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使用真空紫外光在 100 C 下沉积二氧化硅
开发了一种用于低温沉积二氧化硅的新光化学反应。在此过程中，硅烷在真空紫外线照射下与二氧化氮发生反应。报告了在 1006C 下生长的薄膜的电气和机械性能。硅上金属氧化物半导体结构的电容电压测量表明界面态密度 <5 10 11/cm 2。讨论了几种可能的反应机制，并提出了表明表面光化学可能是
用于元件抛光的CeO2基复合材料的研究进展
Figure 7. Morphologies and surface roughness values of (a) the initial surface and the polished surface under conditions of (b) without UV-light, (c) TiO 2 film electrode with UV-light, (d) TiO 2 film electrode with UV-light and anodic bias, (e) CeO 2 -TiO 2 composite-film electrode with UV-light and (f) CeO 2 -TiO 2 composite-film elec- trode with UV-light and anodic bias [31] 图 7. (a) 初始表面； (b) 无紫外光条件下抛光表面； (c) 有紫外光并使用用 TiO 2 薄膜电极抛光下表 面； (d) 在有紫外光和阳极偏压的 TiO 2 薄膜电极下抛光表面； (e) 有紫外光并使用 CeO 2 -TiO 2 复合 膜电极下抛光表面； (f) 有紫外光和阳极偏压的 CeO 2 -TiO 2 复合膜电极抛光表面的形貌和表面粗糙 度值 [31]
开发和验证紫外分光光度计方法，用于同时估计alprazolam和propranolol
抽象开发了一种简单，快速，精确和高度选择性的分光光度法，用于同时估算纯和片剂剂型的盐酸盐和普萘洛尔盐酸盐。同时方程方法基于在263 nm和289 nm处的吸光度测量，作为两个波长，选择用于定量阿普唑仑和盐酸普萘洛尔盐酸盐，使用0.1 n HCl作为溶剂。该方法的特异性，线性，准确性，精度，鲁棒性和坚固性得到验证。使用一对1 cm匹配的石英细胞的双束Shimadzu紫外线可见分光光度计，1800在开发方法中测量溶液的吸光度。根据ICH指南对该方法进行了验证。线性含量为5-25 µg/ml，用于阿普唑仑，盐酸普萘洛尔的10-50 µg/ml。％RSD计算的小于2，这表明该方法的准确性和可重复性。恢复研究表明，可以同时定量这些药物，而不会干扰配方中的赋形剂。开发的紫外线光谱法适用于以合并剂型的ALP和PRP分析。ALP的精度分别在98-100％和PRP的99-100％之间。ALP的精度（％RSD）分别为0.308，PRP分别为0.875。ALP的LOD分别为0.041µg/ml，PRP分别为0.094µg/ml。关键字阿普唑仑，盐酸普萘洛尔，同时方程，方法验证和紫外分光光度计。
新型深紫外微型 LED 阵列推动无掩模光刻技术发展
光刻技术在集成电路芯片制造中发挥着至关重要的作用，是半导体和微电子工业的关键核心技术之一。20世纪90年代以来，低成本、高分辨率无掩模光刻系统成为先进光刻技术研究的热点。然而，该项前沿技术的专利主要掌握在欧洲、美国、日本和韩国手中，技术壁垒较高。
非晶态基底上具有高紫外至可见透明度的相关金属透明导体
传统透明导电氧化物 (TCO) 的技术策略是采用简并掺杂宽带隙半导体来实现两个关键特性：电导率和光学透明度。宽带隙半导体被选为主体材料，其带间跃迁高于可见光谱，而掺杂剂则增加载流子密度，从而提高电导率。锡掺杂氧化铟 (ITO) 因其在可见光谱中实现了高电导率和光学透明度的最佳平衡而得到广泛应用。[3] 然而，由于铟矿的供应有限，ITO 用作 TCO 的使用越来越多，导致 ITO 成本上升。[4] 同时，许多其他应用，如日盲探测、紫外 (UV) 光刻、紫外发光二极管和紫外固化，都需要紫外光谱中的透明导体。[5–8] 然而，传统的高电导率 TCO 在光谱的紫外侧表现出低透射率。 [1]
使用金薄膜对电感耦合等离子体中真空紫外光子通量的绝对测量
描述了一种绝对测量等离子体边缘真空紫外 (VUV) 光子通量的新方法。让等离子体产生的光撞击远离等离子体的带负偏压的镀金铜基板。测量由此产生的光电子发射电流，然后根据已知的 Au 光电子产额找到绝对光子通量。该方法用于量化氩/氦电感耦合等离子体 (ICP) 产生的 VUV 光量。观察到 104.82 和 106.67 nm 的强发射，对应于氩的 1s 2 和 1s 4 共振态。在远程位置测得的最大积分 VUV 光子通量为 3.2 × 10 13 光子/cm 2 s。估计这对应于 ICP 边缘 5 × 10 15 光子/cm 2 s 的通量，在类似条件下报告的值范围内。
