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World File Search System缺陷
钻石光谱、缺陷中心、颜色等……
研究材料与光的光谱相互作用的学科称为光谱学，我们可以从一个简单的问题开始：“光是什么？”。我们用眼睛观察到的光（以及我们看不见的光）是由于能量在空间中以电场和磁场的组合形式传播而产生的，称为电磁波。这种波可以用其波长来表征，可见光区域的光的波长范围从紫色区域的 400 nm 到红色区域的 700 nm。我们都熟悉彩虹的景象，如果彩虹的颜色在图中显示为波长垂直向下增加，那么红色以下是红外线，紫色以上是紫外线。这些区域无法用人眼探测到，但可以使用对这些波长敏感的合适仪器进行研究。对于钻石，我们会发现需要测量所有三个区域。
比较缺陷检测的图像处理技术
抽象缺陷检测是制造业中的一个关键质量控制过程，旨在在吸引客户之前识别和分类产品的缺陷或异常。传统的手动检查方法是耗时，劳动力密集的，容易出现人为错误。本文提供了基于图像的缺陷检测算法的全面概述，包括传统的图像处理技术，机器学习算法和深度学习模型。该研究分析了各种应用程序和数据集中每种方法的优势，局限性和性能。结果表明，尽管传统方法和机器学习算法提供可靠的缺陷检测，但深度学习模型，尤其是卷积神经网络（CNN），但具有出色的准确性和鲁棒性。但是，深度学习模型需要大量的计算资源和大量的标记数据进行培训。本文强调了根据特定的应用要求，数据特征和计算约束选择最合适的方法的重要性。此外，它讨论了未来的研究机会，例如开发更健壮和广义的算法，利用多模式数据，改善模型的可解释性以及实现实时和边缘计算解决方案。
人造甜味剂与可遗传的学习缺陷有关，...
Aspartame是一种人造甜味剂，用于各种产品，从减肥饮料到烘焙食品，口香糖甚至牙膏。添加剂已被FDA批准用于食品和饮料，但研究发现，阿斯巴甜与一系列健康问题有关，包括2型糖尿病，肥胖，情绪和行为障碍，荷尔蒙的破坏和对DNA的损害。，尽管通常认为该产品在低剂量下是安全的，但世界卫生组织在7月表示，甜味剂可能会“可能”引起癌症。在8月31日发表在《自然科学报告》杂志上的一项最近的一项研究中，佛罗里达州立大学的研究人员发现，即使在持续的时期中，即使是低剂量的阿斯巴甜，也可能导致空间学习和记忆缺陷，至少在小鼠中。“我们对小鼠的施用了一定剂量的阿斯巴甜，这相当于FDA规定的剂量的约10％至15％，作为人类最大的安全每日摄入量（每天每公斤每公斤50毫克的体重），“ Co-author Prade prade ann ann ann ann ann
针对 SOX10 缺陷细胞来减少休眠......
细胞可塑性导致肿瘤内异质性和表型转换，从而能够适应转移性微环境并对疗法产生耐药性。肿瘤细胞可塑性的潜在机制仍不清楚。SOX10 是一种神经嵴谱系转录因子，在黑色素瘤中异质表达。SOX10 的缺失会降低增殖，导致侵袭性，包括间充质基因和细胞外基质的表达，并促进对 BRAF 和/或 MEK 抑制剂的耐受性。我们发现细胞凋亡蛋白 1/2 (cIAP1/2) 抑制剂类可在 SOX10 缺陷细胞中选择性诱导细胞死亡。靶向治疗选择 SOX10 敲除细胞，强调其药物耐受性。将 cIAP1/2 抑制剂与 BRAF/MEK 抑制剂联合使用可延缓黑色素瘤在体内获得性耐药性的发生。这些数据表明，SOX10 介导皮肤黑色素瘤的表型转换，从而产生靶向抑制剂耐受状态，这可能是获得耐药性的前奏。此外，我们提供了一种选择性消除 SOX10 缺陷细胞的治疗策略。
绝缘体中与氢相关的缺陷
氢是绝缘子中的大量杂质，可以在半导体行业的生长和各种处理步骤中轻松引入。通过与不同的晶体缺陷反应，H可以钝化它们或形成新型的Elective elective Himctive H活性相关的复合物。[1,2]这些缺陷可能明显影响了微电子设备的电性能，对它们的控制是现代微电子的重要任务。在文献中，致力于研究h h h中与H相关缺陷的电和光学特性的研究相对较少。根据理论，孤立的间质h充当两性杂质，也可能是绝缘子中负电荷的来源。[3 - 5]通过使用第一个原理总计计算，kilic和Zunger [3]降低了间隙H应该根据Fermi水平在绝缘子带中的位置引入浅或深度状态。作者通过暗示存在H的过渡水平（þ /）的存在，应位于真空水平以下约3.0 0.4 eV。该级别的位置定义了绝缘子中孤立H的电荷状态。h应该是负（积极的）。浅氢状态也可以出现在绝缘体的带隙中。过渡级别的存在
二元量子缺陷的计算设计...
