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通过紫外分光光度准曲（包括纳米体）和PICOGREEN分析获得的DNA定量值的比较
有一系列可用于定量DNA的方法，包括吸光度，琼脂糖凝胶电泳和荧光DNA结合染料。传统方法涉及使用紫外分光光度计测量样品的吸光度。DNA在260 nm附近具有最大吸光度，因此该波长的紫外线通过样品传递。较高水平的吸光度表明样品中存在的DNA浓度更高。此方法的优点是也可以评估DNA的质量；还测量了280 nm处的吸光度以确定蛋白质污染的水平。A 260 /A 280比例表示DNA样品的纯度，值为1.8或更高的纯DNA样品。这种方法的缺点是，单链DNA（ssDNA）和RNA在260 nm处也吸收紫外线，因此可以干扰结果并引起双链DNA（DSDNA）浓度的高估。可用多种紫外线分光光度计，从量化板或比色杯中DNA的传统仪器到纳米旋风等仪器（Thermo
采用紫外飞秒激光烧蚀电离质谱法对 SnAg 焊料凸点进行三维成分分析
老材料在微电子领域的重要性日益凸显，不仅体现在二级封装（即印刷电路板组装层面），也体现在一级封装（例如，图 1 a 所示的倒装芯片组装）中。1 在这些应用中，各种类型、不同尺寸的焊料凸块用于三维集成电路 (3D-IC) 的复杂互连。1a 典型焊料凸块的构建示意图如图 1 b 所示。当今 300 毫米晶圆级焊料凸块应用技术上最相关的合金材料是电沉积共晶 SnAg。1b 然而，由于 Sn 2+ 和 Ag + 离子的标准还原电位差异很大（ΔE0≈0.94V），通过电化学沉积制造 SnAg 合金是一项艰巨的任务。为了解决这个问题，通常会在 SnAg 电镀液中添加络合剂和螯合剂，这些络合剂和螯合剂选择性地作用于较惰性的 Ag + 离子，从而减慢其沉积速度以与 Sn 2+ 相兼容，并促进两种金属的共沉积。2 这是实现所需合金成分的关键先决条件。3 此类络合剂和螯合剂的另一个补充功能是稳定含 Sn 电解质中的 Ag + 离子，防止其还原为金属 Ag 以及随之而来的 Sn 2+ 氧化
明智的杂种掺杂会产生高性能的深蓝色/近紫外的多滋养热激活的延迟荧光OLED
提出了两个多弹性热激活的延迟荧光（MR-TADF）发射器，并显示了如何进一步的深蓝色MR-TADF Emitter（didobna-n）的blueShifts，blueshifts，并缩小产生新的近乎UV的MR-TADDF EMitter，MESB-DIDOBNA-N，MESB-DIDOBNA，MESB-DIDOBNA-N。didobna-n发出明亮的蓝光（𝚽 pl = 444 nm，fwhm = 64 nm，𝚽 pl = 81％，𝝉 d = 23 ms，tspo1中的1.5 wt％）。基于此扭曲的MR-TADF化合物的深蓝色有机发光二极管（OLED）显示，CIE Y的设备为0.073的设备的最大最大外部量子效率（EQE MAX）为15.3％。融合的平面MR-TADF发射极，MESB-DIDOBNA-N显示出近量的较小和窄带（𝝀 pl = 402 nm，fWHM = 19 nm，𝚽 pl = 74.7％，𝝉 d = 133 ms，TSPO1中的1.5 wt％）。掺有共同主持人的MESB-DIDOBNA-N最好的OLED显示出近紫外OLED的最高效率为16.2％。以0.049的CIE坐标为0.049，该设备还显示了迄今为止MR-TADF OLED的最蓝EL。
同时的方法开发和验证...
