摘要:本文介绍了一种采用40nm CMOS工艺的E波段四倍频器。该电路采用两个推推式倍频器和两个单级中和放大器。倍频器采用伪差分B类偏置共源共栅拓扑结构,提高了反向隔离度和转换增益。采用中和技术可同时提高放大器的稳定性和功率增益。堆叠变压器用于单端到差分转换以及输出带通滤波。输出带通滤波器可提高四次谐波的输出功率,同时抑制不需要的谐波,特别是二次谐波。核心芯片尺寸为0.23mm2,功耗为34mW。测得的四次谐波在76GHz时实现了1.7dBm的最大输出功率,峰值转换增益为3.4dB。对于 74 至 82 GHz 的频谱,基波和二次谐波抑制分别超过 45 dB 和 20 dB。
如今,由于芯片尺寸缩小限制了器件的开发,先进封装和键合技术在半导体制造中的比重不断增加。许多技术,如2.5D、3D、晶圆级封装和任何其他先进键合技术,都被公司和实验室采用或研究。尽管如此,对这些技术的需求仍在增加。封装材料和键合技术是这一趋势中尤为重要的部分,因为它们在后端工艺中起着至关重要的作用。工艺越发展,就越需要先进的封装材料和键合技术。本期特刊介绍了各种电子封装材料的研究,如金属、合金、陶瓷、半导体等。此外,我们也欢迎有关键合技术的文章和评论,包括焊料键合、金属对金属键合、粘合剂键合、3D 集成、表面处理、晶圆键合的特性和可靠性研究等。
摘要 - 神经信号记录引起了越来越多的关注,因为它提供了一种阅读大脑活动,了解大脑操作并恢复身体失去运动功能的必要方法。神经记录系统中最重要的模块之一是传感器界面IC,它捕获,放大,过滤器并数字化弱神经信号。为了保护受试者在测试下的自由运动并最大程度地减少感染风险,传感器界面IC通常植入皮肤或无线传输的头骨下。神经信号的性质及其记录场景对传感器接口IC施加了刚性设计规格,例如低噪声,低功率,低截止频率和最小芯片尺寸。最近有许多设计在神经记录系统中应对这些挑战。在本文中,将引入用于神经记录传感器接口IC的设计技术,包括系统体系结构和神经放大器的设计。研究了实现低功率,低噪声和低截止频率的方法。此外,还讨论了实现系统功率和面积优化的方法。
第 14 章:安装内存................................ 14-1 安装了多少内存? ......................... 14-1 内存芯片尺寸规格和功能 ................................ 14-3 系统板上的内存芯片布局 ........................ 14-4 奇偶校验 .............................................. 14-5 典型的内存芯片布局 ........................ 14-6 芯片位置号和错误代码 ........................ 14-10 如何查找损坏的内存芯片 ........................ 14-12 识别内存芯片的类型 ...................................... 14-13 内存芯片上印刷的信息 ................................ 14-13 单列直插式内存模块 (SIMMS) ........................ 14-15 系统板组件的编号方案 ................................ 14-15 处理和安装内存芯片 ...................................... 14-17 穿着合适的衣服并尽量减少静电放电 ........................ 14-17 小心处理芯片 ...................................... 14-18 移除芯片 ...................................... 14-18 安装芯片 ................................. 14-19 安装 SIMM ...................................... 14-21 内存扩展 ...................................... 14-21 常规内存 ...................................... 14-22 配置系统 ...................................... 14-24 配置 IBM PC 和 XT ........................ 14-24 配置 AT ...................................... 14-25 连接 PS/2 系统 ................................ 14-26
级联的单阶段分布放大器(CSSDA)由于其显着的增益带宽产品而有助于微波应用实现超宽带扩增。但是,它们的功能通常会因内部噪声而损害,这会对响应的线性产生有害。通过引入准差分分布式放大器(QDDA)提出了对这个普遍问题的创新解决方案。实施0.18μm互补的金属氧化物半导体(CMOS)技术,设计,制造和测试了具有单级四级级联配置的QDDA。经验结果表明,高增益为20dB,并且具有30GHz的带宽。此外,观察到噪声图为4.809,紧凑的芯片尺寸为0.74mm²。使用高级设计系统(ADS)RF模拟器完成了此设计和结果发现。随后使用Cadence工具生成电路布局和规格。这项研究证明了QDDA显着提高CSSDA的性能的潜力,这有助于进步超宽带微波炉应用。
