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World File Search System磷化
用于红色胶体量子点发光二极管的双功能电子传输剂
摘要：磷化铟 (InP) 量子点使不含重金属、发射线宽窄且物理上可弯曲的发光二极管 (LED) 成为可能。然而，高性能红色 InP/ZnSe/ZnS LED 中的电子传输层 (ETL) ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度，沉积在 InP 上时会猝灭发光，并且由于陷阱从 ETL 迁移到 InP 发光层而导致性能下降。我们推测，ZnS 外壳上 Zn 2+ 陷阱的形成，加上 ZnO/ZnMgO 和 InP 之间的硫和氧空位迁移，可能是造成这一问题的原因。因此，我们合成了一种双功能 ETL（CNT2T，3 ′，3 ′″，3 ′″″-(1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(([1,1 ′-联苯]-3-腈))，旨在局部和原位钝化 Zn 2+ 陷阱并防止层间空位迁移：小分子 ETL 的主链包含三嗪吸电子单元以确保足够的电子迁移率（6 × 10 − 4 cm 2 V − 1 s − 1），具有多个氰基的星形结构可有效钝化 ZnS 表面。我们报告的红色 InP LED 具有 15% 的 EQE 和超过 12,000 cd m − 2 的亮度；这代表了基于有机 ETL 的红色 InP LED 中的记录。■ 简介
sub-mw低温INP HEMT LNA用于量子读数
摘要 - 低温磷化物（INP）高电子动力晶体管（HEMT）低噪声放大器（LNA）用于在4 K处的Qubits读数放大，其中冷却能力有限地暗示活性电路的DC功率是一个必不可少的设计约束。在本文中，在4 K处的超功率（ULP）操作下INP HEMT的RF和噪声性能已被表征。 将INP HEMT的小信号和噪声参数模型提取到1 µW。噪声性能和直流功耗之间的权衡是根据排水电流和排水电压分析的。 制造了4–6 GHz混合低温HEMT LNA专为量子读数而设计的，并针对低于1 MW DC功率的最低噪声进行了优化。 在4 K时测量的LNA的测量性能达到23.1 dB平均增益，平均噪声温度为200 µW DC功率。在本文中，在4 K处的超功率（ULP）操作下INP HEMT的RF和噪声性能已被表征。将INP HEMT的小信号和噪声参数模型提取到1 µW。噪声性能和直流功耗之间的权衡是根据排水电流和排水电压分析的。制造了4–6 GHz混合低温HEMT LNA专为量子读数而设计的，并针对低于1 MW DC功率的最低噪声进行了优化。在4 K时测量的LNA的测量性能达到23.1 dB平均增益，平均噪声温度为200 µW DC功率。
光学隔离器PDF
最近在光学和光子学方面取得了突破，导致了非重点设备和材料的显着进步。研究人员已经证明了实现光学隔离的各种方法，包括磁光隔离器，非逆地相位变速器和声学系统。研究表明，可以使用IIII-V-niobate放大器和激光器（De Beeck等，2021）以及氮化硅平台（Yan等，2020）来实现综合波导隔离器。这些设备可实现有效的光学通信和传感应用。此外，研究人员还探索了在硅光子系统中使用微量的，这可以导致紧凑和集成的光子溶液（Shu等，2022; Shen等，2020）。其他研究的重点是开发针对平面波导隔离器的非重粒子材料和设计（Srinivasan＆Stadler，2018）。此外，研究人员还研究了在不使用磁光材料的情况下实现光学分离的各种方法。这些方法包括合成磁力和储层工程（Fang等，2017），电动驱动的Acousto-Optics（Kittlaus等，2021）以及声子介导的光子自动镇分布（Sohn等，2021）。总体而言，这些非重点设备和材料中的这些进展对用于光学通信，传感和其他应用的紧凑，集成光子系统的开发具有重要意义。最近的一项研究证明了用于基于芯片的激光雷达技术的非重点脉冲路由器的发展[1]。这项创新基于光学隔离器和循环器的先前研究，这些创新已被证明是通过参数放大[2]和KERR效应的固有非交流性[3]来实现的。