机构名称：
¥ 1.0
抽象的二维基于材料的现场效应晶体管有望在电子和光电应用中使用。但是，晶体管中存在的陷阱状态已知会阻碍设备性能。他们在通道中捕获 /释放载体，并导致转移特征的滞后。在这项工作中，我们在两个不同的栅极介电介质SIO 2和H-BN上制造了MOTE 2场效应的晶体管，并研究了温度依赖性的电荷捕获行为在其传递曲线中的滞后。我们观察到，带有Sio 2后挡栅介电的设备受Sio 2绝缘子陷阱和MOTE 2的影响，后者在310 K以上的温度下变得突出。在传导带边缘以下389 MEV处的捕获能级。从发射电流瞬态测量中观察到了传导带边缘以下396 MeV的类似能级。从以前的计算研究中，我们预计这些陷阱状态将成为柜员的空缺。我们的结果表明，可以通过仔细选择栅极绝缘体来减少MOTE 2处效应晶体管中的电荷陷阱，从而为设备制造提供指南。
研究Mote2场效应晶体管中的电荷陷阱
主要关键词
相关文件推荐
