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World File Search System聚酰亚胺
微电子药丸
微电子药丸由经过机械加工的生物相容性（无细胞毒性）、耐化学腐蚀的聚醚醚酮 (PEEK) 胶囊和 PCB 芯片载体组成，后者是传感器、ASIC、发射器和电池连接的通用平台。每个制造的传感器都通过引线键合连接到定制的芯片载体上，该载体由 10 针、0.5 间距聚酰亚胺带状连接器制成。传感器芯片通过单独的 FCP 插座连接到 PCB 的两侧，传感器芯片 1 面向顶面，传感器芯片 2 朝下。因此，芯片 2 上的氧气传感器必须通过焊接到电路板上的 3,200 nm 铜引线连接到顶面。发射器集成在 PCB 中，PCB 还包含电源轨、传感器连接点以及发射器和 ASIC 以及载体所在的胶囊的支撑槽。胶囊被加工成两个独立的螺丝装配隔间。PCB 芯片载体连接到胶囊的前部。传感器芯片通过接入端口暴露在周围环境中。
塑料的缩写.pdf
丙烯腈丁二烯苯乙烯。丙烯腈/丁二烯/丙烯酸酯。丙烯腈/氯化聚乙烯/苯乙烯。丙烯腈/乙二烯 - 丙烯 - 二烯/苯乙烯。丙烯腈/甲基丙烯酸甲酯。丙烯腈/苯乙烯/丙烯酸酯。醋酸纤维素。乙酸纤维素丁酸酯。丙酸纤维素丙酸酯。脆性甲醛。羧甲基纤维素。硝酸纤维素。丙酸纤维素。三乙酸纤维素。乙基纤维素。乙烯丙烯酸乙烯酸乙烯酸酯。 乙烯/甲基丙烯酸。 环氧或环氧树脂。 乙烯/丙烯。 乙烯/丙烯/二烯。 乙烯/四氟乙烯。 乙烯乙酸乙酯。 乙烯/乙烯基醇。 perfluoro（乙烯/丙烯）：四氟乙烯烯丙基二氟丙烯。 呋喃甲醛。 甲基丙烯酸酯/丁二烯/苯乙烯。 甲基纤维素。 三聚氰胺 - 甲醛。 三聚氰胺 - 苯酚 - 甲醛。 聚酰胺。 聚酰胺酰亚胺聚丙烯硝基烯。 聚酯氨基烷烷。 聚丁烯-L。聚丁烯三乙酸酯。 聚碳酸酯。 多氯二甲基。 邻苯二甲酸酯。 聚乙烯。 聚醚块酰胺。 聚醚酮。 聚醚酰亚胺。 聚乙烯氧化物。 聚醚硫。 聚对苯二甲酸酯。 聚醚硫。 聚醚聚氨酯。 苯酚甲醛。乙烯丙烯酸乙烯酸乙烯酸酯。乙烯/甲基丙烯酸。环氧或环氧树脂。乙烯/丙烯。乙烯/丙烯/二烯。乙烯/四氟乙烯。乙烯乙酸乙酯。乙烯/乙烯基醇。perfluoro（乙烯/丙烯）：四氟乙烯烯丙基二氟丙烯。呋喃甲醛。甲基丙烯酸酯/丁二烯/苯乙烯。甲基纤维素。三聚氰胺 - 甲醛。三聚氰胺 - 苯酚 - 甲醛。聚酰胺。聚酰胺酰亚胺聚丙烯硝基烯。聚酯氨基烷烷。聚丁烯-L。聚丁烯三乙酸酯。聚碳酸酯。多氯二甲基。邻苯二甲酸酯。聚乙烯。聚醚块酰胺。聚醚酮。聚醚酰亚胺。聚乙烯氧化物。 聚醚硫。 聚对苯二甲酸酯。 聚醚硫。 聚醚聚氨酯。 苯酚甲醛。聚乙烯氧化物。聚醚硫。聚对苯二甲酸酯。聚醚硫。聚醚聚氨酯。苯酚甲醛。全氟烷氧基烷烃。聚酰亚胺。 甲基丙烯酸甲酯。聚酰亚胺。甲基丙烯酸甲酯。
Zhendong Hu, Xueqing Liu, Tianli Ren, Haroon A. M. Saeed, Quan Wang, Xin Cui, Kai Huai, Shuohan Huang, Yuming Xia, Kun(Kelvin) Fu, Jianming Zhang and
式中，T d 表示信号延迟，K为系数，DK表示介质材料的介电常数。可以看出，材料的介电常数越低，信号延迟越低，信号保真度越高。因此，在第五代通信技术深入发展的背景下，使用低k材料成为降低信号滞后时间的有效途径。一般在微电子领域常用的介质材料都是介电常数相对较低的材料。低介电材料是指介电常数高于空气（1）而低于二氧化硅（3.9）的材料，其值范围在1~3.9之间。低介电聚合物材料因具有易加工、热稳定性、电绝缘性等优点，被广泛应用于电子电工、电子集成、印刷电路板、通讯材料等领域。目前已知聚四氟乙烯（PTFE）[6, 7]、液晶聚合物（LCP）[8 – 10]、聚酰亚胺（PI）[11 – 14]等已广泛应用于电路板基材，环氧树脂、氰酸酯树脂等也作为优良的胶粘剂广泛用于电子设备的封装材料[15 – 17]。图1为环氧树脂、氰酸酯树脂和聚四氟乙烯的介电性能。
Lotus：在微重力环境下测试折纸结构
在这些突破之后，学生项目“Lotus”被提交到 Parabole 2022 竞赛，这是一个在法国航天局及其子公司 Novespace 组织的抛物线飞行活动期间在微重力条件下测试学生项目的机会。由 5 名国际学生组成的团队将描述和分析创新折纸结构模型的部署和折叠，以用于当前和未来的太空应用，特别是可部署栖息地、燃料箱或其他资源容器（如小行星和风化层）的体积；三个立体摄像机将以不同的设定速度捕捉几何形状。为了最大限度地提高科学回报，将测试几种形状和几何参数：建议测试三种不同的结构，主要受实验可用体积的限制。测试的模型将尽可能与全尺寸模型相似，由太空级聚酰亚胺制成，并将在接近 0g 的条件下评估它们的动力学，以获得尽可能准确的部署环境。这些结果将与具有类似实验装置的地面实验进行比较。
激光加工石墨烯及相关储能材料：