其他研究探索了微孔子来创建隔离器和循环器[4]，以及在对称微腔中的可重构对称性激光[5]。研究人员还研究了用于频率梳子产生和低功率启动的高Q氮微孔子[6，7]。已经报道了磷化磷化物非线性光子学的综合凝固膜的发展，以及基于触觉的Kerr非线性综合光子学[8，9]。还研究了高Q硅碳化物微孔子中的光学KERR非线性，以及硅碳化物纳米光子学中的光学参数振荡[10，11]。进一步的研究集中于具有高第二谐波产生效率的定期粘性薄膜硅锂微孔谐振器[12]。单片硅锂光子电路已为Kerr频率梳子的产生和调制开发[13]。研究还研究了由于动态互惠性而引起的非线性光学隔离器的局限性[14]，以及非线性谐振器中反传播光的对称破坏[15]。已报道了非线性微孔子中自发性手性的实验证明，以及基于氮化硅和非线性光学硅Hydex的新型CMOS兼容平台[16，17]。研究还探索了稀薄的氮化硅同心微孔子中的分散工程和频率梳子的产生[18]。据报道，探测材料吸收和集成光子材料的光学非线性，以及解决硅微孔谐振器设备的热挑战[19，20]。最后，已经证明了镜子对称的片上频率循环，以及由硅芯片上带光子跃迁引起的电动驱动的非转换的非逆向性[21，22]。使用微孔调制器的光学隔离也已经探索[23]。注意：我在试图维护原始含义和上下文的同时解释了文本。但是，为了清楚起见，可能已经省略或改写了一些次要细节。研究人员刘和团队开发了一种大规模生产高质量氮化硅光子电路的方法，以最低的损失率以最低的损失率实现了出色的性能。在他们最近在《自然传播》中的出版物中详细介绍了这一突破。
luxtelligence sa
光子综合电路（图片）对于现代数据中心内的数据传输是必不可少的，并且传统上遍布多个应用程序领域，限于散装光学元件，例如LIDAR和BIOSESENT。薄膜硅锂（LNOI）的最新进展显示了LNOI综合光子电路的主要潜力，这些电路表现出强大效应，从而实现了超快和有效的电流调制，但难以通过干蚀刻来处理。出于这个原因，不可能蚀刻紧密的封闭波导 - 通常在硅或氮化硅中实现的 - 这阻碍了材料向商业铸造厂的过渡。虽然硅或磷化物的发育良好，但在欧洲提供了许多商业铸造厂，提供PDK（工艺设计套件），但尼橙色锂的图片并非如此。使用钻石样碳（DLC）的新型制造过程，EPFL的最新进展克服了这一挑战。dlc在1950年代被发现，是一种具有出色硬度的无定形材料，并且能够沉积在纳米薄膜中。使用DLC作为硬面膜，EPFL表现出可靠的蚀刻，紧密限制和低损失图片的可靠制造，损失低至5 dB/m。这种制造方法可以预示新一代紧密限制的Niobate光子集成电路，尤其是用于在基于相干激光的射程，波束成形，光学通信或新兴经典和量子计算网络中的应用。该项目将该制造过程转变为Luxtelligence SA，并开发具有关键构件的工艺设计套件（PDK），特别是高速低压调节器，旨在成为欧洲第一个商业纯式纯种型铸造厂，并将lithium niobate Niobate Niobate niobate集成的光子循环访问。该项目的重点是关键技术，例如波导蚀刻和电极处理，并演示了PDK库中的基本组件，例如波导和电形相位变速器。
树突状粗糙。 div>
抽象的树枝状菌Asper是一种具有较高商业价值的竹类，是世界热带地区大规模农业林木种植园的首选竹子。使用组织培养的微磷化对于产生均匀的克隆至关重要的，这些克隆可容纳在工业农业污染项目中，用于竹类生物量，栖息地恢复或碳固存中。本文报告了使用市售种子建立D. Asper Invitro。使用三种不同的化学剂（次氯酸钠（20％），氯化汞（0.1％）和乙醇（70％），然后在Murashige和Skoog（MS）培养基上以6-苯甲酰胺（BAP）补充，浓度为1.0 -0 -0 -0 -0 -MG/l。在补充不同浓度的IBA吲哚-3-丁酸（IBA）和萘乙酸（NAA）的MS培养基上乘以繁殖，并最终在泥炭苔藓中生根并坚硬。我们的研究结果表明，灭菌方案消除了所有植物病原体，从而产生了轴突培养。补充5 mg/l BAP的全强度MS培养基在接种四个星期后产生的芽数量最高（每位外植体11.46）。在补充了3 mg/l BAP的MS培养基上获得了最高的乘法率（每次外植体3.95芽）。从启动到硬化所需的时间为70至90天，随后植物会准备进行现场试验。这项研究的结果将促进建立致力于生产D. Asper在本地生产的植物组织培养计划，从而消除了对进口的需求以及可能对当地农业林业行业有害的植物病原体的可能进入。关键字：dendrocalamus asper；竹子;微爆； 6苄基氨基嘌呤；吲哚-3-丁酸；萘乙酸； Murashige和Skoog Medium
