机构名称：
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图 1 显示了 n 沟道结型场效应晶体管 (FET) 的原理图结构。如果在沟道上施加电压，使漏极相对于源极为正，如图 Ib 所示，电子会通过沟道从源极流向漏极，从而产生漏极电流。漏极电流的大小由沟道的电导率和漏极-源极电压决定。当在栅极上施加负电压时，栅极将反向偏置。栅极和沟道之间的 pn 结周围会形成耗尽层，如图 1c 所示。因此，如果漏极-源极电压为恒定值，则漏极电流会因栅极-源极电压而变化。如果栅极电压足够负，则耗尽层将延伸到整个沟道，漏极电流会变得非常小；然后沟道被称为“夹断”。因此，JFET 被称为耗尽或“常开”器件。
场效应晶体管第 11 部分 - CMOS - Pearl HiFi
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