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World File Search System薄膜
高弹性超导SRTIO3薄膜中的异常运输
对半导体转运的微妙影响的研究需要高质量密度的高质量外延结构。使用杂交分子束外延（MBE），低温迁移率超过42,000 cm 2 v -1 s -1的SRTIO 3膜在3×10 17 cm -3的低载体密度下进行。在第二个LIFSHITZ的过渡中观察到了残留电阻率突然而急剧下降，并伴随着超导过渡温度的增强，在该转变中，第三个带被占据，揭示了主要的内映射散射。这些薄膜进一步揭示了由于抗扭曲（AFD）过渡和霍尔散射因子的温度依赖性而导致霍尔载体密度的异常行为。使用混合MBE的生长，现象学模型，依赖温度的转运测量以及扫描超导量子干扰装置成像，我们提供了对srtio srtio srtio和超电导性能的Intera-Inter-trance inter-trance inty vtilus contrative contress inter-trance sctivation和AFD结构壁的重要作用的关键见解。
基于PECVD的硅硝酸盐薄膜用于纳米...-教师
a School of Computing and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology (IIT), Mandi 175001, Himachal Pradesh, India b Electronics and Microelectronics Division, Indian Institute of Information Technology (IIIT), Allahabad 211011, Uttar Pradesh, India c Department of Bio and Nano Chemistry, School of Mechanical Systems Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea d School of Basic印度理工学院科学研究所（IIT），曼迪175001，喜马al尔邦，印度E能源研究中心，印度技术学院光伏实验室（IIT） - 德里，新德里，新德里110016，印度印度印度纳米级，印度工程学院，印度科学系，IIT 16 Kanpur，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IT， Kurukshetra University，Kurukshetra 136119，印度
利用半导体薄膜中的反向掺杂不对称
† 富Zn条件下的μ Zn等于Zn金属每个原子的总能量，富O条件下的μ O对应于O 2 分子每个原子的总能量；平衡条件μ O + μ Zn = μ ZnO用于获得相同条件下的另一化学势，其中μ ZnO是ZnO块体的每个化学式的平均能量。
伪造晶体管具有由纳米技术产生的有机薄膜
摘要。有机薄膜晶体管是经典电子设备的替代候选物，这是因为有机半导体的载体迁移率超过0.1厘米2 /vs。本文的目的是基于经典特征方法提供某些有机薄膜晶体管的电气表征。硅在绝缘子（SOI）晶状体上的经典特征是伪MOS晶体管。因此，本文在一开始就提出了在Or-Ganic绝缘子上制造有机半导体的主要技术步骤，该隔热器仍然是SOI结构。制造的有机结构得到了纳米技术的帮助，并使用了无毒的前体，为绿色有机电子设备打开了新的方向。测量实验电流 - 电压静态特性。转移特性的微微调查表明，与模量中的栅极电压增加了漏极电流。因此，P型有机层正在积累。通过电气表征，提取了一些设备参数：掺杂浓度约为8×10 13 cm -3，有机纤维中的孔迁移率为0.2cm 2 /vs和6×10 10 10 E /CM 2的全局界面电荷。
Au-Ag 薄膜中热载流子弛豫时间的控制...
S. Memarzadeh 马里兰大学电气与计算机工程系，美国马里兰州帕克城 20742 马里兰大学电子与应用物理研究所，美国马里兰州帕克城 20742 KJ Palm 马里兰大学物理系，美国马里兰州帕克城 20742 马里兰大学电子与应用物理研究所，美国马里兰州帕克城 20742 TE Murphy 教授 马里兰大学电气与计算机工程系，美国马里兰州帕克城 20742 马里兰大学电子与应用物理研究所，美国马里兰州帕克城 20742 MS Leite 教授 加利福尼亚大学材料科学与工程系，美国加利福尼亚州戴维斯 95616 JN Munday 教授 加利福尼亚大学电气与计算机工程系，美国加利福尼亚州戴维斯 95616 马里兰大学电气与计算机工程系，美国电子jnmunday@ucdavis.edu
采用 MOCVD 在硅上外延大面积 Sb2Te3 薄膜
必须充分利用它们的物理特性并成功实现器件，例如各种成功的 III-V 半导体器件 40,41 ——最终目标是外延和单晶生长。Sb2Te3（以及其他拓扑绝缘体，如 Bi2Te3 和 Bi2Se3）的外延膜已通过分子束外延工艺直接生长，29,30 该技术在批量生产中显示出其局限性。另一方面，化学气相沉积技术存在形态控制不佳的问题，我们专门研究了 MOCVD 在这方面的研究。 TI 生长中常用的衬底，例如 Si(100)、Si(111) 和 Al 2 O 3 (0001)，与 Sb 2 Te 3 (以及一般的 TI) 存在明显的晶格失配，因此在存在旋转畴的情况下，会生长为取向性较差的多晶层 23,32 – 34 ，只有少数例外 42,43
薄膜合成 - 使用米内式脉冲 - 蒸气...
