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World File Search System薄膜
薄膜沉积的全面回顾...
摘要。通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 方法沉积薄膜是制造 MEMS 或半导体器件的关键工艺。本文全面概述了 PECVD 工艺。在简要介绍 PECVD 反应器的主要层及其应用（例如氧化硅、TEOS、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、非晶硅、类金刚石碳）之后，介绍了这些层。分析了工艺参数（例如腔体压力、衬底温度、质量流速、RF 功率和 RF 功率模式）对沉积速率、膜厚度均匀性、折射率均匀性和膜应力的影响。微机电系统 (MEMS) 和半导体器件的薄膜 PECVD 沉积的主要挑战是优化沉积参数，以实现高沉积速率和低膜应力，这在低沉积温度下是可能的。
薄膜WBR（电线电阻）
一般说明顶部触点精密电线键键电阻器是超稳定性的，具有高可靠性。电阻器被修剪为紧密的耐受性。该值的可自定义值和唯一标记。此设备构建于0202芯片轮廓，非常适合但不限于混合电路应用。
埋在同骨聚丙烯薄膜
对薄膜中聚合物链的聚合链的聚集态也对开发薄膜聚合物设备的固有科学兴趣至关重要。Here we report the preferential orientation of the crystalline lamellae for isotactic polypropylene ( i PP) in spin-coated films by grazing incidence of wide-angle X-ray diffraction in conjunction with sum frequency generation vibrational spectroscopy, which provides information on the local conformation of chains at crystal/amorphous interfaces buried in a thin film.I PP的结晶取向，该方向形成了由层状分支诱导的交叉镶片，从边缘和面向母片的混合物变化为厚度降低厚度的优先面对面的母亲薄片。在I PP膜的内部区域的晶体/无定形界面处的甲基取向发生了变化，并伴随着层状方向的变化。
杜邦™ Tedlar® PVF 薄膜
杜邦光伏解决方案 photovoltaics.dupont.com 杜邦™、杜邦椭圆形标志以及所有标有 TM、SM 或 ® 的商标和服务标志均归杜邦公司附属公司所有，除非另有说明。© 2020 杜邦。（07/20）
用于薄膜，等离子体和表面工程
新的EQP系列包含一系列高性能四极分析仪，适合各种等离子体分析任务。具有6 mm四极杆直径的EQP-6，质量范围为300和510 AMU，并基于Hiden Triple Filter Analyzer。EQP-9提供了最广泛的质量范围选择，用于高稳定性和质量传播。提供的范围是50、300、510、1000和5000 AMU。顶级范围是旗舰EQP-20，配备了行业前20毫米杆直径四极杆和独特的可切换双RF区域模式。EQP-20设计用于超高的质量分辨率实验，例如HE和D 2分开，以及最高200 AMU的超高稳定性分析。能量范围为100 eV作为标准，1000 eV是可选的。
固体薄膜 799 (2024) 140399
微转移打印 (µ TP) 是一种很有前途的技术，可用于将 III-V 材料异质集成到基于 Si 的光子平台中。为了通过增加 III-V 材料和 Si 或 SiO 2 表面之间的粘附性来提高打印产量，通常使用像苯并环丁烯这样的粘附促进剂作为中间层。在这项工作中，我们展示了在没有任何粘合剂中间层的 SiO 2 中间层上基于 InP 的试样的 µ TP，并研究了无粘合剂键合的机理。源试样是基于 InP 的试样堆栈，位于牺牲层上，该牺牲层通过使用 FeCl 3 的化学湿法蚀刻去除。对于目标，我们在 8 英寸晶圆上制造了非晶硅波导，并用高密度等离子 SiO 2 封装，并通过化学机械抛光程序进行平坦化。我们使用 O 2 等离子体激活源和目标，以增加试样和基板之间的粘附性。为了更好地理解键合机理，我们应用了几种表面表征方法。利用原子力显微镜测量了等离子体激活前后 InP 和 SiO 2 的均方根粗糙度。利用光学台阶仪估算目标晶圆上微转移印刷源试样的台阶高度。利用 InP 的拉曼峰位置映射来分析等离子体激活前后 SiO 2 上可能的应变和接触角测量值，以观察表面亲水性的变化。利用 X 射线光电子能谱分析来表征 InP 源的 P2p、In3d、O1s 以及 SiO 2 目标的 Si2p、O1s 的表面能态。我们的结果表明，无需应变补偿层，就可以通过 µ TP 直接键合 InP 试样。这样，为使用 µ TP 进行 InP 异质集成提供了一种与互补金属氧化物半导体兼容的有希望的途径。
促进全固态薄膜电池的制造
电池模块包含三种类型的沉积室。PLD 室使我们能够生长外延阴极和固态电解质，这些电解质可以以择优晶体取向生长，以研究和优化其性能。配备转盘，我们能够依次沉积多达 6 种靶材。PLD 室具有双光束设置，使我们能够同时沉积两个靶材。溅射室可用于沉积金属或氧化物薄膜，特别是含氮电解质（如 LiPON）或阴极涂层，以帮助控制金属从阴极溶解到电解质中。直接连接热蒸发器，无需破坏真空即可依次沉积金属（如锂阳极）。
高性能金属氧化物薄膜 T
最近，有报道称，通过采用新的器件架构，人们提出了几种提高MOTFT性能的策略，包括双栅极注入[28–30]、高k绝缘体[31–33]和半导体异质结构。[34–38]在这些策略中，不同MO的低维双层或多层异质结构提高了MOTFT中的载流子迁移率和驱动电流。[39,40]这些改进通常源于两个具有较大费米能差的半导体之间异质界面势阱内受限的自由电子。[41]然而，尽管这些方法值得关注，但可用组件材料和漏电流控制的局限性损害了该平台的保真度。[37,38]另一种提高性能的方法