摘要 基于 GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 工艺实现了用于无线局域网 (WLAN) 的效率增强型全集成功率放大器 (PA)。提出了一种可以吸收键合线寄生电感的谐波调谐网络,从而显著减小了芯片面积。该网络在 5.0 至 5.5 GHz 范围内提供接近最佳的基波和二次谐波阻抗。此外,还提出了一种新颖的自适应偏置电路,可校正 AM-AM 和 AM-PM 失真并提高高输入功率下的热稳定性。PA 的芯片尺寸仅为 1.06 mm2,增益为 31.1–31.6 dB,饱和功率为 29.9–30.3 dBm,峰值功率附加效率 (PAE) 在 5.0–5.5 GHz 范围内为 49.3%–51.8%。在 802.11ac MCS9 VHT160 测试信号下,PA 的输出功率为 22.1 dBm(EVM= − 32 dB),PAE 为 18.4%。此外,在使用 5.25 GHz 的 802.11ax MCS11 VHT160 信号进行测试时,PA 的输出功率为 17.5 dBm(EVM= − 42 dB)。关键词:功率放大器、无线局域网、GaAs 异质结双极晶体管、谐波匹配、自适应偏置分类:集成电路
执行摘要 过去的技术路线图并未解决供应链动态问题,因为线性生态系统的存在,因此没有必要这样做。然而,电子产品已经从 IT 主导领域中盛行的单片系统转向以消费者为中心的领域,在这个领域,计算已经变得无处不在,而且越来越异构。供应链动态不可避免地变得更加复杂。制造业格局的全球化和一体化为互联供应链带来了机遇,也带来了重大挑战。基础设施已经从传统大型企业(OEM - IBM、英特尔、惠普等)边界内执行的单一集成流程转变为分散和分散的流程。它从公司外部外包开始,然后是本地或区域离岸外包,最后是全球外包和离岸外包。因此,OEM 供应链面临的挑战和风险急剧增加。在这个不断变化的环境中,制造商、其流程和供应链必须完全集成和互连,以保持一致、高质量、可靠的产品。基础设施变革的目的是通过规模经济来降低生产成本。这种新结构使公司无需拥有或运营工厂即可获得所需的组件或商品。然而,这确实推动了非常冗长、复杂的供应链。本章描述了 OEM 当前运营的全球互联供应链。探讨了物联网对供应的影响。[1, 2] 随着行业现在比以往任何时候都更加注重应用,电子封装的战略方向无疑也受到了影响。随着各种应用的封装选项越来越多,供应链方面的一些考虑因素也逐渐显现出来。从供应链趋势(例如融合、合并和收购)到挑战(例如材料和设备能力)再到中断(例如地缘政治、自然和人力资源、监管以及环境健康和安全),在做出技术和业务决策时必须考虑这些因素。进入市场的新型先进封装面临着成本增加、设备限制、制造限制以及需要升级的制造工艺。摩尔定律(统治计算机行业 60 多年)的基本原理已无法再增加或吸收额外的功能和能力,除非对 CPU、GPU 等进行重大的设备和工艺变更。随着芯片尺寸缩小,成本正在增加(而不是减少)。缩放问题已推动封装设计发生变化。为了实现更高效、更低成本的芯片尺寸缩小,各公司正在从 CPU 和 GPU 等先进封装中撤出常见功能。这些被放入称为芯片的通用功能芯片和/或封装中。本章将讨论包括芯片在内的多种封装架构从 RDL 和凸块到最终检查的这些流程。[3, 4]
有时我们很容易忘记,我们每天使用的计算机在后台运行着复杂的计算和数学方程。传统计算机可以处理我们想要解决的许多问题的复杂计算,并在硬件和软件方面不断改进。在某个时候,芯片尺寸和功耗的限制会限制传统计算技术可以解决的问题的复杂性。专家预测,这可能会在未来 10-20 年内发生(Naughton,2020 年)。一些行业需要利用这些计算的多种排列,这需要大量的计算能力,而传统计算机可能需要数年才能解决,甚至永远无法解决。由于量子计算机的工作原理与传统计算机不同,它们有可能解决一系列非常复杂的问题。虽然量子计算曾被认为是一种遥远未来的技术,但最近的进展使量子计算技术更容易获得,使我们更接近利用这项技术改变我们所知的计算。这项新的、影响深远的技术提出了一些问题。什么是量子计算?它真的那么近吗?我们现在需要开始准备吗?本文旨在通过回答常见问题 (FAQ)、消除与量子计算相关的常见误解、强调关键里程碑和重点领域以及总结关键的联邦举措和指导,让读者对量子计算有一个基础性的了解。什么是量子计算?
近年来,基于电路量子电动力学(cQED)的量子计算取得了进展。我们可以利用谐振器实现量子非破坏性测量,或者通过珀塞尔效应控制量子比特的衰减[1-4]。然而,由于光刻可扩展性,超导量子比特的数量不断增加,可能会达到有噪声的中型量子计算[5],芯片尺寸等限制使量子网络难以扩展。除了cQED,一个有希望扩大电路规模的候选者是波导QED,它有助于在远距离组件之间交换信息。我们可以在波导介导的相互作用系统中观察到一些光学现象,如电磁诱导透明(EIT)和法诺共振[6-10]。这些干涉效应取决于量子比特的频率失谐和位置,为量子存储和量子信息的应用带来希望。我们可以进一步将量子比特置于特定的分离中,实现原子级镜像或空间纠缠的流动光子[11,12]。然而,开放环境中的衰减损失限制了波导介导的门保真度。作为一种潜在的解决方案,一些基于“巨原子”的理论和实验引起了人们的关注[13-21]。在这里,量子比特与波导有多个连接点,并通过干涉效应防止退相干。这种设计也可以扩展到
摘要:在UMS 100 nm GAAS PHEMT技术中,提出了1.4 dB噪声图(NF)四阶段K波段单片微型集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。所提出的电路旨在覆盖5G新版本N258频带(24.25–27.58 GHz)。动量EM Layout仿真揭示了电路的最低NF为1.3 dB,最大增益为34 dB,| S 11 |从23 GHz到29 GHz的–10 dB,p 1db为–18 dbm和24.5 dbm的OIP3。LNA从2 V DC电源中抽出总电流为59.1 MA,并导致芯片尺寸为3300×1800 µm 2,包括垫子。我们提出了一种设计方法,重点是选择活动设备大小和直流偏置条件,以在应用源变性时获得最低的NF。设计过程通过选择促进简单输入匹配网络实现的设备来确保最小的NF设计,并得益于源变性的应用,获得了合理的输入返回损失。使用这种方法,输入匹配网络是通过分流存根和传输线实现的,因此最大程度地减少了对第一个阶段实现的NF的贡献。与类似作品的比较表明,与大多数最先进的解决方案相比,开发的电路非常有竞争力。