缩写：SCs，超级电容器； SCs，微型超级电容器；CNTs，碳纳米管；GO，氧化石墨烯；rGO，还原氧化石墨烯；LrGO，激光还原氧化石墨烯；GOQDs，氧化石墨烯量子点；GQDs，石墨烯量子点；CNTs，碳纳米管；MWCNTs，多壁碳纳米管；HOPG，高度有序热解石墨；MOFs，金属有机骨架；LCVD，激光化学气相沉积；LIG，激光诱导石墨烯；LSG，激光划刻石墨烯；PLD，脉冲激光沉积；MAPLE，基质辅助脉冲激光蒸发；RIMAPLE，反应逆基质辅助脉冲激光蒸发；LIFT，激光诱导正向转移；LIBT，激光诱导后向转移；LIPSS，激光诱导周期性表面结构；PET，聚对苯二甲酸乙二醇酯； PVDF，聚偏氟乙烯；PI，聚酰亚胺；LIP，磷酸铁锂
e-Flower：用于脑球体电生理学的水凝胶驱动 3D MEA
传统微电极阵列 (MEA) 仅限于测量二维电生理活动，无法捕捉三维 (3D) 组织（如神经类器官和球体）的复杂性。在这里，我们介绍了一种花形 MEA（e-Flower），它只需添加细胞培养基即可驱动，包裹亚毫米级的脑球体。受软微夹钳的启发，它的驱动机制利用了嫁接到承载电互连的聚酰亚胺基板上的聚丙烯酸水凝胶的溶胀特性。e-Flower 与标准电生理记录系统兼容，不需要额外的设备或溶剂，可与预先形成的 3D 组织一起使用。我们设计了一种 e-Flower，可在几分钟内实现低至 300 微米的曲率，该值可通过选择溶胀介质和水凝胶交联剂浓度进行调整。此外，我们展示了 e-Flower 检测整个球体表面自发神经活动的能力，证明了其全面记录神经信号的潜力。
氧化石墨烯和聚合物的多能金离子注入
摘要：聚合物的电性能在传感器、储能、微电子和过滤膜等广泛的应用中越来越重要。在本文中，提出了多能金离子注入对氧化石墨烯（GO）、聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）和聚乳酸（PLLA）元素、化学、结构和电性能的影响，以及在 3D 金属-电介质结构合成中的潜在应用。按升序或降序使用三种能量 3.2、1.6、0.8 MeV 的金离子，剂量为 3.75×10 14 cm -2，以升序或降序创建两个样本集，随后通过 RBS、ERDA、EDS 和 AFM 进行分析。RBS 分析用于注入样品中的金深度轮廓表征，轮廓与 SRIM 代码模拟的轮廓相当一致。采用标准两点技术研究了离子辐照所用的参数下的电性能。离子辐照后，方块电阻降低，并且很明显，离子注入能量的上升顺序对电导率的提高的影响比下降顺序更显著。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的较新的器件结构，例如 HEMT 和 HJBT。此外，GaAs 和相关化合物具有令人兴奋且经过验证的功能，可以产生、检测并将光转换为电信号。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作分立形式的低噪声放大器、混频器、振荡器和高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。本文回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、低噪声和高功率输出。最后，还介绍了 CEERI 制造的一些代表性设备结果。
设计聚合物电介质中结构单元的定制组合用于高温电容储能
许多新兴应用中的主流介电储能技术，如可再生能源、电气化交通和先进推进系统，通常需要在恶劣的温度条件下运行。然而，在当前的聚合物介电材料和应用中，优异的电容性能和热稳定性往往是互相排斥的。在这里，我们报告了一种定制结构单元以设计高温聚合物电介质的策略。预测了由不同结构单元组合而成的聚酰亚胺衍生聚合物库，并合成了 12 种代表性聚合物用于直接实验研究。这项研究为实现在高温下具有高能量存储能力的坚固稳定的电介质所必需的决定性结构因素提供了重要的见解。我们还发现，当带隙超过临界点时，高温绝缘性能的边际效用会递减，这与这些聚合物中相邻共轭平面之间的二面角密切相关。通过实验测试优化和预测的结构，观察到在高达 250°C 的温度下能量存储增加。我们讨论了将该策略普遍应用于其他聚合物电介质以进一步提高性能的可能性。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产已在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的 HEMT 和 HJBT 等较新的器件结构的出现。此外，GaAs 和相关化合物还具有产生、检测和将光转换为电信号的令人兴奋的和经过验证的能力。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作低噪声放大器、混频器、振荡器和离散形式的高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、降低噪音和高功率输出。最后，还介绍了中国电气与电子研究所制造的一些代表性器件结果。