XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System聚酰亚胺
聚酰亚胺固化过程中产生的腐蚀性气体的分析
聚酰亚胺是半导体工业中广泛使用的介电材料。然而，固化反应过程中产生的气体会腐蚀电子电路，从而导致可靠性问题。可以使用 EGA-MS（使用 Double-Shot Pyrolyzer）（技术说明编号 PYA3-001）以及 TGA 研究这种气体释放。图 1 显示了聚酰亚胺薄膜的固化反应。首先，将 BPDA 和 3,3'-DDS 在较低温度下加热以生成聚酰胺酸。接下来，将材料进一步加热到较高温度以生成固化的聚酰亚胺。TGA 曲线（图 2）显示了固化过程中的重量损失。在 100~350ºC 和 350~450ºC 处可以清楚地看到两个不同的反应阶段。图 3 显示了 EGA-MS 对此过程的研究结果。图 2 中第一阶段 TGA 重量损失与图 3 区域 A 中演化的材料相匹配，第二阶段重量损失与区域 B 中的 EGA-MS 数据相匹配。EGA 产生的化合物通过 GC 分离和测定。使用 MS，选择离子监测显示图 3 中一些感兴趣的化合物的分布。这些结果表明，DMAc、CO2 和 H2O 是在固化过程的第一阶段产生的，而 CO2、SO2 和苯胺是在第二阶段产生的。正如这个例子所示，EGA 是解决聚合物材料问题的极其有用的工具。
新颖的聚酰亚胺堆积材料用于细线制造
新颖的聚酰亚胺堆积材料，用于高线制造高什岛，田中Shigeru tanaka，汉字木木木马斯拉·尼西纳卡（Masaru Nishinaka）和日本摘要的Mutsuaki Murakami Kaneka Corporation，我们摘要我们已经开发了一种新的热量型材料，以高效率堆积的pwbs高speed speed i/o o i/o o i sep speeed i/o o o i/sep speed i/o o i/o o o i/o。这些PWB满足以下要求；精细电路，低介电特性和出色的机械性能的良好加工性。我们提出的聚酰亚胺堆积材料显示出3.1的介电常数（DK），介电损耗（DF）为0.01（在1GHz时）。此外，机械性能以下材料显示；低温膨胀系数（CTE）为45ppm，拉伸强度为100MPa。尽管材料的表面粗糙度低于200米，但我们还是成功地沉积了具有非常高的果皮强度的无电镀层铜层。这意味着即使使用常规的半添加过程，该材料也适用于制造精细的电路。实际上，我们可以制作一个小于10micron l/s（线路和空间）的精细电路。近年来，需要电子设备具有许多功能和高处理速度。为了满足这些要求，像高性能CPU这样的IC芯片已经演变为具有高时钟频率和高I/O数字。要将CPU安装到基板上，通常采用翻转芯片附件方法以表现出CPU的最大性能，因此基板必须具有高接线密度。堆积的PWB，其电路是由半粘液方法形成的，这些底物已使用。下一代CPU的下一代堆积PWB，预计将具有较高的I/O数字，必须具有小于20微米L/s（线路和空间）的精细电路。对于制造精细的电路，对于构建材料而言，形成细缝电路的构建材料很重要，可以尽可能地具有少量的表面粗糙度，并且能够在不剥落的情况下粘附电路。环氧树脂主要用于堆积材料。处理环氧类型的堆积材料，以使材料的表面粗糙，并通过锚固效果牢固地粘附电路。为了制造小于20微米L/s的下一代细缝电路，需要一种新的堆积材料，其表面粗糙度比现有材料的表面粗糙度较小，并且对电路的良好粘合度。此外，新的积累材料必须具有低CTE（热膨胀系数）和低介电性能，这将改善堆积PWBS的电气可靠性或电气性能。为了开发下一代堆积材料，我们开始开发一种新的聚酰亚胺积聚材料，该材料基于用于电绝缘材料的聚酰亚胺树脂的特性，该材料期望具有出色的性质。由于这项研究，我们开发了一种新型的热固性聚酰亚胺积聚材料，该材料符合上述要求。在这项调查中，副本在本文中，评估了材料上无电镀层铜层的吉赫兹（GHz）周围的热性能，介电特性，通过可加工性能通过可加工性能通过激光进行细插电路的加工性。首先设计了新堆积材料的目标特性，设计了新堆积材料的目标特性。- - 一个小于50 ppm--的热膨胀系数（CTE）的介电损耗（DF）小于0.010，在1GHz- -a机械强度上，在100MPA-抗性的机械强度上，没有卤化的化合物 - 乘积构建的精细材料构建均超过20个微观的构建，构建均超过20个微观的过程，该过程的构建均超过20个，构建的启动构建的开发型构建均超过20个，构建的开发型构建均超过20次，构建了启用的新构建。堆积材料的表面以通过半添加过程制造精细的电路，堆积材料需要具有少量表面粗糙度的表面，并且具有较高的果皮强度，并具有无电镀层铜层。
