谷轮涡旋数字压缩机能够将其容量从 10% 调节到 100%。压缩机随附一个外部电磁阀。这个“常闭”(断电)电磁阀是实现调节的关键部件。当电磁阀处于常闭位置时,压缩机以满负荷运行。当电磁阀通电时,两个涡旋元件轴向移开。在卸载状态下,压缩机电机继续运转,但由于涡旋分离,因此没有压缩。在“加载状态”下,压缩机提供 100% 的容量,而在“卸载状态”下,压缩机提供 0% 的容量。一个循环由“加载状态”和“卸载状态”组成。通过改变“加载状态”和“卸载状态”的时间,可以获得平均容量。例如,在 20 秒的周期内,如果“加载时间”为 15 秒,“卸载时间”为 5 秒,则平均容量为 75%。
摘要。本文旨在通过有限元三维数值分析,展示双隧道对收敛剖面的影响,考虑了几种岩体本构模型:弹性、弹塑性和粘塑性。衬砌考虑了弹性和粘弹性本构模型。对于衬砌的粘弹性本构模型,考虑了混凝土的徐变和收缩。对于本文研究的案例,考虑到岩体和衬砌的弹性行为,观察到双隧道收敛剖面幅度差异高达 9%。对于其他模型,即弹性衬砌的塑性岩体、弹性衬砌的粘塑性岩体和粘弹性衬砌的粘塑性岩体,观察到的差异很小。考虑到粘塑性岩体,与弹性衬砌相比,粘弹性衬砌的存在使变形增加了约 20%(在隧道施工结束时),长期行为增加了约 40%。
关键词:GaN、焊料、AuSn 焊料、溅射、共晶、芯片粘接摘要对于 GaN MMIC 芯片粘接,经常使用 80%Au20%Sn 共晶焊料。通常的做法是使用预制件 AuSn 将芯片粘接到 CuW 或其他一些基板上。在此过程中,操作员可能需要将预制件切割成芯片尺寸,然后对齐预制件、芯片和基板。由于操作员需要同时对齐三个微小部件(预制件、芯片和基板),因此这是一个具有挑战性的过程,可能需要返工。此外,预制件厚度为 1mil(在我们的例子中),这可能导致过量的焊料溢出,需要清理,因为它会妨碍其他片外组装。整个芯片粘接过程可能很耗时。在本文中,我们描述了一种在分离芯片之前在 GaN 晶圆上使用共晶成分溅射靶溅射沉积共晶 AuSn 的方法。它消除了预制件和芯片的对准,并且不会挤出多余的 AuSn。通过使用共晶溅射靶,它还可以简化靶材制造。下面给出了芯片粘接结果。引言宽带微波 GaN MMIC 功率放大器在国防和通信应用中具有重要意义。随着设备性能的提高,芯片粘接变得非常重要,因为它会极大地影响 MMIC 的热预算。80%Au/20%Sn 焊料已用于半导体应用超过 50 年,通常作为冲压预制件。然而,由于需要将 MMIC 芯片中的多个小块和焊料预制件对准到载体上,因此芯片粘接过程可能很繁琐且耗时。在芯片分离之前在整个晶圆上溅射沉积 AuSn 将大大简化芯片粘接过程。然而,溅射的 AuSn 成分对于正确的焊料回流至关重要。由于 Au 和 Sn 的溅射产率不同,AuSn 溅射靶材的化学性质和沉积的 AuSn 薄膜之间存在显著的成分变化 [参考文献 1]。下图 1 显示了 Au-Sn 相图。通过仔细控制溅射参数(功率、压力和氩气),我们能够从共晶成分溅射靶中沉积共晶 AuSn。制造共晶成分溅射靶要容易得多/便宜得多。
其中上标 k 表示迭代次数,el 和 e2 是预先指定的容差或精度标准。如果 f (x) 有一个简单的闭式表达式,则分析方法可以得到精确解,即最优 x 的闭式表达式 x*。如果 f(x) 更复杂,例如,如果它需要几个步骤来计算,则必须使用数值方法。非线性优化软件现在非常普及,几乎总是使用数值方法。例如,Microsoft Excel 电子表格中的“求解器”可以解决线性和非线性优化问题,并且还有许多 FORTRAN 和 C 优化器可用。第 8.9 节讨论了通用优化软件。分析方法通常难以应用于具有多个变量的非线性目标函数。例如,假设要最小化非线性函数 Ax) = f (xl, x2, . . . , xn)。要使用的必要条件是
