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World File Search System薄膜
Hf0.5Zr0.5O2超薄膜中的无疲劳铁电性...
由于具有 CMOS 兼容性和可扩展性的特点，HfO 2 基铁电体是下一代存储器件的有希望的候选材料。然而，它们的商业化受到可靠性问题的极大阻碍，疲劳是一个主要障碍。我们报告了界面设计的 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基异质结构的无疲劳行为。构建了一个相干的 CeO 2- x /Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 异质界面，其中 CeO 2- x 充当“氧海绵”，能够可逆地接受和释放氧空位。这种设计有效地缓解了电极-铁电界面处的缺陷聚集，从而改善了开关特性。此外，设计了一种对称电容器架构来最大限度地减少印记，从而抑制了循环引起的定向缺陷漂移。这种双管齐下的技术可以减轻氧伏安法产生的化学/能量波动，抑制顺电相的形成和极化退化。该设计确保 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基电容器具有超过 10 11 次开关循环的无疲劳特性和超过 10 12 次循环的耐久寿命，以及出色的温度稳定性和保持性。这些发现为开发超稳定的氧化铪基铁电器件铺平了道路。
dolutegravir 50 mg薄膜涂层片
4.1治疗指示DoluteGravir与其他抗逆转录病毒药物结合使用，用于治疗人类免疫缺陷病毒（HIV）感染的成年人和重量至少40公斤的青少年。应考虑HIV-1感染的官方治疗指南，例如WHO。用于使用抗逆转录病毒剂进行预防后预防，例如最近的官方准则，例如应征询谁。4.2 Posology和Administration Dolutegravir片剂应由艾滋病毒感染管理方面经验丰富的医疗保健提供者处方。Posology成人HIV-1感染的成年人对整合酶抑制剂的剂量是Dolutegravir 50 mg（一片）。如果以下情况，剂量应为每天两次50毫克。- 已知或怀疑患者的HIV -1感染对整合酶抑制剂具有抗性。当HIV-1基因型测试可用，对于由于高级多级耐药性而导致的治疗选择有限的患者（少于2个活性抗逆转录病毒）时，可以考虑更高剂量的DoluteGravir。这种耐药性可能包括Q148，其中有两个或多个来自G140A/C/S，E138A/K/T和L74I的次要突变。决定将DoluteGravir用于此类患者的决定应通过整合酶抗性模式告知。在这些患者中，不应用某些药物（例如Efavirenz，Nevirapine，Tipranavir/Ritonavir或Rifampicin）给予dolutegravir；请参阅第4.5节。
薄膜硅锂（TFLN）政策论文
最近，包括QCI在内的世界各地的Scien？sts已经证明了将大量信息编码到单个光子上的能力。能够密集地编码Informa？On上的光子并将其结合到很小的空间的能力，使其非常适合在Op？Cal Compu？Ng ng发动机上使用。此外，由于光子几乎不会产生热量，因此非常适合用于要求构成应用程序。例如，大规模组合使用的所有能量中，将近43％用于冷却。今天，这是一个惊人的110多瓦姆小时的电力，每年仅用于冷却数据中心。AC中的光子无热量。结果，基于光子的系统不能像电子系统那样过热。这不仅使基于光子的系统更便宜且易于操作，而且还会产生较少的“噪声”或“发行”，因为它们不是属的热量，因为它们不是属的热量。
用于先进互连应用的 Al3Sc 薄膜
Hiramatsu、B. Ho、S. Jaloviar、I. Jin、S. Joshi、S. Kirby、S. Kosaraju、H. Kothari、G. Leatherman、K. Lee、J. Leib、A.