非化学计量 NiFeMo 固溶体
HER 动力学缓慢，而 Ni 则具有一些积极特性，例如高导电性、稳定性和相对较高的地球丰度。[1,3] 自 20 世纪 60 年代以来，人们做出了巨大努力来提高 Ni 基电催化剂的催化活性，采用了各种有希望的候选材料，例如镍的氢氧化物、二硫属元素化物、磷化物、碳化物等。[1,4] 通常，可以通过调整催化剂的形貌（例如，生产纳米线、纳米片、纳米颗粒等）来增加活性表面积，以及改善可用活性位点的固有活性（例如，通过合金化、掺杂、缺陷工程等）来增强催化活性。对于镍而言，形成合金是改变形貌和内在活性的常用策略，其中 NiCo、NiFe 和 NiMo 混合物已被鉴定为很有前途的 HER 电催化剂。[2b,4,5] 多组分合金的使用是二元体系的自然延伸，其中已经研究了三元合金，例如 CuAlNi、NiMoFe 和 NiMoW[2b,4]，尽管每种金属的作用尚不完全清楚。在常见的 Ni 合金中，NiFe 混合物通常表现出更好的催化性能，特别是，在这些合金中添加 Mo 可以降低起始电位，这是由于有利的氢-金属相互作用和增加活性位点的数量。[4,6] 因此，NiFeMo 合金是最有前途的 HER 电催化剂之一，主要通过热液工艺[7]或电沉积生产。 [8] 合成技术的选择对催化剂的形貌有显著的影响，一般来说，不同的合成技术具有不同的最佳 Ni:Fe:Mo 金属比。此外，这些技术的特点是产量低、材料负载有限，使其在大规模应用中的使用变得复杂。因此，寻找一种能够生产三金属合金的可扩展技术对于氢经济的发展至关重要。溶液前体等离子喷涂 (SPPS) 是一种很有前途的技术，它有可能生产出各种具有适合作为电催化剂的特性的涂层 [9]。因此，在本研究中，我们表明，在等离子喷涂过程中使用含有 Ni、Fe 和 Mo 金属盐的液体前体
克服先进 InP HEMT 制造中的挑战
关键词：高电子迁移率晶体管 (HEMT)、磷化铟 (InP)、高频、制造摘要自 DARPA 太赫兹电子项目结束以来，诺斯罗普·格鲁曼公司 (NG) 一直致力于将工艺过渡到 100 毫米，并使先进的 InP HEMT 技术适用于高可靠性 A 类空间应用。NG 的 100 nm InP HEMT 节点目前处于制造就绪水平 (MRL) 9，而砷化铟复合通道 (IACC) 节点处于 MRL 3/4。为了提高 IACC 的 MRL，NG 一直致力于将工艺从材料生长转移到晶圆加工到 100 毫米生产线，并利用 100 nm InP HEMT 工艺的制造和认证专业知识。在整个工艺转移和成熟过程中，NG 克服了工艺重现性、产量和吞吐量方面的挑战，并进行了广泛的可靠性测试。引言在过去二十年中，在美国国防高级研究计划局、美国宇航局/喷气推进实验室和三军的资助下，诺斯罗普·格鲁曼公司 (NG) 通过积极缩小 InP HEMT 尺寸并使用超高迁移率砷化铟复合通道 (IACC) HEMT 结构，展示了高达太赫兹的高电子迁移率晶体管 (HEMT) [1,2] 和单片微波集成电路 (MMIC) [3-6]，如表 1 所示。InP 和 IACC HEMT 的关键制造步骤是分子束外延 (MBE)、电子束光刻 (EBL) 栅极、基板通孔 (TSV) 以及缩放互连和钝化工艺。材料生长和制造工艺最初是在 NG 的 75 毫米生产线上开发的。NG 致力于技术成熟工作，以缩小制造差距，以提高 IACC 节点的 MRL [7]。工艺概述 InP 和 IACC HEMT 晶圆采用分子束外延法在半绝缘 InP 衬底上生长。IACC 外延剖面具有复合通道，该通道由夹在两个晶格匹配的 In x Ga 1-x As 层之间的 InAs 层组成 [2]。高电子迁移率 InAs 通道是高频低直流功率操作的关键推动因素。肖特基势垒层和重掺杂帽经过优化，可实现低
1个拉曼光谱和晶格动力学计算...
