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World File Search System磷化
反应溅射制备磷化硼薄膜
BP 在许多领域都具有广泛的应用，如耐腐蚀和耐热涂层 [4,5]、光催化剂和电催化剂 [6,7]，以及热管理 [1] 和极紫外光学应用。 [8] 最近，BP 被认为是一种潜在的 p 型透明导电材料 (TCM)。 [9] 这是一个特别有趣的前景，因为在光学透明材料中获得高 p 型电导率仍然是一个尚未解决的挑战。 [10,11] 与其他 p 型 TCM 候选材料不同，多位作者报道了 BP 中的双极掺杂。 [3,5,9,12,13] 因此，BP 可能是具有 p 型和 n 型掺杂能力的透明材料的独特例子。BP 结晶于具有四面体配位的金刚石衍生的闪锌矿结构中。由于B和P之间的电负性差异很小，BP是共价固体，其能带结构与金刚石结构中的Si和C的能带结构非常相似。主要区别在于BP的基本间接带隙大小适中（≈2.0 eV）[14–16]，这主要是由于键长适中。虽然该带隙对应于可见光，但BP的直接带隙要宽得多，位于紫外区（≈4.3 eV）。[15–17]预计BP在室温下的间接跃迁很弱[15]，这是使BP薄膜足够透明以用于许多TCM应用的关键因素。例如，根据包括电子-声子耦合在内的第一性原理计算，100nm厚的BP膜预计会吸收微不足道的红黄光和不到10%的紫光。 [15] 就电学性质而言，BP 具有由 p 轨道产生的高度分散的价带，从而确保较低的空穴有效质量（0.35 me）。[9] 与金刚石不同，BP 的价带顶位于相对于真空能级相对较浅的能量处。浅而分散的价带通常与高 p 型掺杂性相关，因为更容易形成未补偿的浅受体缺陷。[18,19]
1个基于磷化物的Terahertz量子cascade激光...
图1。在所提出的结构的生长方向上，在施加的电压V 1 = 73 mV的每个级联和温度t = 77 k处的传导带V，能量水平和平方。 对于我们的计算，我们使用级联的两个量子井（QW）选择了设计和在所提出的结构的生长方向上，在施加的电压V 1 = 73 mV的每个级联和温度t = 77 k处的传导带V，能量水平和平方。对于我们的计算，我们使用级联的两个量子井（QW）选择了设计和
在整体磷化镀磷层元素中的第二次谐波产生
*通讯作者：Muyi Yang，固态物理研究所，弗里德里希·席勒大学Jena，Max-Wien-Platz 1，07743 Jena，德国；弗里德里希·席勒（Friedrich Schiller）大学Jenafriedrich Schiller大学耶拿（Jena），Albert-Einstein-STR的ABBE光子学中心应用物理学研究所。15，07745德国耶拿；和Max Planck Photonics，Hans-Knöll-Straße1，07745德国Jena，电子邮件：muyi.yang@uni-jena.de。https://orcid.org/0000-0002-1738-4536 Maximilian A. Weissflog，应用物理研究所，Abbe Photonics，Friedrich Schiller University，Albert-Einstein-STR。15，07745德国耶拿；以及汉斯·斯特拉斯（Hans-Knöll-Straße）1，07745德国耶拿（Jena），麦克斯·普朗克（Max Planck）光子学院。https://orcid.org/0000-0002-3091-1441 Zlata Fedorova，固态物理研究所，弗里德里希·施莱尔·史列尔（Friedrich Schiller Uni-Cersity Jena），Max-Wien-Platz 1，07743 Jena，德国Jena，德国；和应用物理研究所，Abbe光子学中心，弗里德里希·席勒大学（Friedrich Schiller）大学耶拿，阿尔伯特·恩斯坦 - 斯特（Albert-Einstein-STR）。15，07745德国耶拿，安吉拉·贝雷达（Angela I. Barreda），固态物理研究所，弗里德里希·席勒（Friedrich Schiller Uni-Cersity），耶拿（Jena），马克斯 - 韦恩·普拉茨（Max-Wien-Platz）1，07743德国耶拿（Jena）；弗里德里奇（Friedrichschilleruniversityjena），阿尔伯特·埃因斯坦（Albert-Einstein-STR），弗里德里希（Friedrichschilleruniversityjena）应用物理学研究所。15，07745德国耶拿；以及AVDA马德里大学卡洛斯三世分校的展示和光量应用程序。de la大学，30岁，莱加纳，28911马德里，西班牙，斯特凡·伯纳，应用物理研究所，阿贝·光子学院，弗里德里希·席勒大学耶拿，阿尔伯特·史特恩·斯特林。15，07745德国耶拿；和麦克斯·普朗克（Max Planck）摄影学院，汉斯·斯特拉斯（Hans-Knöll-Straße）1，07745德国耶拿（Jena）15，07745 Jena，Ger-许多Falk Eilenberger和Thomas Pertsch，Applied Physics研究所，Abbe Photonics，弗里德里希·席勒大学Jena，Albert- Einstein-STR。