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World File Search System薄膜
碳纳米管薄膜焦耳热处理
研究了不同温度下焦耳热对碳纳米管(CNT)薄膜的温度响应和材料变化。结果表明:焦耳热使CNT薄膜升温迅速,最高可达300 o C/s,且稳态温度与功率近似呈线性关系。在长期焦耳加热下,树脂浸渍的CNT薄膜可形成固化良好的CNT复合薄膜。但焦耳加热过程中薄膜温度分布不均匀,且CNT薄膜无法通过简单的压制、拉伸和浸渍等方法改变温度分布。揭示了方块电阻是影响薄膜温度分布的主要因素。此外,250 o C以下焦耳热处理导致CNT薄膜厚度增加10%,电导率降低15%。
使用单层LA0.67SR0.33MNO3薄膜
摘要：在信息技术中高度期望具有低功耗的无磁场，非挥发性磁记忆。在这项工作中，我们报告了单层LA 0.67 SR 0.67 SR 0.33 MNO 3薄膜的电流可控对齐，其阈值电流密度在室温下为2×10 5 A/cm 2。当前方向和域壁方向之间的矢量关系表明，没有外部磁场的辅助，自旋 - 轨道扭矩的主要作用。同时，可以在域墙重新定位之前和之后以非易失性的方式读取显着的平面大厅电阻。已经提出了一种基于域壁的磁随机访问记忆（DW-MRAM）原型设备。关键字：无磁场磁开关，磁性域壁，氧化物材料，自旋 - 轨道耦合，平面霍尔效应，磁随机访问记忆■简介
薄膜siox，sioxny和sic ...
摘要。目标。确保可植入设备的寿命对于它们的临床实用性至关重要。这通常是通过密封在不可渗透的外壳中密封敏感的电子产品来实现的，但是，这种方法限制了微型化。另外，有机硅封装已显示出对植入的厚膜电子设备的长期保护。然而，当前的许多保形包装研究都集中在更刚性的涂层上，例如丙烯烯，液晶聚合物和新型无机层。在这里，我们考虑使用薄膜技术保护植入物的潜力，其特征是厚膜的33倍。方法。在血浆增强化学蒸气下沉积的钝化（Sio X，Sio X N Y，Sio X N Y + SIC）下的铝合作的梳子结构封装在医疗级硅硅酮中，共有六种钝化/硅酮组合。在连续的±5 V双相波形下，在67天的磷酸盐生理盐水中将样品在磷酸盐生理盐水中陈化多达694天。周期性的电化学阻抗光谱测量值监测了金属痕迹的泄漏电流和降解。使用傅里叶转换红外光谱，X射线光电光谱，聚焦离子束和扫描电子显微镜来确定任何封装材料变化。主要结果。在衰老过程中未观察到硅酮分层，钝化溶解或金属腐蚀。对于这些样品，唯一观察到的故障模式是开路线键。明显的能力。阻抗大于100gΩ，在铝轨道之间保持了硅胶封装和SIC钝化的封装。相比之下，Sio X的进行性水合导致其阻力减小数量级。这些结果表明，当与适当的无机薄膜结合使用时，有机硅封装对薄膜进行轨道的良好保护。该结论对应于先前的有机硅
氧化锌薄膜和潜在应用
其电气和光学特性特性，ZnO，一种宽阔的直脉冲氧化物半导体，对电气，光学和信息技术设备的使用平台具有巨大的希望（Schuler and Aegerter 1999）（Sahay and Nath 2008）。通过当代固态技术采用的无形导电氧化物，包括反映热量，太阳能电池板和传感器以及光学电子产品的镜子，已成功地掺入了氧化锌（ZnO）薄膜（O'Brien，Nolan等人2010）。TCO在可见范围内应具有很高的光学透明度和强电导率。由于其强大的电导率和对可见光，ITO或最常见的氧化二锡氧化物的出色透明度，广泛使用的TCO（Srivastava and Kumar 2013）。在紫外线辐射下，ZnO薄膜晶体管（Tiginyanu，Ghimpu等人。2016）。
薄膜设备开发和技术
抽象的薄膜材料可以获得显着的优势，并且与笨重的对应物相比，具有根本不同和可调的材料特性。结合了超薄二维（2D）和常规半导体材料的特性，可以开发新的设备概念，尤其是用于传感应用。这种关联描述了如何合并常规的半导体和2D物质处理平台和技术。结合了材料特性的精确调整，合并技术可以实现高度非线性的光子传感器和系统，这些传感器和系统可利用特定于材料的益处为广泛的应用范围。除了为设备和系统开发提供几乎独立的构建块外，技术还可以进一步合并，还可以利用常规测量表征来提取材料属性。作为设备示例，用于增强感应应用的异质结构光电视，非线性无定形硅和用于光学范围的光电烯光电镜以及3D成像以及用于增强的读出电路电路的增强式读取电路和薄膜磁带，并与The Storate-enter-ens-ens-ext-exter-the-Art一起进行了讨论。
基于CDTE的薄膜光伏
MSE＆ECE系，犹他大学，犹他州盐湖城，犹他州84112，美国B能源转换研究所（退休），特拉华大学，纽瓦克大学，19716年，美国C Wright Photovoltaics创新与商业化中心，托莱多大学，托莱多大学，俄亥俄州托莱多大学，俄亥俄州，俄亥俄州，43606，43606，CO o decoper of co co co co co co co co co co co co co co co w wright o。美国E First Solar Inc，1035 Walsh Ave，Santa Clara，CA，95050，美国Ft Colorado州立大学。 Collins, CO, 80523, USA g National Renewable Energy Laboratory (NREL), Golden, CO, 80401, USA h Universita ' di Verona, Department of Computer Science, Ca ' Vignal 2- Strada Le Grazie 15, 37134, Verona, Italy i Department of Physics and Astronomy, Bowling Green State University, Bowling Green, OH, 43403, USA j Department of Physics, University of Illinois芝加哥，芝加哥，伊利诺伊州芝加哥，美国K Crest，沃尔夫森机械，电气和制造工程学院，拉夫堡大学，拉夫堡大学，LOUGHBOROUGH，LE11 3TU，英国L美国地质调查局，地质与矿产科学中心，12201 Sunrise Valley DR，Reston，Reston，弗吉尼亚