘磁带，多二维，诸如乘坐，电气效应，电型，电动
朝着有效的γ-CSPBI3 ...
a。德累斯顿电子（CFAED），德累斯顿技术大学，Helmholtzstraße18，01069，德国，电子邮件：yana.vaynzof@tu-dresden.de b。 Leibniz固态和材料研究Dresden，Helmholtzstraße，20，01069德国德累斯顿，德国无机剖宫产碘化铅（CSPBI 3）Perovskite太阳能电池（PSC）引起了极大的关注，由于其极佳的热稳定性和光学频带的应用，并适用于〜1.73 EV）。 但是，在低温下处理高效的光伏设备仍然具有挑战性。 在这里，我们报道了一种在温度较低时在低温下制造高效和稳定的γ-CSPBI 3 PSC的新方法，而不是引入长链有机阳离子盐乙烷乙烷1,2-二摩米碘化物（EDAI 2）并调节乙酸铅（PB（OAC）2）在perofskite Pressor solory中的含量（PB（OAC）2）。 我们发现EDAI 2充当可以促进γ-CSPBI 3形成的中间体，而多余的Pb（OAC）2可以进一步稳定CSPBI 3钙钛矿的γ期。 因此，在新方法制造的CSPBI 3膜中观察到了改善的结晶度和形态以及载体重组的减少。 通过优化CSPBI 3倒置太阳能电池的孔传输层，我们证明了高达16.6％的效率，超过了先前检查倒置PSC中γ-CSPBI 3的报道。 值得注意的是，封装的太阳能电池在室温和昏暗的光线下维持其初始效率的97％，持续25天，证明了Edai 2和Pb（OAC）2对稳定γ-CSPBI 3 PSC的协同作用。德累斯顿电子（CFAED），德累斯顿技术大学，Helmholtzstraße18，01069，德国，电子邮件：yana.vaynzof@tu-dresden.de b。 Leibniz固态和材料研究Dresden，Helmholtzstraße，20，01069德国德累斯顿，德国无机剖宫产碘化铅（CSPBI 3）Perovskite太阳能电池（PSC）引起了极大的关注，由于其极佳的热稳定性和光学频带的应用，并适用于〜1.73 EV）。但是，在低温下处理高效的光伏设备仍然具有挑战性。在这里，我们报道了一种在温度较低时在低温下制造高效和稳定的γ-CSPBI 3 PSC的新方法，而不是引入长链有机阳离子盐乙烷乙烷1,2-二摩米碘化物（EDAI 2）并调节乙酸铅（PB（OAC）2）在perofskite Pressor solory中的含量（PB（OAC）2）。我们发现EDAI 2充当可以促进γ-CSPBI 3形成的中间体，而多余的Pb（OAC）2可以进一步稳定CSPBI 3钙钛矿的γ期。因此，在新方法制造的CSPBI 3膜中观察到了改善的结晶度和形态以及载体重组的减少。通过优化CSPBI 3倒置太阳能电池的孔传输层，我们证明了高达16.6％的效率，超过了先前检查倒置PSC中γ-CSPBI 3的报道。值得注意的是，封装的太阳能电池在室温和昏暗的光线下维持其初始效率的97％，持续25天，证明了Edai 2和Pb（OAC）2对稳定γ-CSPBI 3 PSC的协同作用。
用于光伏应用的共蒸发 Cu2AgBiI6 薄膜中的成分转变和杂质介导的光学跃迁
四元铜银铋碘化合物代表了一类有前途的新型宽带隙 (2 eV) 半导体，可用于光伏和光电探测器应用。本研究利用气相共蒸发法制造 Cu 2 AgBiI 6 薄膜和光伏器件。研究结果表明，气相沉积薄膜的性质高度依赖于加工温度，表现出针孔密度增加，并根据沉积后退火温度转变为四元、二元和金属相的混合物。这种相变伴随着光致发光 (PL) 强度和载流子寿命的增强，以及在高能量 (≈ 3 eV) 下出现额外的吸收峰。通常，PL 增加是太阳能吸收材料的理想特性，但 PL 的这种变化归因于 CuI 杂质域的形成，其缺陷介导的光学跃迁决定了薄膜的发射特性。通过光泵太赫兹探测光谱法，揭示了 CuI 杂质阻碍了 Cu 2 AgBiI 6 薄膜中的载流子传输。还揭示了 Cu 2 AgBiI 6 材料的主要性能限制是电子扩散长度短。总体而言，这些发现为解决铜银铋碘化物材料中的关键问题铺平了道路，并指明了开发环境兼容的宽带隙半导体的策略。
来自太阳 - 光致发光量子产率测量的钙钛矿薄膜的表面饱和电流密度
1。Stolterfoht M，Grischek M，Caprioglio P等。如何量化整洁的钙钛矿膜的效率潜力：隐含效率超过28％的钙钛矿半核对象。ADV MATER。2020; 32（17）：2000080。 doi：10.1002/adma.202000080 2。Hages CJ，Redinger A，Levcenko S等。在非理想的半导体中识别实际的少数族载体寿命：Kesterite材料的案例研究。adv Energy Mater。2017; 7（18）：1700167。 doi：10.1002/aenm。 2017001673。DeMello JC，Wittmann HF，朋友RH。 改进了外部光致发光量子效率的实验确定。 ADV MATER。 1997; 9（3）：230-232。 doi：10.1002/adma.19970090308 4。 Katahara JK，Hillhouse HW。 QUASI-FERMI水平分裂和半导体光致发光的子带隙吸收性。 J Appl Phys。 2014; 116（17）：173504。 doi：10.1063/1.4898346 5。 Braly IL，Dequilettes DW，LM等人的Pazos-Out。 杂种钙钛矿膜接近辐射极限，其光量超过90％ - 孔量子效率。 nat光子学。 2018; 12（6）：355-361。 doi：10。 1038/s41566-018-0154-Z 6。 Frohna K，Anaya M，Macpherson S等。 纳米级化学杂化基因占主导地位的钙钛矿太阳能电池的光电子反应。 纳米技术。 2022; 17（2）：190-196。 doi：10.1038/ s41565-021-01019-7 7。 div> wurfelP。辐射的化学潜力。 J Phys C：固态物理。 rau U. 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消除钙钛矿发光二极管中成分调制的不利影响，实现超高亮度和稳定性
过量卤化铵作为成分添加剂被广泛用于钙钛矿发光二极管 (PeLED)，旨在通过控制晶体度和钝化缺陷来实现高性能。然而，对于过量有机铵成分是否会影响薄膜的物理/电学性质以及由此导致的器件不稳定性，我们仍然缺乏深入了解。本文指出了在具有过量卤化铵的高效甲脒铅碘化物 (FAPbI 3 ) 基 PeLED 中性能和稳定性之间的权衡，并探索了其潜在机制。系统的实验和理论研究表明，过量卤化盐诱导的离子掺杂极大地改变了 PeLED 的性质（例如，载流子注入、场相关离子漂移、缺陷物理和相稳定性）。证明了表面清洁辅助交联策略可以消除成分调制的不利影响并在不牺牲效率的情况下提高操作稳定性，同时实现 23.6% 的高效率、964 W sr − 1 m − 2 的高辐射度（基于 FAPbI 3 的 PeLED 的最高值）和 106.1 小时的长寿命在大直流密度（100 mA cm − 2）下。研究结果揭示了过量卤化物盐与器件性能之间的重要联系，为合理设计稳定、明亮、高效的 PeLED 提供了指导。
