在使用我们的 Smart Cut 技术生产 SiC 基板时,我们发现优化键合步骤对于实现高水平的电导率和热导率至关重要。我们的研究表明,键合界面对总基板电阻的贡献相当于标准 SiC 材料的几十微米。在 Smart Cut 将薄片 SiC 从供体基板分割并转移到载体基板后,我们采用了精加工工艺,以确保通过抛光和退火,我们新形成的基板已准备好进行外延处理并与 SiC 器件加工兼容。请注意,我们的 Smart Cut SiC 技术生产的晶圆顶层没有基面位错(见图 2 和 3)。
1. 莱斯大学电气与计算机工程系,美国德克萨斯州休斯顿 77005 2. 莱斯大学应用物理项目,美国德克萨斯州休斯顿 77005 3. 莱斯大学生物工程系,美国德克萨斯州休斯顿 77005 4. 贝勒医学院神经科学系,美国德克萨斯州休斯顿 77030 摘要
T. Wernicke、B. Rebhan、V. Vuorinen、M. Paulasto-Krockel、V. Dubey、K. Diex、D. Wünsch、M. Baum、M. Wiemer、S. Tanaka、J. Froemel、KE Aasmundtveit、HV Nguyen、V. Dragoi
新沉积的介电材料的质量控制是 nanoTDDB 使用的另一个例子。具体来说,当使用原子层沉积 (ALD) 制备薄氧化膜时,需要对该过程进行微调以产生可重复的结果。这里用 ALD 制备二氧化硅膜,并用椭圆偏振法测量其厚度。由于在晶圆的不同位置观察到一些膜厚度变化,因此使用 Jupiter XR AFM 进行 nanoTDDB 测量以测量膜的电性能。使用 AFM 软件中编程的自动程序在晶圆的各个位置进行测量。
声明 ................................................................................................................................................................ 1
抽象发光构成了对金属热载体过程的独特洞察力,包括用于传感和能量应用的等离子纳米结构中的载体过程。然而,金属发光本质上是弱的,其微观起源仍然存在很广泛的争论,并且它的纳米级载体动力学的潜力在很大程度上无法解释。在这里,我们揭示了从薄单晶金质量产生的发光中的量子力学效应。特别是,我们提供了第一个原理模拟支持的实验证据,以证明其光致发光的起源(即,在互面板中令人兴奋时,会从电子/孔重组中产生的辐射发射)。我们的模型使我们能够确定由于量子机械效应而导致的测得的金发光的变化,因为金纤维厚度降低。令人兴奋的是,这种效应在厚度高达40 nm的发光信号中可观察到,这与费米水平附近电子带结构的平面离散性有关。我们通过第一个原理建模来定性地重现观测值,从而确立了在金单晶型中的发光统一描述,并将其广泛的应用作为携带者的探针,以探测本材料中的载体动力学和光 - 摩擦相互作用。我们的研究为在众多材料系统中的热载体和电荷转移动力学的未来探索铺平了道路。
在生长过程中,腔体压力和晶圆温度分别保持在 5.0 托和 800 o C。我们采用脉冲注入策略来调节二次成核并实现逐层生长模式。每个反应循环包括 2 分钟所有前体共注入,然后中断前体并清洗 1 分钟,循环时间为 3 分钟。通过五个生长循环获得了晶圆级多晶 MoS 2 薄膜;因此,总生长时间为 15 分钟。
晶圆加工技术的趋势要求晶圆载体技术不断进步,以支持当今先进的半导体加工设施。我们的 198/192 系列 200 毫米晶圆运输载体可满足当今 200 毫米晶圆厂的自动化、污染控制和生产力要求。这些开放式侧壁晶圆载体专为先进的晶圆运输而设计,与传统的中低端晶圆载体相比,具有显著的性能优势,包括精确的晶圆存取、可靠的设备操作和安全的晶圆保护。
由于其优异的介电性能,玻璃可以作为表面离子阱制造中石英或蓝宝石的低成本替代材料。与高电阻率(5000 Ω·cm)硅衬底(20 MHz 时的典型损耗角正切为 1.5)相比[24],本文采用的玻璃衬底(Corning SGW 8.5)在 5 GHz 时的损耗角正切为 0.025,体积电阻率为 10 10 Ω·cm(数据可从产品信息表获得)。这省去了硅阱所需的射频屏蔽层和绝缘层,并使制造程序变得更加简单。此外,透明玻璃(波长为 300 至 2400 nm 的透射率为 90%)可以使光的传输和收集更加灵活,例如,通过在下面放置光纤和/或光电探测器。 [25]与其他介电材料(如蓝宝石和石英)相比,玻璃不仅成本低,而且可制造性更先进,可以实现高可靠性的玻璃通孔、[26,27]阳极键合、[28]
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