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外延 Ge/Si(001) 中应变-声子系数的温度依赖性：综合分析
在本文中，我们研究了外延 Ge/Si 层中拉曼模式的应变 - 声子系数的温度依赖性。为此，我们首先从理论上描述 b ( T ) 如何与材料弹性常数和声子波数的温度依赖性相关联。随后，我们分析了双轴应变场与 T 的关系，明确证明 ε ( T ) 可以分解为两个独立的贡献：(a) 外延应变，由于 Si ─ Ge 晶格失配（在特定温度下）引起，(b) 热应变，由 Ge 外延层和相对较厚的 Si 衬底之间的热膨胀系数 (CTE) 差异引起。最后，我们使用这些结果直接提取 150 – 450 K 范围内 Ge/Si 样品中的 b ( T )，通过比较 T 相关的 μ -Raman 测量与 T 相关的高分辨率 X 射线衍射实验 (HR-XRD)，
涂层厚度对取向和热膨胀系数的影响
从 X 射线衍射实验中观察到，基材上固化的聚酰亚胺薄膜的取向使得酰亚胺链优先沿薄膜的平面方向排列。对于具有刚性棒状聚酰亚胺的薄膜，薄膜取向尤其突出，并且随着薄膜厚度的增加而显着降低。涂层厚度对聚酰亚胺薄膜取向和有序性的影响在纯均苯四甲酸二酐-对苯二胺 (PMDA-PDA) 薄膜中最为明显，在含有 50% 均苯四甲酸二酐-4,4'-二苯氧基二苯胺 (PMDA-ODA) 和 50% PMDA-PDA 的薄膜中略小，而在含有 100% PMDA-ODA 的薄膜中相对不明显。根据傅里叶变换红外衰减全反射光谱实验的C=O和C-N拉伸吸收带，位于薄膜中心附近的酰亚胺分子表现出比靠近表面的酰亚胺分子更差的结构有序性。这揭示了为什么随着薄膜厚度的增加，平均薄膜取向会降低，相应的热膨胀系数会增大。