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World File Search System薄介电层
ge n通道MOSFET具有ZRO2介电的MOSFET，可实现改善的迁移率
锗（GE）表现出较高的载流子迁移率和较低的加工温度的优势。这些使GE成为超老式CMOS逻辑设备和薄膜晶体管（TFTS）的应用，作为三维集成电路中的顶层[1-3]。在过去的几年中，针对GE P通道金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 局部效果晶体管（MOSFET）的表面钝化，栅极介电和通道工程的巨大努力已有助于显着改善设备的电气性能。但对于GE N-通道MOSFET，低有效载体迁移率（μEFF）极大地限制了晶体管的性能。各种表面钝化技术，包括SI钝化[1]，氧化后血浆[4]和INALP钝化[5]和几种高κ电介质，包括HFO 2，ZRO 2，ZRO 2 [6-8]，Y 2 O 3 [9]和LA 2 O 3 [10]，已在GE NMosfets中探索。证明，与GE通道集成的ZRO 2电介质可以提供强大的界面，因为GEO 2界面层可以反应并与ZRO 2层反应[7]。在GE P通道晶体管中有一个不错的孔μEFF[6-8]，而其对应物仍有很大的改善电子μEFF。
对介电屏障排放冷大气等离子体的综述进行表面灭菌和去污染
摘要 - 许多研究表明，在大气压力（也称为“冷大气等离子体”（CAP））处的非平衡放电有效地去除各种材料表面的生物污染物。最近，由于其产生的化学和生物活性自由基，CAP已迅速作为微生物清洁，伤口愈合和癌症治疗的技术，统称为活性氧和氮种（RONS）。本文回顾了与称为介电屏障排放（DBD）的一种有关的研究，该研究已广泛用于用微生物处理材料，以进行静脉化，消毒和去污染。为了推动在冷大气血浆应用中的研究，本综述讨论了屏障排放的各种类型和配置，反应性物种和其他DBD-CAP剂的作用以及其他导致其抗菌功效的DBD-CAP剂，其中一些DBD-CAP过去的过去研究专门在表面上以及DBD-CAP Tech-Tech-Tech-nology的出现应用。我们的审查表明，由DBD产生的非热/平衡等离子体可以对材料进行灭菌或消毒，而不会造成任何热损害或环境污染。
混合介电质量质量纳米ante纳纳纳与... -dr -ntu
dmitriev，P.A.，Lassalle，E.，Ding，L.，Pan，Z.，Neo，D.C.J.，Valuckas，V.，Paniagua -dominguez，R.，Yang，J.K.W.，Demir，H。V.（2023）。杂种介电 - 质量纳米antena，具有子波长光子源的多散性。ACS Photonics，10（3），582-594。https://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.2c01332
改善基于GAN的微型腔发光设备的热耗散
摘要 - 基于双介质DBR的双介电型微腔发光设备，它们制造了两个不同的结构，并研究了它们的热特性。为了改善热耗散，使用了比SIO 2高得多的热导率的ALN电流构造层和电镀铜散热器。设备的热电阻从923 k/w降至457 k/w，其中一半是用典型使用的SIO 2电流构造层和键合的底物获得的。这是带有双电介质DBR的基于GAN的微型腔发光设备中报告的最低值。温度分布和设备内部的热量。结果表明，沿垂直方向的热传输有效地绕过底部DBR到铜板。这项工作提供了一种有效的方法，可以改善具有双介电DBR结构的基于GAN的微型腔发光设备。索引项 - 微型腔发光设备，热量耗散，ALN电流配置层，电镀铜板。
静态掩蔽技术在磁控溅射技术中线性可变滤光片生产中的应用
从设计角度来看，获得可变滤波器的可能性取决于多层涂层的光谱特性与某些层（如果不是全部）厚度的依赖关系。在由两个金属镜形成的法布里-珀罗滤波器的特定情况下，腔层厚度的简单变化会使其中心波长发生偏移。这种简单的结构具有自然提供宽抑制带的优势，但不足以提供尖锐的过渡带通，并导致高吸收损耗。为了改善最后一点，一种解决方案是使用所谓的感应透射滤波器方法，其中金属层放置在介电法布里-珀罗滤波器腔内电场分布最小处 [2-4]。然而，生产具有任意指定抑制、宽度和锐度特性的滤波器的唯一方法是使用标准的全介电方法，该方法由多腔法布里-珀罗结构与附加介电短波长和长波长通断滤波器相关联形成。在这种情况下，所有层的厚度必须通过一个公共因子进行调整，从而产生比例的波长偏移，以产生可变滤波器[5,6]。
