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基于纳米厚窄带隙半导体PbS薄膜的紫外光电探测器
摘要：紫外光电探测器（UVPD）在军事和民用应用中发挥着重要作用，通常采用宽带隙半导体（WBS）作为构造模块来制造。遗憾的是，基于 WBS 的 UVPD 商业化往往受到其相对较高的制造成本的限制，因为需要使用非常复杂的生长仪器。在本文中，我们提出了一种基于具有相对较小带隙的非 WBS 硫化铅（PbS）的灵敏 UVPD。器件分析表明，由 48.5 nm PbS 纳米薄膜制成的 UVPD 对 365 nm 的紫外线照射高度敏感。具体而言，在 365 nm 照射下的响应度和特定探测率分别为 22.25 AW − 1 和 4.97 × 10 12 Jones，与大多数传统的基于 WBS 的 UVPD 相当或更好。基于 PbS 纳米薄膜的 UVPD 还表现出优异的环境稳定性。实验结果和基于技术计算机辅助设计软件的模拟证实，PbS 纳米薄膜的异常特性与相对较薄的厚度和波长相关的吸收系数有关。这些结果为窄带隙半导体在未来光电设备和系统中实现低成本敏感 UVPD 提供了机会。关键词：紫外光电探测器、窄带隙半导体、PbS、高响应度、技术计算机辅助设计 ■ 介绍
使用金薄膜对电感耦合等离子体中真空紫外光子通量的绝对测量
描述了一种绝对测量等离子体边缘真空紫外 (VUV) 光子通量的新方法。让等离子体产生的光撞击远离等离子体的带负偏压的镀金铜基板。测量由此产生的光电子发射电流，然后根据已知的 Au 光电子产额找到绝对光子通量。该方法用于量化氩/氦电感耦合等离子体 (ICP) 产生的 VUV 光量。观察到 104.82 和 106.67 nm 的强发射，对应于氩的 1s 2 和 1s 4 共振态。在远程位置测得的最大积分 VUV 光子通量为 3.2 × 10 13 光子/cm 2 s。估计这对应于 ICP 边缘 5 × 10 15 光子/cm 2 s 的通量，在类似条件下报告的值范围内。
能量下转换 Cs3Cu2Cl5 纳米晶体可提高紫外光电探测器的效率
零维 (0-D) 卤化铅钙钛矿纳米晶体 (NC) 因其优异的性能，例如高光致发光量子产率 (PLQY) 以及尺寸和成分控制的可调发射波长，在光电器件领域引起了人们的广泛兴趣。然而，铅钙钛矿 NC 中铅 (Pb) 元素的毒性是钙钛矿 NC 商业化应用的瓶颈。在此，我们报道了一种简便的配体辅助合成方法，实现了无铅 Cs 3 Cu 2 Cl 5 NC，其 PLQY 高达 ∼ 70% 并且对环境氧气/水分具有良好的稳定性，是一种很有前途的下转换材料。它具有高 PLQY 和大斯托克斯位移（∼ 300 nm）的优点，这源于 Jahn-Teller 畸变和自陷激子 (STE) 的影响。此外，Cs 3 Cu 2 Cl 5 NCs 嵌入复合膜 (NCCF) 被用于增强硅 (Si) 光电探测器的紫外线 (UV) 响应。外部量子效率 (EQE) 测量表明，基于 NCCF 与 Si 光电二极管的结合，紫外线响应可从 3.3% 大幅提高至 19.9% @ 295 nm。我们的工作提供了一种有效的方法来开发高效、稳定的无铅 Cs 3 Cu 2 Cl 5 NCs，用于太阳盲紫外线光电探测器。
开发臭氧监测仪 (OMI) 气溶胶指数 (AI) 数据同化方案，用于明亮表面的气溶胶建模——朝着紫外光谱直接辐射同化迈出了一步
摘要。使用矢量线性离散纵坐标辐射传输 (VLIDORT) 代码作为前向模型模拟的主要驱动程序，开发了一种首创的数据同化方案，用于将臭氧监测仪 (OMI) 气溶胶指数 (AI) 测量值同化到海军气溶胶分析和预测系统 (NAAPS)。这项研究表明，与 NAAPS 自然运行的值相比，使用 OMI AI 数据同化可以显著降低 NAAPS 分析中的均方根误差 (RMSE) 和绝对误差。模型模拟的改进证明了 OMI AI 数据同化对于多云区域和明亮表面的气溶胶模型分析的实用性。然而，单独的 OMI AI 数据同化并不优于在无云天空和黑暗表面使用被动式气溶胶光学厚度 (AOD) 产品的气溶胶数据同化。此外，由于 AI 同化需要在前向模拟中部署完全多散射感知辐射传输模型，因此计算负担是一个问题。尽管如此，新开发的建模系统包含了紫外 (UV) 光谱中辐射同化的必要成分，我们的研究表明，未来在紫外和可见光谱中直接辐射同化，可能与 AOD 同化相结合，可用于气溶胶应用。可以添加其他数据流，包括来自对流层监测仪 (TROPOMI) 的数据、