含量和低成本的半导体，例如磷化锌（Zn 3 p 2），是下一代光伏应用的有希望的候选者。但是，有利于缺陷形成和可控掺杂的市售基材的合成是限制设备性能的挑战性缺点。更好地评估相关特性，例如结构，晶体质量和缺陷，将允许更快地进步Zn 3 P 2，从这个意义上讲，拉曼光谱可以发挥不可估量的作用。为了提供Zn 3 p 2的完整拉曼光谱参考，这项工作从实验和理论的角度来看，对四侧结构的Zn 3 P 2（空间组P 4 2 / NMC）纳米线的振动特性进行了全面分析。低温高分辨率的拉曼极化测量已在单晶纳米线上进行。不同的极化构型允许选择性增强1G，B 1G和E G拉曼模式，而从互补的不偏度拉曼测量中鉴定出B 2G模式。与洛伦兹曲线的所有拉曼光谱同时进行反向卷积允许鉴定33个峰，这些峰已在39个理论上预测的特定元素中分配给了34个（8 a 1g + 9 b 1g + 3 b 2g + 14 e g）。实验结果与基于密度功能理论的第一原理计算所计算的振动频率非常吻合。在声子分散图中观察到了三个独立的区域：（i）低频区域（<210 cm-1），该区域由Zn相关振动，（ii）中间区域（210 - 225 cm-1）主导，该区域（210 - 225 cm-1）代表真正的声子隙，无观察到的振动，（III）高频区域（III）高频率（III）primitation frirications（> 225 cm-cm-1）。振动模式的分析表明，非脱位模式主要涉及沿长晶体轴（C轴）的原子运动，而退化模式主要对应于平面振动，垂直于长C轴。这些结果为识别四方Zn 3 p 2相提供了详细的参考，可用于构建基于拉曼的方法，用于有效筛选散装材料和膜，这可能包含结构性不均匀性。
塞尔维亚人
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Foundry开发从...
光子整合技术已成为大量现有和利基应用程序的核心，就像微电子技术在[1]之前开发的几十年一样。以光子学为关键的促成技术[2]，集成是具有稳定，便携式和低功耗设备的成本效益填充应用程序市场的自然路径，类似于电子集成电路的传播。虽然光子整合技术的主要应用程序开发在Tele/DataCom [3，4]领域，但这些领域逐渐进入了其他领域，例如土木工程[5]，生物和生命科学[6]，环境传感[7-10]和自动动力[11]，以及许多其他领域。自然而然地，光子整合技术开发的最初努力专门用于整体整合，以建立稳定且可加入的单个平台。关键因素是纳入通用技术哲学[12，13]。这些早期活性基于硅（SI），磷化物（INP）和氮化硅（SIN）材料[14-17]的三种主流技术。尽管如此，当前的评论和路线图[18-20]倡导混合和异质整合[21，22]，承认使用单个材料平台的使用不能涵盖所有现有的应用程序。SI和SIN膜的整体组合也是研究的主题[23，24]。与基于SI指南的平台和二氧化硅平台（所谓的Planar Lightwave电路，PLC [27]）相比，Sin Photonics将两者的良好特征结合在一起。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。 与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。 与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。 因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。 与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。 与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。 因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。 与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。 与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。 因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。