原子层沉积薄膜中的界面
和压力，并在每次前体暴露之间进行吹扫循环。[3] 需要彻底了解以选择前体、基材和发生自饱和沉积的温度窗口。之前已全面介绍了 ALD 类型和前体化学，重点是金属硫化物及其应用。[4] 本综述重点介绍 ALD 生产的薄膜中的界面相互作用。术语“界面”是指两相之间的边界——前一层结束和下一层开始的分离边界。理想情况下，这两层在化学上不具有相互作用，界面充当向下一种材料的突然转换。然而，在实践中，接触区域中的物理、化学和电子相互作用是不可避免的。这些相互作用引起的各种现象为与界面相关的研究开辟了新的途径。例如，最明显的相互作用可能是涉及晶格的相互作用。Short 等人。 [5] 报告称，他们在沉积 ZnS 和 Cu x S 多层薄膜的过程中发现，薄膜的结构取决于最先沉积的材料：Cu 2 S 主要呈现单斜结构，而 CuS 和 ZnS 则呈现六方取向。[6]
形状记忆合金薄膜拉胀结构
SMA 通常以两种方式使用：要么利用形状记忆效应，要么利用热或应力诱导的马氏体相变提供的超弹性行为。在 TiNi 基 SMA 中，可实现高达 8% [19] 的可逆固有应变，而利用形状记忆效应则需要加热到高温相奥氏体才能可逆地恢复变形。超弹性合金的可逆伪弹性行为与应力诱导的马氏体相变有关，从奥氏体到马氏体。在这种情况下，只需移除施加的载荷即可实现可逆性。根据应用的要求，SMA 的转变温度可以通过热处理或改变成分来调整。[20–22] Chluba 等人。研究表明，三元形状记忆合金 TiNiCu 即使在 1000 万次超弹性循环后也不会出现疲劳，[23] 这使得这种合金成为皮肤电子（应用于皮肤的可拉伸电子产品）等应用的良好候选材料，其中肘部或膝盖处的设备可能会经受大量循环和大应变。嵌入聚合物中的传统金属（如铜）的循环行为已被研究，结果显示应变高达 5% 时就会出现裂纹。[24] 在人体应用中
特点，Cozaar，薄膜包衣片，50毫克
产品特性总结 1. 药品名称 COZAAR，50毫克，薄膜包衣片 2. 定性和定量组成 每片 COZAAR 50毫克片剂含有50毫克氯沙坦钾。已知效果的赋形剂 每片 COZAAR 50 毫克片剂含有 24.2 毫克乳糖（以乳糖一水化合物的形式）。有关辅料的完整列表，请参阅第 6.1 节。 3. 药物形式 薄膜包衣片（片剂） COZAAR 50毫克片剂 白色、椭圆形、薄膜包衣片，一面标有952，另一面有断线。药片上的刻痕并非用来折断药片的。 4. 临床特点 4.1 治疗指征 • 治疗成人和6至18岁儿童及青少年的原发性高血压。 • 作为抗高血压方案的一部分，治疗患有高血压和 2 型糖尿病且蛋白尿 ≥ 0.5 g/天的成年患者的肾脏疾病（见 4.3、4.4、4.5 和 5.1 节）。 • 治疗因不相容性（尤其是咳嗽）或禁忌症而不适合使用血管紧张素转换酶 (ACE) 抑制剂治疗的慢性心力衰竭（成年患者）。对于患有心力衰竭且病情已通过 ACE 抑制剂稳定的患者，不应改用氯沙坦治疗。患者左心室射血分数≤40%，临床病情稳定，按慢性心力衰竭标准治疗。 • 降低经心电图确认的高血压和左心室肥大的成年患者发生中风的风险（参见 5.1 节 LIFE 研究，种族）。 4.2 用法用量和给药方法 用法用量 高血压 大多数患者的常用起始和维持剂量为每天一次 50 毫克。在开始治疗后 3 至 6 周内可达到最大抗高血压效果。一些患者可能需要将剂量增加至每天一次（早上）100 毫克。
氢含量对氮化硅薄膜介电强度的影响
为了制备高击穿电压薄膜，对高击穿电压材料有许多要求，[5，12]例如，介电常数要尽可能大，介电材料在硅衬底上必须是热力学稳定的。[6，8，13]目前对击穿强度的研究工作都是在PECVD/LPCVD上进行的，[10，14]但本实验采用ICP-CVD模型制备氮化硅薄膜，可以提供更多的能量，促进反应气体的分解，制备出击穿强度更大的薄膜。氮化硅薄膜中的氢含量对薄膜的击穿强度影响很大。[15]在薄膜的成分中，Si-H键在薄膜的组成中起着基础性的作用，随着薄膜中氢含量的变化，薄膜的电学性质将发生变化。 [6,16,17]当薄膜中氢含量较高时，硅的悬挂键会被H填充，会增加薄膜的稳定性，提高击穿强度。[18]但关于H含量与薄膜击穿电压的关系，在ICP-CVD机上进行的实验很少，结论也不完善，因此本实验采用ICP-CVD机进行薄膜沉积。[19,20]