单色 XPS 光谱
Eu (3+)（氧化铕中的铕，Z=63）..............................................................................................149 F (-)（氟化锂中的氟，Z=9）......................................................................................................155 Fe o（铁金属，Z=26）......................................................................................................................159 Ga o（镓金属，Z=31）......................................................................................................................163 Gd o（钆金属，Z=64）......................................................................................................................169 Ge o（锗金属，Z=32）......................................................................................................................173 Hf o（铪金属，Z=72）......................................................................................................................178 Hg o（汞金属，Z=80）......................................................................................................................182 Ho o（钬金属，Z=67）......................................................................................................................186 I (-)（碘钾碘化物，Z=53)...................................................................................................190 In o (铟金属，Z=49)....................................................................................................................196 Ir o (铱金属，Z=77)...................................................................................................................200 K (+) (氯化钾中的钾，Z=19)......................................................................................................204 Kr (+) (碳中氪，Z=36)......................................................................................................210 La (3+) (氧化镧中的镧，Z=57)......................................................................................................213 Li (+) (氢氧化锂中的锂，Z=3)......................................................................................................219 Lu o (镥金属，Z=71)......................................................................................................................224 Mg o (镁金属，Z=12)......................................................................................................................228 Mn o (锰金属， Z=25)......................................................................................................................233 Mo o（金属钼，Z=42）..................................................................................................................237 N (3-)（氮化硼中的氮，Z=7）..................................................................................................241 Na (+)（氯化钠中的钠，Z=11）........................................................................................247