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光诱导的近场耦合Terahertz的动态剪裁...
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实现量子点电信C的稳定光纤耦合......
由于制造技术和集成密度成熟，成熟的绝缘体上硅平台在大规模集成光子和量子光子技术中前景广阔。本文，我们介绍了一种高效稳定的光纤到芯片耦合，可将电信量子点的单光子注入绝缘体上硅光子芯片。另外两根光纤将芯片进一步耦合到单光子探测器。实现稳定光纤-芯片耦合的方法是基于使用与成角度的单模光纤稳定封装的光栅耦合器。使用这种技术，光纤和 SOI 芯片之间的耦合效率高达每个光栅耦合器 69.1%（包括锥度损耗）。通过使用 Hanbury-Brown 和 Twiss 装置测量二阶相关函数，验证了量子点产生的量子光与硅元件之间的有效界面。通过 g = 2 = 0 = 0 : 051 6 0 : 001，清楚地证明了注入的 QD 光子的单光子性质。这证明了接口方法的可靠性，并开辟了使用电信量子点作为具有高复杂性硅光子功能的非经典光源的途径。
通过空间物质结构雕刻超局部光 - 耦合
摘要：空腔量子电磁性的中心主题是单个光学模式与单个物质激发的耦合，导致双腔极化子的双重组控制耦合构成的光学特性。尤其是在Ultrastrong耦合方案中，那里的真空狂欢频率与光的准载体频率的比率是ωr ∕ c，接近Unity，Polariton Doublet Bridges巨大的频谱宽度2ωr，以及与偏离光和物质模式的进一步相互作用。尽管增加了复杂性，但由于增加了设计光 - 耦合共振的自由度，因此最终的多模式耦合最近引起了人们的注意。在这里，我们通过实验实现了一种新型策略，以通过在子波量表上定制多种平面金属Thz共振器的多种模式的空间过度雕刻超强的多模式耦合，以及多种平面金属THZ谐振器的空间过度和多种模式的降级两维电子的回旋量。我们显示
量子狂犬模型的光 - 婚姻耦合方案
光线互动在我们的日常生活中非常重要，因为他们对我们如何看待周围的世界负责。他们还负责为什么天空是蓝色的，以及为什么在太阳下方会感到温暖。轻度 - 物质相互作用是指光颗粒与材料原子中存在的电子相互作用的过程。与我们在通常的生活中观察到的相互作用类型不同，例如球碰撞，轻度互动是一种纯粹的量子机械现象。这是由于能源离散的结果，即量子力学中的能量水平。可以通过想象一个我们用大理石填充的空罐子来理解这一点。在这种情况下，每个大理石代表一个能量的一个单位，一个量子。去除或添加大理石到罐子中等同于从/向我们的粒子中添加或添加能量。在20世纪中叶，发现光颗粒（光子）与这些量子的能量相对应。通常，光 - 摩擦相互作用涉及通过两个过程在光子和电子之间的能量交换：吸收和发射。通过吸收光子，当电子转变为较高的能级（向罐子中添加大理石）时，就会发生吸收，而发射涉及电子返回到较低的能级（从罐子中去除大理石）并以光子的形式释放其能量。这些过程导致光耦合。
NF 系列弹簧复位直接耦合执行器
1/2” 导管连接器 过载保护 全程电子保护 0 至 95° 旋转 电气保护 辅助开关双重绝缘 旋转角度 95°, 可使用附件调节 30 至 95° 扭矩 60 英寸磅 [7 牛米] 恒定扭矩 旋转方向可逆，采用 CW/CCW 安装。位置指示视觉指示器，0° 至 95°（0° 为弹簧返回位置）辅助开关 1 x SPDT 7A (2.5A) @ 250 VAC，UL 认证可调节 5° 至 85° 运行时间电机：< 75 秒弹簧：< 60 秒湿度 5 至 95% RH 无凝结环境温度 -22°F 至 +122°F [-30°C 至 +50°C] 存储温度 -40°F 至 +176°F [-40°C 至 +80°C] 外壳 NEMA 2 型/IP54 外壳材料镀锌钢机构列表 UL 873 认证，CSA C22.2 No.24 认证噪音水平最大。45 dB (A) 免维护 质量标准 ISO 9001 重量 6.6 磅 (3.0 千克)技术数据 NF24 -S2 US 辅助开关 2 x SPDT 7A (2.5A) @ 250 VAC，UL 认证一组为 +5°，一组可调 25° 至 85°
耦合非线性光学腔增强光压缩
在本文中，我们探讨了两个耦合光腔产生的压缩效应。每个腔都包含二阶非线性材料并由激光器相干泵浦。我们的结果表明，由于非线性的存在，光强度得到了极大的改善，并且主要取决于外部激光频率和腔模式之间的失谐。更有趣的是，对于腔间适度耦合，所提出的方案可以增强光压缩：一个腔产生的压缩被另一个腔增强。对于共振相互作用，在共振附近可获得最高的压缩效应。当场非共振时，压缩在所考虑腔的共振附近增加，但对于相对于第二个腔的大失谐，压缩会减小。此外，当第二个腔的耗散率小于第一个腔时，压缩可以得到改善，达到接近完美的压缩。虽然温度升高总体上对非经典光有负面影响，但对于适当的参数集，挤压对热浴表现出明显的抵抗力。
减少场耦合纳米技术中的导线交叉
摘要 — 在电路设计领域，与传统的基于晶体管的逻辑相比，场耦合纳米技术 (FCN) 等新兴技术提供了独特的机会。然而，FCN 也带来了一个关键问题：线路交叉对电路稳健性的重大影响。这些交叉要么无法实现，要么会严重降低信号完整性，对高效电路设计造成重大障碍。为了应对这一挑战，我们提出了一种新方法，专注于减少 FCN 电路中的线路交叉。我们的方法引入了 LUT 映射和分解的组合，旨在在逻辑综合过程中产生有利的网络结构，以最大限度地减少线路交叉。这个新的优化指标优先于节点数和关键路径长度，以有效应对这一挑战。通过实证评估，我们证明了所提出方法的有效性，可将线路交叉的第一次近似值降低 41%。69%。这项研究为推进新兴电路技术中的线路交叉优化策略做出了重大贡献，为后 CMOS 逻辑时代更可靠、更高效的设计铺平了道路。
传动和传动系统中的元素间耦合分析
