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World File Search System磷化
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通过SURTEC：SURTEC 617 F量身定制的溶液提高磷酸化过程的效率是完美的选择。这是三燃锌磷酸化的行业标准。可持续性和过程成本优化是推出高度创新的模块化Zn磷化方法的驱动力。注意整个价值链Surtec不仅在化学流中确定了节省电位，而且还可以最大程度地减少能量和水的消耗以及最大的吞吐量。和最重要的是，无论是先前的E型或粉末外套，模块化的Zn磷化过程都可以确保Zn磷酸操作的高端性能。
VLC光子学 - 职位空缺
•领导和指导图片工程团队。•光子组件（主动和被动）的建模，仿真，设计和布局以及硅光子学，磷化物，磷化二硅，氮化硅，二氧化硅等中的电路。•铸造厂和软件提供商接口。•对技术人员，实习生和/或其他熟练技术人员执行的技术任务的监督。•在准备客户和研发建议以及项目任务方面的协作。•客户接口：电视和会议，项目管理。•支持招募新员工。•在基础架构方面维持和确定需求。•计划和监视图片设计团队中的资源和活动。•有助于持续改进与团队相关的流程，例如工程和文档最佳实践和工具的使用。
先进催化剂合成与表征 (ACSC)
• 具有可控原子位点、纳米结构和介观结构的金属改性氧化物/沸石 • 通过分子前体热解的金属碳化物、氮化物、磷化物 • 具有可控形貌、成分和晶相的纳米结构材料的可扩展溶液合成
978964.pdf -rwth Publications
金属氯化物配合物在温和条件下与Tris（三甲基甲硅烷基）磷酸反应，以产生金属磷化物（TMP）纳米颗粒（NPS），而氯甲基甲硅烷则作为副产物。与起始M-CL键更强的Si-Cl键的形成是反应的驱动力。通过使用[RUCL 2（Cymene）]和Tris（Trimet-hylsilyl）磷酸在35°C中制备该策略的潜力。将小（1.3 nm的直径为1.3 nm）和无定形NP形成，其整体RU 50 P 50组成。有趣的是，这些NP可以很容易地固定在功能支持材料上，这对于在催化和电催化中的潜在应用引起了极大的兴趣。mo 50 P 50和CO 50 P 50 NP也可以按照相同的策略合成。这种方法简单且通用，并为在轻度反应条件下制备广泛的过渡金属磷化物纳米颗粒的方式铺平了道路。
自支撑CoxP/Co3(PO4)2/C复合纳米纤维垫的合成及其作为锂硫电池多功能中间层的特性
超级电容器[18]、锌空气[19,20]和锂空气电池[21]以及锂离子、钠离子和钾离子存储负极。[22–24] 不同钴磷化物（Co x P：CoP+Co 2 P）[25]与氧化钴（Co x P/CoO）[26]的组合使这些材料多功能化并提高了其性能。另一方面，Co x P和Co 3 (PO 4 ) 2的联合作用对锂硫电池电化学性能和多硫化物转化机理的影响尚未研究。尽管钴磷化物具有广泛的潜在应用，但它们通常通过复杂的合成路线合成，包括在过量的磷源和还原剂中对钴或钴氧化物进行磷化。[22,24–26] 最近，Li等人。报道了使用化学计量的脱氧核糖核酸 (DNA) 作为 P 源，通过简便的静电纺丝和热处理成功合成了 Co 2 P/Co 2 N/C。[27] 另一方面，由于聚丙烯腈（碳源）溶液中无机组分的溶解度较差，限制了 Co 2 P 的含量。相反，使用水和乙醇可溶性的聚乙烯吡咯烷酮 (PVP) 作为碳源，可以合成无机组分含量高的碳复合材料。[28] 此外，还证实了 PVP 衍生的碳/SiO 2 复合纳米纤维垫可以作为多功能中间层，有效防止多硫化物的穿梭，并提高 S 基锂电池的电化学性能。[29,30]
韦尔半金属磷化铌薄膜中的超快亚 100 fs 全光调制和高效三次谐波产生
