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World File Search System薄介电层
将Tikhonov正则化方法应用于低k介电椭圆形孔隙法的问题
加拿大金斯敦皇后大学癌症研究所的生物医学和分子科学系； B宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州佩雷尔曼高级医学中心泌尿外科系； c不列颠哥伦比亚大学泌尿科科学系，不列颠哥伦比亚省温哥华，加拿大； D德国弗莱堡大学医学与医学中心的输血医学和基因治疗研究所； E分司血液学/肿瘤学，Tisch Cancer Institute，伊坎医学院，美国纽约州纽约州西奈山； F美国医学博士NCI，NIH，NIH，NIH，美国马里兰州癌症研究中心免疫肿瘤中心； G.UniversitéParisCité，Institut Cochin，Inserm U1016，CNRS UMR 8104，巴黎，75014，法国； h粘膜炎症和免疫力，法国巴黎75015 Institut Pasteur学院，法国巴黎； I美国德克萨斯州休斯顿市德克萨斯大学医学博士安德森癌症中心外科泌尿外科系；加拿大QC蒙特利尔麦吉尔大学卫生中心泌尿外科J泌尿外科； k加拿大金斯敦皇后大学医学院泌尿外科系； l德克萨斯大学医学博士安德森癌症中心，美国德克萨斯州休斯敦的杰纳特里医学肿瘤学系
实体瘤的TCR工程T细胞疗法Terahertz低损坏的介电特征...
抽象的常见热塑料，即聚体（PC），聚（PC），聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）和丙烯腈丁二烯苯乙烯苯乙烯（ABS）是在新兴的6G连方系统中的潜在应用，可用于微型填充物和汇总fillectronics andastos，并具有潜在的应用。还需要进行更多的脚步应用，例如整个手持设备的包装，子组件和高频温度，而低成本是关键，而长寿命可能不是要求。在这项工作中，我们利用Terahertz时域光谱从500 GHz到2 THz来表征上述每个热塑性的介电特性和损耗切线。所研究的塑料具有低分散体的6G带中的折射率（〜1.6-1.7）。但是，吸收在高频上增加，因为在无序材料中通常会增加，这突出了6G的关键挑战。尽管如此，与（较高索引）玻璃杯和整个频率范围内（较高的）玻璃杯和陶瓷相比，所研究的所有热塑性塑料表现出低损失的性能，这表明它们是未来6G系统所选应用的有希望的候选者。
椭圆形平面对称介电尾场加速结构中偏转力的抑制
基于尾场的加速器能够将梯度加速比现有加速器高两个数量级，为实现紧凑型高能物理仪器和光源提供了一条途径。然而，对于高梯度加速器，由相应较高的横向尾场驱动的光束不稳定性会限制光束质量。此前的理论表明，可以通过将平面对称介电结构中的光束横向尺寸椭圆化来减小横向尾场。我们在此报告实验测量结果，这些测量结果表明平面对称结构中椭圆光束的横向尾场减小，这与理论模型一致。这些结果可能有助于设计出基于千兆伏/米梯度尾场的加速器，以产生并稳定加速高质量光束。
交换耦合介观介观连接钒基-...
摘要：充当潜在量子门的分子多自旋系统需要微调磁相互作用以实现单自旋可寻址性和自旋量子比特的纠缠。我们在此报告一种新的单链钒基-卟啉二聚体的合成，该二聚体结晶为两种不同的伪多晶型。单晶连续波电子顺磁共振研究表明，两个倾斜且可区分的自旋中心之间存在微小但至关重要的各向同性交换相互作用 J ，其数量级为 10 -2 cm -1 。实验和 DFT 研究表明 J 值与卟啉平面倾斜角和扭曲度之间存在相关性。脉冲 EPR 分析表明，两个钒基二聚体保持了单体的相干时间。我们的结果，加上卟啉系统的蒸发性，表明这类二聚体在量子信息处理应用中极具前景。
第二谐波生成用于介电 - 轴向导体堆栈中界面电场的表征
诸如MOSFET，光电探测器，光伏细胞之类的设备的性能受到接口质量的强烈影响，尤其是介电和硅之间。已知通过高介电常数Diélectrics（High-k）对IF的钝化可以改善这些接口的电性能。在用于表征界面质量的方法中，第二次谐波（SHG）的产生是一种基于非线性光学器件的有希望的敏感和非破坏性技术。在偶极近似中，中心分析材料中的SHG响应（例如Si，Al 2 O 3，Sio 2等）为零。因此，SHG响应主要包含与界面相关的信息，其中对称性被打破。此外，在界面处的电场（E DC）存在下，信号得到加固。该现象称为efish（电场诱导的SHG）。由于电界面场与氧化物（Q OX）和/或界面状态（d IT）中的固定载荷相关联，因此SHG技术对这些电参数敏感。本论文的目的是校准SHG响应，以测量与电介质中固定载荷相关的电场。从SHG实验数据中提取电气信息需要考虑光学现象的影响（吸收，干扰等。），这得益于对所研究结构的第二个谐波的响应进行建模/模拟。我们的仿真程序基于我们为多层人士改编的文献的理论模型。实验是在Si（100）上的几层Al 2 O 3上进行的，在可变条件下沉积并且界面质量非常不同。互补的电气技术，例如Corona负载（COCOS）和容量张力测量（C-V）的表征，使得访问样品的电场并完成SHG结果以进行校准。实验和模拟证明了Si介电的单个校准的可能性还讨论了与多层（绝缘体上的硅）等多层表征相关的一些研究元素，特别是对各个接口处存在的层厚度或电场厚度的SHG响应的影响。
实体瘤的TCR工程T细胞疗法 Terahertz低损坏的介电特征...