基于菠菜的光催化剂，用于在基于聚酰亚胺基底物上的微观电路
重复使用本文是根据创意共享属性 - 非商业 - 诺迪维斯（CC BY-NC-ND）许可证的条款分发的。此许可只允许您下载此工作并与他人共享，只要您归功于作者，但是您不能以任何方式更改文章或商业使用。此处的更多信息和许可证的完整条款：https：//creativecommons.org/licenses/
用聚酰亚胺的CO2激光单线扫描诱导的电阻还原
摘要：我们对聚酰亚胺纤维上的CO 2激光诱导的电导率进行了激光参数研究。发现诱导的电导率主要发生在扫描线的中心，而不是在整个线宽度上均匀地发生。Microraman检查表明，电导率主要是由于激光照射线中心诱导的石墨烯结构的多层（4-5）的结果。线中心的石墨烯形态和纳米级纤维结构一起以薄壁多孔结构的形式出现。具有每单位长度和激光功率的能量剂量，这种电导率的表面修饰与激光脉冲频率无关，但取决于平均激光功率。可以通过在高功率水平上对激光束进行一次激光束的扫描来实现高电导率。为了达到高电导率，以低功率使用激光，但要以较慢的扫描速度或进行多次扫描来补偿它是有效或有效的。当10毫米扫描长度上的电阻从几百欧姆降低到30欧姆，当单位长度的能量剂量从0.16 j/mm增加到1.0 j/mm，即从5.0 w增加到5.0 w到24 w，在24 W上增加了3.44×10 w/cm 2 2 s cm 2 2 k. 16.54 w/cm的相应功率，一次通行证扫描。相比之下，以超过22.5 mm/s的速度以低于5 W的功率导致非导电开路。
石墨烯分散对聚酰亚胺纳米复合材料的电性能的影响
抽象 - 基于石墨烯的聚合物纳米复合材料吸引了广泛的工业兴趣，因为由于石墨烯的独特传导性能，该材料的电导率可以精确控制。在本文中，我们显示了去角质方法和分散时间对聚酰亚胺/石墨烯纳米复合材料的整体电导传导的影响。一组具有不同石墨烯纳米液含量的聚酰亚胺膜是通过热弹性制备的，并进行了电表征，以评估纳米复合材料对电渗透阈值的组成的影响。研究了三种分散技术（即高剪切混合，超声探针和行星混合）发现，在每种情况下，通过增加分散时间来减少石墨烯纳米叶片的尺寸。使用高剪切混合技术获得最高的分散质量，该技术产生了0.03 wt％的电渗透阈值。
水分对热塑性聚酰亚胺复合材料的材料性能和行为的影响
材料已得到广泛研究 [1-9]。在许多此类研究中，已报告了机械性能的显著变化和各种形式的水分引起的损坏 [4-8]。例如，吸收的水分已被证明会降低树脂的玻璃化转变温度 T~ [4,5]，降低复合材料的基质主导性能，如横向拉伸强度和层内剪切强度 [4-6]，并导致树脂膨胀，从而引起残余应力并导致微裂纹的形成 [5, 7-10]。吸收水分的这些有害影响被归因于树脂基质的塑化和降解以及纤维基质界面的降解 [5-10]。迄今为止，大多数水分研究都涉及热固性基质复合材料（例如石墨/环氧树脂），这些复合材料在 95% 至 100% 相对湿度环境中会吸收高达 1.2% 至 2% 的重量水分（纤维体积分数 v r 在 60% 至 68% 之间）[1,2,5-7]。最近，已经开发出热塑性（半结晶和非晶态）基质复合材料，与热固性基质复合材料相比，它们吸收的水分非常少 [3,4]。这种系统的一个例子是热塑性基质复合材料，由非晶态聚酰亚胺基质 Avimid | K3B 组成，并用 Magnamite | IM7 石墨增强
适用于高频应用的具有感光性的低 Df 聚酰亚胺 Hitoshi Araki *、Yohei Kiuchi、Akira Shimada、Hisashi Ogasawara、Masaya Juke