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InGaAs-SOI 界面缺陷的可靠性调查...
这项工作研究了铟镓砷 (InGaAs) SOI-FinFET 中界面缺陷在高性能应用中的可靠性。In 0.53 Ga 0.47 As 是一种很有前途的下一代晶体管材料，因为它具有高电子迁移率，这对于高速和高频应用至关重要。然而，界面陷阱电荷 (ITC) 的存在会严重影响器件的性能和可靠性。我们全面分析了 InGaAs SOI-FinFET 中的 ITC，研究了它们对线性性能参数（如 VIP2、VIP3、IIP3、IMD3、HD2 和 HD3）的影响。所有结果表明，优化界面质量对于提高 InGaAs SOI-FinFET 的可靠性和性能至关重要。这项工作为缺陷机制提供了宝贵的见解，并为改进制造工艺以实现更可靠的高性能 InGaAs-SOI-FinFET 提供了指导。因此，基于 InGaAs 的 FinFET 是最适合下一代使用的高性能半导体器件。 InGaAs 具有优异的电子迁移率和高饱和速度，为高频和高速应用提供了显著的优势，使其成为硅的理想替代品。
血小板功能缺陷的诊断评估
1Tübingen医学院，德国Tübingen临床和实验输血医学研究所2德国弗莱堡大学医学中心弗莱堡大学医学中心儿科和青少年医学系5临床化学和化学实验室诊断研究所，格拉兹医科大学，格拉兹，格拉兹，奥地利6号实验血液学和输血医学研究所（IHT）糖尿病中心北莱茵 - 韦斯特法里亚，鲁尔大学大学大学诊所，德国博丘姆实验室和输血医学研究所8临床止血，德国穆斯特大学穆斯特大学医院1Tübingen医学院，德国Tübingen临床和实验输血医学研究所2德国弗莱堡大学医学中心弗莱堡大学医学中心儿科和青少年医学系5临床化学和化学实验室诊断研究所，格拉兹医科大学，格拉兹，格拉兹，奥地利6号实验血液学和输血医学研究所（IHT）糖尿病中心北莱茵 - 韦斯特法里亚，鲁尔大学大学大学诊所，德国博丘姆实验室和输血医学研究所8临床止血，德国穆斯特大学穆斯特大学医院
通过...实现航空航天工业的零缺陷
在那些一路帮助我、让我能够完成这篇硕士论文并完成工程学位的人中，有几个人值得我感谢。我特别感谢和赞赏 S¨oren Knuts，我的导师和 GKN Aerospace Trollh¨attan 的代表。如果没有 S¨oren 孜孜不倦的兴趣和努力为我指明正确的方向，这一切都不可能实现。其次，我要感谢吕勒奥理工大学的 Erik Vanhatalo 教授指导我的工作并通过学术视角提供宝贵的反馈。我还要感谢我的朋友和对手 Albert Stenb¨ack Juhrich 在整个工作期间的反馈。S¨oren、Erik 和 Albert 一起帮助我提高了论文的相关性和质量。最后，我要感谢所有参与采访的人，他们让我能够收集定性数据，我认为这些数据是论文的基石，当然还要感谢 GKN Aerospace Trollh¨attan，尽管 COVID-19 疫情爆发，他们还是允许我完成论文。