这项研究工作旨在开发简单，准确，精确的分析方法，以同时估算盐酸普萘洛尔和盐酸胺碘酮，用于治疗心血管疾病。为估计建立了紫外可见分光光度计方法。盐酸盐盐酸盐在甲醇中显示出更好的溶解度，盐酸普萘洛尔盐酸盐的溶解度会增加。紫外可见分光光度计方法的线性在16-24 µg/ml的范围内，丙酮的含量为4 -8µg/ml。λmax分别为288 nm和242nm。普萘洛尔和胺碘酮的回收率分别为100％和98.6％。发现普萘洛尔的相关系数为0.998，胺碘酮为0.999。紫外可见的光谱法是快速，成本效益，更精确和准确的。此方法可以很有用，因为没有开发用于丙诺酚和胺碘酮的分析方法。
立方卤化物 KCaCl3 钙钛矿在压力下的紫外至可见带隙工程用于光电应用：来自 DFT 的见解
Linh 等人 35 发现用离子半径较大的碱金属（M = Li、Na 和 K）取代（Bi 0.5 M 0.5 ）TiO 3 会增加其直接带隙。将 MCaF 3（M = K、Cs）中的 K 位取代为 Cs 位，可将带隙从间接变为直接，从而改善光学特性。36 Gillani 等人还报道将碱土金属（Mg、Ca、Ba）掺杂到 SrZrO 3 中可使带隙从间接变为直接。37,38 此外，利用静水压力将带隙从间接变为直接被证明是有益的，就像在许多立方钙钛矿中所看到的那样。 39 – 44 通过施加外部压力，卤化物立方钙钛矿 CsBX 3 (B ¼ Sn, Ge; X ¼ Cl, Br) 的带隙减小到零，从而导致半导体到金属的转变。45 – 49 在静水压力下，还对 Ca 基立方碱金属卤化物钙钛矿 KCaX 3 (X ¼ F, Cl) 50,51 和 ACaF 3 (A ¼ Rb, Cs) 进行了第一性原理研究。52,53
IC20 离子色谱仪操作手册
IC20 离子色谱仪使用电导率检测进行等度离子分析。IC20 在单个仪器中集成了泵和检测器功能。基于微处理器的双活塞变速输送系统以精确控制的流速泵送洗脱液。IC20 电子设备可对液相和离子色谱中的离子分析物进行灵敏、准确的检测和定量分析。这对于缺乏紫外发色团且无法通过紫外吸光度以足够灵敏度测定的分析物尤其有用。数字信号处理器 (DSP) 可高速控制泵流量和压力。
黑洞和半经典量子引力
自然界中实现的广义相对论的紫外完备性尚不清楚。弦理论是一个强有力的候选者，尽管不是唯一的候选者。但是，即使我们不知道紫外完备理论，我们也可以问，与我们在低能下观察到的现象的一致性如何制约量子引力。相反，任何候选的量子引力基本理论都必须能够解释所有低能现象，我们希望测试这种能力。黑洞可能是这些问题表现出来的最简单的系统，因此它们代表了量子引力的完美试验场。由于它们发挥的作用类似于氢原子在 20 世纪初量子力学发展中发挥的作用，因此人们经常说黑洞是量子引力的氢原子。
EUV 掩模吸收层的优化
极紫外光刻 (EUVL) 是最有前途的技术之一，它可将半导体器件制造的极限扩展到 50 纳米及以下的临界尺寸 [1]。EUVL 需要制造反射掩模，它不同于紫外可见光光刻技术所用的传统透射掩模。极紫外 (EUV) 掩模由一个 EUV 波长的反射镜组成，反射镜上沉积了吸收图案堆栈。干涉镜由高折射率和低折射率材料的交替堆栈制成，通常是沉积在基板顶部的 40 个 Mo/Si 双层。通过调整 Mo 和 Si 层的厚度，可以针对 13.5 纳米的波长优化反射率。对于“双层工艺” [2]，吸收图案堆栈由缓冲层顶部的导电吸收层制成，缓冲层用作蚀刻停止层以及吸收层修复步骤中的保护层。过去几年，人们评估了多种材料（Ti、TiN、Al-Cu、TaSi、Ta、TaN、Cr）[2–4] 作为 EUV 掩模的导电吸收材料的可能性。图 1 描述了这种基本的减法 EUV 掩模工艺流程，其中采用了“双层”吸收堆栈。