近年来，外尔半金属（WSM）在固态研究中引起了广泛关注。它们的独特性质是由电子能带结构中导带和价带的单个接触点决定的，该结构具有线性电子色散。[1,2] 在这种所谓的外尔锥中，电子表现为无质量的准相对论费米子，并由狄拉克方程的相应解外尔方程描述。[3] 这些外尔节点总是以相反手性的成对出现，在动量空间中分开并由拓扑保护的表面态（费米弧）连接。 [4,5] 这种特殊的电子结构产生了许多材料特性，例如高电子迁移率、[6,7] 低温超导性、[8–10] 巨大的磁阻、[11,12] 强烈的异常霍尔效应、[7,11,13] 以及 Adler–Bell–Jackiw 异常。[14–17]
InP和GaAs双栅极MOSFET的设计与分析
摘要 本文分析了一种由III族材料（铟、镓）和V族材料（磷化物、砷化物）统一构成的新型双栅极MOSFET（DG MOSFET）。由于其对短沟道效应的免疫、漏电流的减少和更高的扩展潜力，DG MOSFET成为低功耗应用最舒适的器件之一。在本文中，我们研究了基于磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）的DG MOSFET通过取代基于硅的传统DG MOSFET对最佳性能和漏极电流特性的影响。晶体管的沟道长度设定为20纳米。这两种器件都使用NanoHub模拟器建模，并使用Matlab检查了特性。通过相应的绘图结构对特性进行了描述性分析——能带结构、ID vs V GS特性、ID vs V GS特性、跨导。从提供的结果来看，基于 InP 的 DG MOSFET 器件提供的导通电流为 10 -3 A，优于基于硅和砷化镓 (GaAs) 的 DG MOSFET 器件。关键词：DG MOSFET、GaAs、InP、导通电流、关断电流
Spie Photonics Europe 2024最佳学生纸奖
光学传感和检测12999-35光纤传感应用的集成光子询问器Aleksandra Bieniek-Kaczorek，Warsaw Univ。技术（波兰）；斯坦尼斯劳·普斯金斯基（Stanislaw Stopinski），卡尔兹·史蒂夫·安德斯（Krzysztof Anders），华沙大学（Univ）。of Technology (Poland) Specialty Optical Fibres VIII 13001-6 Static and dynamic mode interaction in high-average power polarization maintaining fibers Gonzalo Palma Vega, Fraunhofer-Institut für Angewandte Optik und Feinmechanik IOF (Germany) Fiber Lasers and Glass Photonics: Materials through Applications IV 13003-36 Optical properties of激光纤维的TM掺杂眼镜Arni Pratiwi，Leibniz-InstitutFürPhotonische Technologien E.V.（德国）非线性光学及其应用2024 13004-19在磷化物磷化物综合波导尼古拉·库兹尼托夫（Ecole Polytechniquefédéralede Lausanne（Switzerland）
拓扑化学合成磷化铜纳米带用于柔性光电忆阻器
金属磷化物纳米带因特殊的电子结构、大的接触面积和优异的力学性能而成为柔性光电子微器件的理想构建材料。本工作采用拓扑化学方法从结晶红磷纳米带（cRP NR）制备单晶磷化铜纳米带（Cu 3 P NR）以保留 cRP 形貌。Cu 3 P NR 用于在 ITO/PEN 基底上构建柔性光电忆阻器，以 Cu 3 P NR 的天然氧化壳作为电荷捕获层来调节电阻开关特性。基于 Cu 3 P NR 的忆阻器在不同机械弯曲状态和不同弯曲时间下均具有出色的非挥发性存储性能。从基于 Cu 3 P NR 的忆阻器中观察到光学和电学调制的人工突触功能，并且由于记忆回溯功能，使用 Ag/Cu 3 P/ITO 人工突触阵列实现了模式识别。拓扑化学合成法是一种通用方法，可用于生产具有特殊形态和特定晶体取向的纳米结构化合物。结果还表明，金属磷化物是未来光电神经形态计算的忆阻器中的优良材料。