图 7 - 单个元件的模拟增益与近似增益比较 .............................................................................. 16 图 8：3x3 阵列中的单个元件 .............................................................................................. 16 图 9：3x3 阵列中元件的增益模式，其余元件开路 ............................................................. 17 图 10：3x3 阵列中元件的增益，其余元件端接至 50Ω ............................................................. 18 图 11：5x5 阵列中的单个元件 ............................................................................................. 19 图 12：5x5 阵列中元件的增益模式，其余元件开路 20 图 13：5x5 阵列中元件的增益，其余元件端接至 50Ω ............................................................. 21 图 14：发送和接收元件模拟 ............................................................................................. 22 图 15：单个 Tx 和 Rx 元件的返回和插入损耗模拟 ............................................................................. 22 图16：全阵列几何结构 ................................................................................................ 23 图 17：Tx 和 Rx 元件的 S 参数，其他元件开路 ........................................ 24 图 18：Tx 和 Rx 元件的 S 参数，其他元件端接至 50Ω ........................................ 25 图 19：MatLab 程序的嵌套 FOR 循环片段 ............................................................. 27 图 20：回波损耗，中心频率 8.14 GHz ............................................................................. 33 图 21：Z-Smith 图，Z 1 =(50.42-0.08j)Ω ............................................................................. 33 图 22：回波损耗，中心频率 8.16 GHz ............................................................................. 34 图 23：Z-Smith 图，Z 1 =(51.67-3.92j)Ω ............................................................................. 34 图 24：回波损耗损耗，中心频率 8.15 GHz .............................................................................. 35 图 25：所有 S 参数 .......................................................................................................... 35 图 26：Z-Smith 图，Z 1 =(50.46-0.14j)Ω ...................................................................... 36 图 27：回波损耗，中心频率 8.16 GHz ............................................................................. 37 图 28：Z-Smith 图，Z 1 =(51.51-4.11j)Ω ............................................................................. 37 图 29：回波损耗，中心频率 8.15 GHz ............................................................................. 38 图 30：所有 S 参数 ............................................................................................................. 38 图 31：Z-Smith 图，Z 1 =(50.30+0.18j)Ω ............................................................................. 40
溶液处理的多效薄膜，在室温下与大磁电耦合
摘要：具有明显的室温磁电耦合系数的薄膜实验实现，在没有外部DC磁场的情况下，αMe一直难以捉摸。在这里，在没有外部DC磁场的情况下，据报道多效性聚合物纳米复合材料（MPC）薄膜的大型耦合系数为750±30 mV-1 cm-1。MPC基于PMMA-REDRED的钴有铁纳米颗粒，该纳米粒子均匀分散在压电聚合物聚合物聚（乙烯基氟化物-Co-三氟乙烯，P（VDF-TRFE）。 表明，纳米颗粒聚集起着有害的作用，并显着降低了αMe。 通过原子传递自由基聚合（ATRP）接管一层聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）的表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。 均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。 关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合表明，纳米颗粒聚集起着有害的作用，并显着降低了αMe。通过原子传递自由基聚合（ATRP）接管一层聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）的表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。 均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。 关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合