用于高频应用的具有光敏性的低 Df 聚酰亚胺 Hitoshi Araki *、Yohei Kiuchi、Akira Shimada、Hisashi Ogasawara、Masaya Jukei 和 Masao Tomikawa 东丽工业公司电子与成像材料研究实验室，3-1-2 Sonoyama，大津，滋贺 520-0842，日本 *hitoshi.araki.u8@mail.toray 我们研究了聚酰亚胺链的分子运动和极性，开发出了新型低介电常数 (Dk) 和耗散因数 (Df) 聚酰亚胺。我们发现 10-100 GHz 时的 Df 对应于 -150 至 -50 ℃ 时的分子迁移率。为了降低高频时的介电损耗 (=Df)，限制低温下的分子运动非常重要。此外，减少聚酰亚胺链中的极性和柔性单元对于获得低 Dk 和 Df 的聚酰亚胺也很重要。我们利用这些知识开发了用于 RDL 的低介电损耗聚酰亚胺。结果，我们获得了新型聚酰亚胺的损耗角正切为 0.002 和介电常数为 2.7。这些聚酰亚胺可以通过正性光刻胶显影的碱性湿法蚀刻和紫外激光烧蚀法进行图案化。我们还通过混合光活性剂开发了光可定义的低损耗角正切聚酰亚胺。与传统的感光聚酰亚胺相比，新型低 Df 聚酰亚胺的微带线插入损耗更低。这些低介电损耗聚酰亚胺适用于 FO-WLP 绝缘体、中介层和其他微电子射频应用。 关键词：聚酰亚胺，低 Dk 和 Df，高频，图案化，低插入损耗 1. 简介 近年来，使用更高频率的 5G 通信技术正在不断推进，以实现高速大容量通信 [1]。此外，用于汽车防撞系统的毫米波雷达将使用超过 60 GHz 的频率 [2]。扇出型晶圆级封装 (FO- WLP) 因其封装尺寸小、制造成本低而备受半导体封装关注。高频 FO-WLP 中的再分布层 (RDL) 需要具有低介电常数 (Dk) 和耗散因数 (Df) 的绝缘体材料 [3]。特别是，采用扇出技术的封装天线 (AiP) 是 5G 时代的关键技术之一。聚四氟乙烯和液晶聚合物被称为低介电常数、低介电损耗材料。然而，这些材料在粘附性和精细图案的图案化性方面存在困难。用于 FO-WLP 再分布层的光电 BCB 介电常数低
使用聚合物纳米片作为纳米粘合剂在聚酰亚胺上进行化学镀铜
摘要：本文介绍了一种使用聚合物纳米片作为纳米粘合剂在聚酰亚胺薄膜上制备铜层的技术。我们采用了两种功能性聚合物纳米片：一种用作粘合层，另一种用作模板层以吸附金纳米粒子，而金纳米粒子则用作化学镀的催化剂。光反应性聚合物纳米片用于增加铜层和聚酰亚胺之间的粘附力。此外，阳离子聚合物纳米片用于吸附用于化学镀铜的金催化剂。应用该技术，化学镀铜牢固地附着在聚酰亚胺薄膜上。通过对聚合物纳米片进行光刻，可以制造微米铜线。使用聚合物纳米片作为粘合剂的工艺不需要对聚酰亚胺基板进行表面改性，并且可以制造微尺度铜线而不会排放有害废物。因此，该技术可用于下一代柔性印刷电路板制造。 [doi:10.1295/polymj.PJ2006099] 关键词 柔性印刷电路板 / 聚合物纳米片 / 化学镀铜 / 纳米粘合剂 /
表征和模拟 Kapton 聚酰亚胺薄膜中折痕的粘塑性行为
我们探索了矩形 Kapton 薄膜上单个折痕的粘塑性行为，Kapton 薄膜是几种受折纸启发的薄纱空间结构设计中最基本的构建块。这是折痕薄膜机械行为中经常被忽视的一个组成部分，它会影响部署动力学和可重复性。首先，我们展示了一些实验，这些实验突出了 Kapton 的粘性特性对折痕产生过程的影响，以及折痕的平衡角度如何由塑性和粘度的组合决定。作为实验的一部分，我们建立了一个强大的实验程序，能够创建可重复的折痕。然后，我们将之前的建模工作扩展到一种简单的粘塑性材料中，该材料结合了标准线性模型和摩擦元素来模拟永久变形。使用一系列 Kapton 松弛测试校准材料模型。然后，我们使用它来模拟我们的折痕实验，使用商用有限元包中的 1D 梁元素。尽管定量差异仍然很大，但我们的分析能够捕捉到实验中观察到的趋势。我们的结果强调需要对聚合物薄膜的粘塑性进行进一步的实验和建模。
金属氧化物和碳纳米颗粒对聚酰亚胺复合膜的热和机械性能的协同作用
摘要：在本文中，我们报告了新型聚酰亚胺（PI）纳米复合物，并用金属氧化物（TIO 2或ZRO 2）纳米颗粒和纳米碳（碳纳米纤维（CNF）或官能化的碳纳米管（CNT碳nanotubes）（CNT f s））。对所使用材料的结构和形态进行了全面研究。对其热和机械性能进行了详尽的研究。与单纤维纳米复合材料相比，我们揭示了纳米成分对PI的许多功能特征的协同作用，包括热稳定性，刚度（玻璃过渡温度下方和高于玻璃过渡温度），产量点和浮动温度。此外，还展示了通过选择纳米填料的正确组合来操纵材料特性的可能性。所获得的结果可以成为具有PI基于PI的工程材料的平台，该工程材料具有量身定制的特征，能够在极端条件下运行。