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具有超高调制效率的薄膜锂调节剂
薄膜硅锂（基于TFLN）的电气调节器由于其宽带宽度，高消光比和低光学损失，因此在宽带光学通信中具有广泛的应用。然而，与基于硅和磷酸二磷脂（INP）的同行相比，TFLN表现出较低的调制效率。同时达到低驾驶电压和广泛的调节带宽会带来重大挑战。为了解决此限制，本文提出了进入设备的透明导电氧化物，导致超高调制的效率为1.02 V cm。制造的复合电极不仅达到了高调制的效率，而且还具有高的电磁带宽，正如108 GHz时的3 dB rol-O摄取所证明的，PAM-4信号在224 GBIT S-1处得到了传播。制造的设备为低成本，高性能调节器提供了新颖的解决方案，从而促进了基于TFLN的多通道光学发射器芯片的缩小尺寸。
大面积多晶-MOO_3薄膜IR光子学
摘要近年来，范德华（Van der Waals）材料中表面声子极地（SPHP）的激发受到了纳米光子学界的广泛关注。alpha相钼三氧化物（α-MOO 3），一种天然存在的双轴双曲晶体，由于其在不同波长带的三个正交指导下支持SPHP的能力（范围10-20 µM），因此出现是一种有前途的极性材料。在这里，我们报告了大面积（超过1 cm 2尺寸）的制造，结构，形态和光学IR表征，α -moo 3多晶膜通过脉冲激光沉积沉积在熔融二氧化硅底物上。由于随机晶粒分布，薄膜在正常发生率下未显示任何光学各向异性。但是，提出的制造方法使我们能够实现单个α相，从而保留与α -moo 3片的语音响应相关的典型强分散体。报告了IR光子学应用的显着光谱特性。例如，在1006 cm -1处具有极化的反射峰，动态范围为∆ r = 0.3，共振Q因子在45°的入射角下观察到高达53的共振Q。此外，我们报告了SIO 2底物的阻抗匹配条件的实现，从而导致独立于极化的几乎完全完美的吸收条件（R <0.01）在972 cm-1处，该条件可维持以较大的入射角维持。在此框架中，我们的发现似乎非常有前途的，对于使用远场检测设置，用于有效和大规模的传感器，滤镜，过滤器，热发射器和无标签的生物化学传感设备，用于进一步开发无IR线印刷膜，可扩展的膜，用于高效和大规模的传感器，过滤器，热发射器和无标签的生化感应设备。
基于溶液的SB2SE3薄膜，用于微光子学
摘要。功能性墨西哥奶油蛋白酶光相变的开发对推进光学和光子学应用的有很大的希望。我们对SB 2 SE溶液处理的综合研究3薄膜呈现了一种从溶剂勘探到底物涂层的系统方法。通过采用表征技术，例如扫描电子显微镜，动态光散射，能量分散的X射线光谱，拉曼光谱和X射线衍射，我们揭示了对结构，组合和形态学特性的关键见解，以确保这些技术以及这些技术的选择，以确保这些技术的选择，以确保有必要的特征。与当前报道的沉积技术相比，我们的发现突出了解决方案沉积作为可扩展SB 2 SE 3膜处理的途径的潜力。