可调节的结构颜色图像通过紫外图形的导电聚合物纳米膜上的金属表面
Organic electrochemical transistors (OECTs), [16,18–27] is currently one of the most studied organic electronic devices and is explored in various applications, such as in fully printed logic circuits, [16,26] active matrix addressed displays, [17] dis- play driver circuits, [19] sensors, [22,23,28–33] neuromorphics, [24] just仅举几例。可以使用不同的打印技术，例如丝网印刷，[19,21] 3D打印，[30]喷墨打印，[34]和其他流程来通过具有成本效益的协议来制造。[35,36]基于OECT的逻辑门和电路也进行了广泛的研究，[35,37-40]，其中逆变器作为任何组合逻辑电路的基本组件都起着关键作用。通过采用基于OECT的逆变器[16,26,35]作为高级电路的基本组成部分，可以实现各种形式的基于OECT的数字电池[16,24,35]。在有机电子设备中，通过考虑针对目标的最终应用，在低电压和低功率下运行的电路是完全需要的。通过降低电路的操作电压率，可以最大程度地减少电压应变和降解风险。[16]然后，这允许长时间的操作寿命，与其他技术平台的简单集成以及与通信基础架构的连接。例如，在物联网（IoT）应用程序中，为了降低使用大量电子组件在紧凑型电路中使用大量电子组件的整体功耗，要求对单个逻辑组件的有效使用来扩展IoT生态系统。要意识到这样的电路，必须降低系统元件的操作电压水平。由于逆变器是逻辑电路的关键要素，因此最终电路的工作电压范围可以在很大程度上降低
利用金薄膜绝对测量电感耦合等离子体中的真空紫外光子通量
描述了一种绝对测量等离子体边缘真空紫外 (VUV) 光子通量的新方法。让等离子体产生的光撞击远离等离子体的带负偏压的镀金铜基板。测量由此产生的光电子发射电流，然后根据已知的 Au 光电子产额找到绝对光子通量。该方法用于量化氩/氦电感耦合等离子体 (ICP) 产生的 VUV 光量。观察到 104.82 和 106.67 nm 的强发射，对应于氩的 1s 2 和 1s 4 共振态。在远程位置测得的最大积分 VUV 光子通量为 3.2 × 10 13 光子/cm 2 s。估计这对应于 ICP 边缘 5 × 10 15 光子/cm 2 s 的通量，在类似条件下报告的值范围内。
具有紫外和近红外窄带检测能力的波长可调多光谱光电探测器
摘要——开发具有窄带和可调光谱灵敏度的高性能多光谱光电探测器具有重要意义，但迄今为止仍然极具挑战性。本文，我们报道了一种 Si Au/n 型 Si/Au 光电探测器，它不仅在紫外线而且在近红外区域都具有可调窄带灵敏度，这与受控电荷收集变窄 (CCN) 机制有关。此外，当偏压从 0.1 变为 -0.1 V 时，该器件的负响应峰可以从 365 nm 轻松调整到 605 nm，正响应峰可以从 938 nm 调制到 970 nm。特别是，当负响应峰和正响应峰分别接近紫外短波长端和近红外长波长端时，半峰全宽分别小至 92 nm 和 117 nm。器件在紫外-可见光和近红外区域的响应极性相反，使得目前的硅光电探测器在未来的多波段光电系统中具有潜在的重要意义。
使用紫外分光光度准曲测定法：swertiamarin定量分析：快速且成本效益
简介：紫外线可见度（UV-VIS）分光光度计是一种具有成本效益，可靠且较少的时间耗时的分析技术，用于定量分析，可检测杂质，化学变质，化学变质以及药品中稳定剂和包装材料的影响。吸收的频谱决定了样品中的微观环境。目标：根据ICH标准，研究并验证了Swertiamarin（SWMN）的一种简单，简单，精确，可靠的定量分析技术。结果：结果表明，在4至32μg/mL时，紫外透中swertiamarin的吸收光谱在λmax236 nm处的吸收光谱。和每个浓度的线性。在98.5至104.6的范围内，可以看到恢复％。在0.163µg/ml（LOD）和0.493µg/ml（LOQ）的浓度下观察到该方法的灵敏度。结论：精度，可重复性，准确性，坚固性和鲁棒性在限制范围内。定量紫外分光光度法可以确定样品（SWMN）浓度进行常规分析。关键字：Swertiamarin（SWMN），UV-VIS分光光度法，敏感，精度。