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World File Search System范德华
范德华材料在纳米光子结构上的高精度局部转移
摘要：在密集纳米光子器件上对范德华材料进行原型设计需要高精度单层识别，以避免块体材料污染。我们使用标准干式转移工艺中使用的聚碳酸酯的玻璃化转变温度来绘制一个原位点，以精确拾取二维材料。我们将过渡金属二硫属化物单层转移到大面积氮化硅螺旋波导和氮化硅环形谐振器上，以证明改进的干式转移方法具有高精度无污染的特性。我们改进的局部转移技术是将高质量范德华材料确定性地集成到纳米腔中的必要步骤，以便在高通量、纳米制造兼容平台上探索少光子非线性光学。
排斥卡西米尔力和范德华力
材料表面之间电磁场的约束会导致后者之间产生力，这是由于前者的量子涨落造成的，这种力有许多有趣的特点。首先，这种力代表了真空量子性质的宏观表现，可以用当前的实验技术测量。其次，对自然界中的几种现象进行仔细研究后，有强有力的证据表明，粘附、摩擦、润湿和粘滞从根本上说是这些量子涨落的结果。第三，随着设备不断向纳米级小型化，设计物体间真空涨落的能力可能为改进设备架构、组装方法或功能铺平道路。在本文中，我们将简要讨论最近对长距离和短距离排斥力的测量、未来实验的测量方案，以及利用修改真空涨落约束产生的这些力的能力的技术机会。