b'在室温下,已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下,通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术,已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征,证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置,在 GaN:Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
小型量子处理器有助于使量子网络变得实用且对错误具有鲁棒性。例如,在基于测量的量子中继器中,多量子比特处理器可以净化纠缠[1-3],消除光子传输过程中由退相干引起的误差。小型处理器可用于生成某些容错通信方案 [5] 或盲量子计算 [6] 所需的簇状态 [4]。如果处理器之间能产生足够强的耦合,那么可扩展的分布式量子计算 [7,8] 将成为可能。适合制造小型量子处理器的物理系统与全尺寸量子计算的物理系统可能非常不同,全尺寸量子计算的主要关注点是扩展到大量量子比特。小型处理器可以优先考虑高量子比特互连性和强量子比特相互作用。这些特性表明系统内的量子比特彼此靠近,例如固体中的自旋簇。这些自旋团簇需要强光耦合,因为上述大多数小型处理器应用都是光学接口。此外,工作波长和带宽应与其他网络元件和光通道相匹配。这种光寻址自旋团簇系统的一个著名例子是金刚石中的氮空位 (NV) 中心与附近一组随机的 13 C 核自旋耦合 [9-11]。在本文中,我们提出了一种用于生成小型量子处理器的自旋团簇系统:稀土晶体中掺杂剂周围的稀土宿主离子(见图 1)。在这样的系统中可以解析数十个量子比特,而短的离子间距离意味着量子比特之间存在强相互作用。稀土离子具有光学可访问的超精细自旋态,具有较长的光学和自旋相干性
在可再生能源存储设备中使用稀土→当今使用可再生能源存储中最广泛部署的技术是锂离子(Li-ion),钠硫磺电池(NAS)和铅酸(PBA)。在这些电池组成中,稀土不会进入,也不是很少的(可能是添加剂)。的常用电池,只有镍金属氢化物(NIMH)电池包括阴极处的稀土合金。这些电池主要用于混合动力汽车和功率操作设备,但是它们用于可再生能源存储的用途将保持非常微不足道,尤其是因为与Li-ion电池相比,它们的成本很高,与Li-ion电池相比,其特性和性能更适合此目的(Ademe,2019年)。