研究了用臭氧前体形成的ALD膜的结构和电性能
摘要：ALD薄片的持续发展需要持续的改进，并改变适合不同实际应用的量身定制特性的材料。臭氧最近被确定为前体，比晚期介电薄膜ALDS中的替代氧化前体具有不同的优势。本研究报告了使用O 3源的氧化铝（Al 2 O 3）和Hafnia（HFO 2）形成，并比较获得的结构和电性能。与水基薄膜相比，对臭氧基材料进行的结构检查证明具有较低的空缺水平。增强的结构特性还导致有问题通过整体层掺入不同的掺杂剂。此外，对使用ALD Gate介电的MIS结构的电特性分析表明，基于臭氧的胶片的质量和良好的绝缘性能得到了改善。然而，需要用臭氧进一步优化ALD技术，因为相对较低的相对介电性表征了超细膜。
研究了用臭氧前体形成的ALD膜的结构和电性能
摘要：ALD薄片的持续发展需要持续的改进，并改变适合不同实际应用的量身定制特性的材料。臭氧最近被确定为前体，比晚期介电薄膜ALDS中的替代氧化前体具有不同的优势。本研究报告了使用O 3源的氧化铝（Al 2 O 3）和Hafnia（HFO 2）形成，并比较获得的结构和电性能。与水基薄膜相比，对臭氧基材料进行的结构检查证明具有较低的空缺水平。增强的结构特性还导致有问题通过整体层掺入不同的掺杂剂。此外，对使用ALD Gate介电的MIS结构的电特性分析表明，基于臭氧的胶片的质量和良好的绝缘性能得到了改善。然而，需要用臭氧进一步优化ALD技术，因为相对较低的相对介电性表征了超细膜。
超宽带隙Ga2O3合金的分子束外延生长的进步
需求：•介电层带隙能大于底物（〜10 k b t或更多）•〜1至〜100 nm的厚度可变厚度•高度绝缘材料具有低意外掺杂浓度的高度绝缘材料•高质量的界面无陷阱和缺陷
二维
摘要：二维过渡金属二甲藻元化半导体（2D TMD）的光电和转运性能非常容易受到外部扰动的影响，从而可以通过后体系修饰来精确地定制材料功能。在这里我们表明，纳米级不均匀性称为纳米泡得很不均匀，可用于菌株，而在双层二硫化物中，激发激子转运的介电调节（WSE 2）。我们使用超敏感的空间分辨的光学散射显微镜直接对激子的传输进行成像，这表明介电纳米泡在室温下在漏斗和捕获激子的效率上非常有效，即使明亮的激子的能量受到了忽略的影响。我们的观察结果表明，电介质不均匀性中的激子漏斗是由动量 - 间接（黑暗）激子驱动的，这些激动型（黑暗）激子的能量比明亮的激子对介电扰动更敏感。这些结果揭示了使用深色态能量景观的介电工程进行特殊空间和能量精确的2D半导体中控制激子传输的新途径。主要文本：二维过渡金属二甲藻元化半导体（2D TMD）是范德华的材料，由于其强烈的光 - 含量相互作用，即使在原子上薄的限制下，它们也对纳米级光电构成了巨大的希望。2D TMD的光电特性在很大程度上受其库仑结合的电子孔对（激子）的控制，其结合能相对较大，高达数百个Milli-Electronvolts（MEV），这是由于平面外介电介质筛选而导致的。1–6与自由电荷不同，激子是电荷中性的，因此很难用电子设备中的外部电场来操纵。7–9因此，激子的传输特性在很大程度上取决于随机的扩散运动，没有远程方向性，从而限制了它们作为信息和能量载体的使用。寻找在2D TMD中操纵激子传输的新方法，而不会根本改变其他材料特性，这将产生激子设备，这些设备结合了强烈的光结合，并精确地控制了原子上薄材料中能量和信息流的精确控制。控制2D TMD的特性的一种有吸引力的途径是利用其对菌株，10–21和环境筛查等外在因素的极端敏感性（图1A），5,22-26，实现对光电和运输特性的合成后调节。例如，拉伸应变减少了2D TMD的光学过渡能；因此，16,18,27,28个局部应变区域会产生能量梯度，可以在纳米级低能部位漏洞和捕获激子，该过程被利用以创建长寿命的量子发射器。14,29–33菌株工程很难控制宏观尺度，并且可能引入不良疾病。