T细胞工程改变了癌症免疫疗法的景观。嵌合抗原受体T细胞已表现出在血液学中B细胞恶性肿瘤治疗中具有显着的功效。然而，到目前为止，它们对实体瘤的临床影响已经适度。表达工程T细胞受体（TCR-T细胞）的 T细胞代表了有希望的治疗替代方案。 目标库不限于膜蛋白，并且TCR（例如高抗原敏感性和接近生理信号传导）的内在特征可以改善肿瘤细胞的检测和杀伤，同时改善T细胞持久性。 在这篇综述中，我们介绍了针对不同肿瘤抗原家族的TCR-T细胞获得的临床结果。 我们详细介绍了已经开发出来识别和优化TCR候选者的不同方法。 我们还讨论了TCR-T细胞疗法的挑战，包括毒性评估和抗性机制。 最后，我们分享了一些观点，并突出了该领域的未来方向。T细胞代表了有希望的治疗替代方案。目标库不限于膜蛋白，并且TCR（例如高抗原敏感性和接近生理信号传导）的内在特征可以改善肿瘤细胞的检测和杀伤，同时改善T细胞持久性。在这篇综述中，我们介绍了针对不同肿瘤抗原家族的TCR-T细胞获得的临床结果。我们详细介绍了已经开发出来识别和优化TCR候选者的不同方法。我们还讨论了TCR-T细胞疗法的挑战，包括毒性评估和抗性机制。最后，我们分享了一些观点，并突出了该领域的未来方向。
在原子上薄的范德华磁铁Crsbr
摘要：在原子上薄的半导体中，CRSBR脱颖而出，因为它的散装和单层形式在磁性环境中均构成紧密结合的准二维激子。尽管对固态研究至关重要，但激子的寿命仍然未知。虽然Terahertz极化探测可以直接跟踪所有激子，而与带间选择规则无关，但相应的大型远场灶基本上超过了横向样品尺寸。在这里，我们将Terahertz极化光谱与近场显微镜结合在一起，以揭示CRSBR单层中的磁磁复发剂的飞秒衰减，该crsbr的单层比散装寿命短30倍。我们在散装CRSBR中揭示了结合和未结合的电子 - 孔对的低能指纹，并以无模型的方式提取单层的非平衡介电函数。我们的结果表明，首次直接访问CRSBR中准单维激子的超快速介电响应，可能会推进基于Ultrathin van der waals磁铁的量子设备的开发。关键字：原子上的固体，范德华磁铁，各向异性激子，超快动力学，飞秒近场显微镜，Terahertz
2D材料中的量子发射器 - UTS的作品
量子发射器已成为基本科学和新兴技术的重要工具。近年来，12 eld的重点已转移到探索和识别新的量子系统，该系统由原子上薄的二维材料的新兴库启用。在这篇综述中，我们强调了2D系统中量子发射器工程技术的当前状态，重点是过渡金属二烷核化合物（TMDCS）和六角形氮化物。我们首先要回顾TMDC的进度，重点是发射机工程，调整其光谱特性以及观察层间激子的能力。然后，我们讨论HBN中的发射器，并专注于发射器的起源，工程和新兴现象 - 跨越超分辨率成像和光学自旋读数。我们通过讨论在具有等离子和介电光子腔的2D宿主中整合发射器的实践进步，并由量子光 - 形式相互作用支撑。我们结束了实践芯片量子光子应用的途径，并在这项研究中强调了挑战和机遇。
研究论文：超临界流体驱动的无滞后、高性能聚合物电介质有机场效应晶体管
有机场效应晶体管 (OFET) 是有机电子电路的核心单元之一，OFET 的性能在很大程度上取决于其介电层的特性。有机聚合物，如聚乙烯醇 (PVA)，由于其固有的柔韧性和与其他有机成分的天然兼容性，已成为 OFET 备受关注的介电材料。然而，诸如滞后、高亚阈值摆幅和低有效载流子迁移率等不尽人意的问题仍然大大限制了聚合物介电 OFET 在高速、低压柔性有机电路中的实际应用。这项工作开发了一种使用超临界 CO 2 流体 (SCCO 2 ) 处理 PVA 介电体的新方法，以获得性能卓越的聚合物介电 OFET。 SCCO 2 处理可以完全消除 OFET 传输特性中的滞后现象，同时还可以显著降低器件亚阈值斜率至 0.25 V/dec，并将饱和区载流子迁移率提高至 30.2 cm 2 V − 1 s − 1 ，这两个数字对于柔性聚合物电介质 OFET 来说都是非常可观的。进一步证明，与有机发光二极管 (OLED) 耦合后，SCCO 2 处理的 OFET 能够在快速开关速度下运行良好，这表明通过这种 SCCO 2 方法可以实现聚合物电介质 OFET 的优异开关行为。考虑到 OFET 的广泛和重要应用，我们预见这种 SCCO 2 技术将在有机电子领域具有非常广泛的应用，尤其是对于高刷新率和低压柔性显示设备。
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