15，07745德国耶拿； Max Planck Photonics，Hans-Knöll-Straße1，07745 Jena，德国；和弗劳恩霍夫（Fraunhofer）应用光学和精密工程IOF，Albert-Einstein-Straße7，07745 Jena，德国伊萨贝尔·斯塔德（Isabelle Staude），固体状态研究所，弗里德里希·施莱尔·施莱尔·席勒（Friedrich Schiller Uni-Versity）弗里德里奇（Friedrichschilleruniversityjena），阿尔伯特·埃因斯坦（Albert-Einstein-STR），弗里德里希（Friedrichschilleruniversityjena）应用物理学研究所。
高性能的可编程光子芯片可以改变雷达和通信系统
一张焦点堆积的宏观照片，该照片具有多个螺旋形波导和其他测试结构的磷化磷化物光子芯片。芯片宽度仅为0.55厘米。由于磷化磷酸盐的高非线性，其高折射率及其可忽略不计的两光子吸收，使用此芯片可实现S，C和L光学通信带的极有效的光学参数扩增和频率转换。
定性而不是定量磷化调节塑造了萌芽酵母中减数分裂I的末端
从有丝分裂中退出是由磷光蛋白质组景观的急剧变化引起的。 依赖细胞周期蛋白依赖性激酶（CDK）活性，主要调节激酶以及诸如发芽酵母中Cdc14之类的诸如Cdc14之类的反破坏性磷酸化酶的激活，从而使有序的底物去磷酸化有序，从而允许进入新的细胞周期进入新的细胞周期和复制许可。 在减数分裂中，必须在没有中间DNA复制的情况下执行两个细胞分裂，这意味着必须将全球磷酸化和去型的替代化适应减数分裂的挑战。 使用萌芽酵母中的全球时间分辨磷酸蛋白质组学方法，我们比较了有丝分裂出口与从减数分裂I到减数分裂II之间的磷蛋白组景观。 我们发现，与有丝分裂的退出不同，在减数分裂I结束时，CDK磷酸基因磷酸化的磷酸化大部分稳定，而大多数与CDK无关的基序是通过去磷酸化来重置的。 然而，在减数分裂的中期，CDK的人工降低导致有序的底物去磷酸化，与有丝分裂相当，表明在减数分裂I的末端磷酸化I的磷酸化I的主要是有定性的，而不是定性下降的。从有丝分裂中退出是由磷光蛋白质组景观的急剧变化引起的。依赖细胞周期蛋白依赖性激酶（CDK）活性，主要调节激酶以及诸如发芽酵母中Cdc14之类的诸如Cdc14之类的反破坏性磷酸化酶的激活，从而使有序的底物去磷酸化有序，从而允许进入新的细胞周期进入新的细胞周期和复制许可。在减数分裂中，必须在没有中间DNA复制的情况下执行两个细胞分裂，这意味着必须将全球磷酸化和去型的替代化适应减数分裂的挑战。使用萌芽酵母中的全球时间分辨磷酸蛋白质组学方法，我们比较了有丝分裂出口与从减数分裂I到减数分裂II之间的磷蛋白组景观。我们发现，与有丝分裂的退出不同，在减数分裂I结束时，CDK磷酸基因磷酸化的磷酸化大部分稳定，而大多数与CDK无关的基序是通过去磷酸化来重置的。然而，在减数分裂的中期，CDK的人工降低导致有序的底物去磷酸化，与有丝分裂相当，表明在减数分裂I的末端磷酸化I的磷酸化I的主要是有定性的，而不是定性下降的。
通过INP和INP/ZNS量子点对胶体纳米晶体的实验介绍
摘要：量子点是胶体半导体纳米晶体，显示尺寸依赖性电子和光学特性。这些材料是量子力学效应的视觉演示。在这里，我们为本科/学士学生提供了一项实验室练习，以介绍胶体纳米晶体和量子点。学生合成了三种尺寸的磷化磷化物（INP）纳米晶体，并执行用硫化锌（INP/ZNS）壳壳壳的磷化磷化物核心的一个核/壳合成。获得的量子点的特征是定量UV- VIS，光致发光和1 H NMR光谱。学生熟悉了几个概念：纳米晶体合成，胶体，啤酒 - 兰伯特法，量子限制，光致发光和表面化学。对于每个概念，都提供背景信息，为该报告提供了针对学生和教师的全面介绍。磷化物是在本科实验室中处理的一种更安全的材料，与硒化镉（CDSE），氯康省溴化物（CSPBBR 3）或硫化铅（PBS）纳米晶体相比。关键字：动手学习/操纵，实验室教学，无机化学，纳米技术，上级本科生，材料科学■简介
用于集成路径差分吸收激光雷达的双激光磷化铟光子集成电路
摘要 — 演示了一种用于大气二氧化碳 (CO 2 ) 集成路径差分吸收激光雷达的磷化铟光子集成电路 (PIC)。PIC 由两个宽调谐采样光栅分布布拉格反射器 (SGDBR) 激光器、定向耦合器、相位调制器、光电二极管和半导体光放大器 (SOA) 组成。一个 SGDBR 激光器（前导）使用片上相位调制器和台式 CO 2 Herriott 参考单元锁定在 1572.335 nm 处的吸收线中心。另一个 SGDBR 激光器（跟随器）在 1572.335 nm 附近以 ± 15 GHz 的频率步进，以扫描目标 CO 2 吸收线。跟随器激光器通过光学锁相环偏移锁定到前导激光器。跟随器激光器后的 SOA 在每个频率步进处产生一个脉冲，以创建对目标 CO 2 吸收线进行采样的脉冲序列。根据目标性能要求对 PIC 组件和子系统进行特性描述和评估。与自由运行相比，引导激光器在锁定状态下的频率稳定性标准偏差提高了 236 倍，而与引导激光器相比，在 2 GHz 编程偏移下，跟随激光器的频率稳定性标准偏差为 37.6 KHz。