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摘要 - 基于双介质DBR的双介电型微腔发光设备,它们制造了两个不同的结构,并研究了它们的热特性。为了改善热耗散,使用了比SIO 2高得多的热导率的ALN电流构造层和电镀铜散热器。设备的热电阻从923 k/w降至457 k/w,其中一半是用典型使用的SIO 2电流构造层和键合的底物获得的。这是带有双电介质DBR的基于GAN的微型腔发光设备中报告的最低值。温度分布和设备内部的热量。结果表明,沿垂直方向的热传输有效地绕过底部DBR到铜板。这项工作提供了一种有效的方法,可以改善具有双介电DBR结构的基于GAN的微型腔发光设备。索引项 - 微型腔发光设备,热量耗散,ALN电流配置层,电镀铜板。

改善基于GAN的微型腔发光设备的热耗散

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