简单杆、梁等机械部件可以通过提供闭式解的基本力学方法轻松分析。然而,实际部件很少如此简单,设计人员不得不采用不太有效的闭式解近似值、实验或数值方法。工程应用中使用了大量数值技术,数字计算机对此非常有用。在大量使用计算机辅助设计 (CAD) 软件的机械设计中,与 CAD 完美结合的分析方法是有限元分析 (FEA)。该方法的数学理论和应用非常广泛。还有许多可用的商业 FEA 软件包,例如 ANSYS、NASTRAN、Algor 等。本章的目的只是向读者介绍 FEA 的一些基本方面,因此内容非常具有介绍性。有关更多详细信息,建议读者查阅本章末尾引用的许多参考资料。图 19-1 显示了曲轴的有限元模型,该模型用于研究动态弹流润滑对轴承和结构性能的影响。1
新复制的姐妹染色单体由粘蛋白复合物束缚在一起,但是姐妹染色单体内聚力如何与DNA复制协调不足。流行模型表明在复制之前与DNA结合的粘着蛋白通过复制通过粘着蛋白环的复制或通过重现叉子在复制叉后通过重壳组件的转移来确定凝聚力。通过可视化与预加载的粘蛋白复合物碰撞的单个复制叉,我们发现重质体将粘蛋白推向满足收敛的重新分散体的位置。虽然在DNA复制终止期间去除收敛的重新分裂,但粘蛋白仍保持在新生的DNA上。我们证明了这些粘着蛋白分子将新复制的姐妹DNA系在一起。我们的结果支持了一个新模型,其中在DNA复制终止期间建立了姐妹染色单体内聚。
CC5516 夹具一次性闭合并固定在结构上,使用与固定孔直径 (5.2 mm) 相匹配的螺钉和垫圈(未提供)。Amphenol Air LB France 建议使用以下硬件: - 螺钉:.1900-32UNJF 或 NSA5191-3
摘要 宏基因组学研究通过超越公共卫生或经济利益宿主来发现许多新型病毒。然而,得到的病毒基因组往往不完整,而且分析主要表征了病毒在其动态中的分布。在这里,我们整合了从宏基因组学研究中积累的数据,以揭示正粘病毒科(包括流感病毒在内的 RNA 病毒家族)案例研究的地理和进化动态。首先,我们使用正粘病毒科武汉蚊病毒 6 的序列来追踪其宿主的迁移。然后,我们研究正粘病毒基因组的进化,发现该家族成员之间的基因获得和丢失,特别是负责细胞和宿主向性的表面蛋白。我们发现武汉蚊病毒 6 的表面蛋白表现出加速的非同义进化,暗示抗原进化,即脊椎动物感染,并且属于具有高度分化的表面蛋白的更广泛的 quaranjavirid 组。最后,我们量化了正粘病毒的发现进展,并预测仍有许多不同的正粘病毒科成员有待发现。我们认为,无论是否发现新病毒,只要研究设计能够解析完整的病毒基因组,持续的宏基因组研究将对了解病毒及其宿主的动态、进化、生态学大有裨益。
测试生产线上板材平整度测量站,5. 开发用于印刷电路板通孔组装的创新机器人站 ERP 02/22/PRJG/1356 6. 开发用于测试剪刀闭合力的装置设计和软件 ERP
sylvain.poulet@cea.fr 摘要 — 超薄基板上柔性薄膜电子设备的出现是由开发与前端和后端工艺完全兼容的替代处理方法的需求所驱动。这项研究的目的是提出一种新的超薄玻璃基板处理方法,该方法基于直接玻璃-玻璃键合和室温剥离脱粘。通过在超薄玻璃基板(<100µm)上实现薄膜电池(<20µm)来评估这一概念。为了键合,将超薄玻璃层压在厚的载体玻璃(>500µm)上,没有中间层。薄膜电池堆栈采用连续物理气相沉积法制造,温度高达 400°C。脱粘过程在室温下通过机械剥离层压在薄膜电池上的封装膜完成。结果,脱粘后超薄玻璃(<100µm)没有任何裂纹的迹象。此外,脱粘过程之前和之后进行的电化学阻抗谱 (EIS) 和恒电流循环表明器件性能略有稳定。
