机构名称：
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本文研究了硅P-I-N光二极管中少数荷载载体的收集系数以及某些技术因素对其的影响。已经发现，由于光生荷载体的收集面积随着这些参数的增加而增加，因此少数荷载体的扩散长度和材料的电阻率对收集系数的值有显着影响。还发现，增加光电二极管收集系数的有效方法是确保光电二极管的高阻力区域的厚度等于少数荷载体的扩散长度的总和和空间电荷区域的宽度。研究了掺杂剂浓度对响应性和收集系数的影响。发现，与计算出的数据相反，在实验数据中，收集系数随着磷和硼浓度的浓度而增加，并且杂质的响应率降低，杂质的浓度降低，收集系数的降低是由于杂物的程度降低，而造成较小的范围较小的延伸率，而造成较小的频率延伸的速度延伸，并且频率降低了范围的延伸范围。关键字：硅； photodiode;反应性； tharge tomerclection;屏障容量PAC：61.72。ji，61.72.lk，85.60.dw
研究硅P-i-n光电二极管的电荷载体收集系数†
主要关键词
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