RF 组件和子系统 NANOWAVE Technologies Inc. 是一家私营加拿大制造商,为航空航天、航空电子、国防、工业和医疗市场提供先进的高可靠性 RF 和微波组件、模块和子系统。在 NANOWAVE,所有关键流程均在内部进行,以便在长达 20 年甚至更长的产品使用寿命内为最终客户提供受控的供应链。内部流程包括: • 封装和外壳技术 • 薄膜技术 • 半导体器件和 MMIC 设计 • RF 电路工程 • RF 滤波器设计 • 电路卡设计和制造 • 组装和集成 • 电气和环境测试 • 质量保证 NANOWAVE 产品的基础是专有的高可靠性混合单片集成电路 (HMIC) 工艺。HMIC 工艺将裸片与内部薄膜电路集成在一起,然后将其密封在模块化组件中。由此产生的电路可以持续
摘要 原子层沉积(ALD)已成为当代微电子工业中不可或缺的薄膜技术。ALD 独特的自限制逐层生长特性使该技术能够沉积高度均匀、共形、无针孔的薄膜,并且厚度可控制在埃级,尤其是在 3D 拓扑结构上。多年来,ALD 技术不仅使微电子器件的成功缩小,而且还使许多新颖的 3D 器件结构成为可能。由于 ALD 本质上是化学气相沉积的一种变体,因此全面了解所涉及的化学过程对于进一步开发和利用该技术至关重要。为此,我们在本综述中重点研究 ALD 的表面化学和前体化学方面。我们首先回顾了气固 ALD 反应的表面化学,并详细讨论了与薄膜生长相关的机制;然后,我们通过比较讨论 ALD 工艺中常用的前体来回顾 ALD 前体化学;最后,我们有选择地介绍了 ALD 在微电子领域的一些新兴应用,并对 ALD 技术的未来进行了展望。
摘要 薄膜技术因其多种工业用途而具有吸引力,正在工程学、化学、物理学和材料科学等许多领域得到研究。近年来,随着可再生能源的开发前景,薄膜市场,尤其是光伏领域的研究得到了显著发展,薄膜市场迅速增长。然而,这并不排除其他领域,如半导体集成电路、保护、光学或简单的装饰涂层。上面没有提到的一个领域是新兴的能量收集领域,即捕获和积累来自环境中可用的替代能源的所有能量;第一步是寻找能够将环境能量转换为电能的设备。多年来,人们一直在研究实现这种转换的一种可能的解决方案,那就是压电薄膜,本论文的主题就是压电薄膜的实现和一些初步测量。所采用的技术是生产薄膜最通用的技术之一,即在反应环境中的磁控管配置中进行溅射,该技术快速且能适应各种要求,以获得具有所需特性的薄膜。沉积的压电材料是铝基板上的氮化铝。
平面微电极阵列(MEAS) - 体外或体内 - 神经元信号记录缺乏对神经网络功能和突触可变性的详细理解所需的空间分辨率和功能的信号噪声比(SNR)。为了克服这些局限性,将高度可定制的三维(3D)打印过程与薄膜技术结合使用,并使用自动对准模板辅助的电化学沉积工艺来制造基于3D打印的衡量标准,以基于STI效率或灵活的底物。显示具有设计灵活性和身体鲁棒性的设备用于记录不同体外和体内应用中的神经活动,可实现高高度比率3D微电极高达33:1。在这里,测量在3D神经元培养物,视网膜外植体和活小鼠皮层中成功记录神经活动,从而证明了3D MEA的多功能性,同时保持高质量的神经记录。可自定义的3D MEA为在常规或各种病理状况下(体外和体内)研究神经活动提供了独特的机会,并有助于药物筛查和神经调节系统的开发,这些系统可以准确地监测大型神经网络的活性。
摘要 — 我们提出了一种新型紧凑型宽带波导 T 结功率分配器,特别适用于毫米波和太赫兹频率。它将基于基板的元件整合到波导结构中,以提供输出端口的隔离和匹配。内部端口引入在基板上形成为 E 探针的 T 结的顶点。这有助于将反射能量从输出端口有效地耦合到与 E 探针集成在同一基板上并通过薄膜技术制造的新型薄膜电阻终端。设计、模拟和制造了适用于 150-220 GHz 频带的功率分配器,以实验验证理论和模拟性能。结果表明,模拟和测量结果具有极好的一致性,对于三端口设备,输入和输出端口的回波损耗显著为 20 dB,输出端口之间的隔离度优于 17 dB。此外,测量的插入损耗小于 0.3 dB,幅度和相位不平衡分别为 0.15 dB 和 0°。此外,分压器对内置吸收负载的电阻材料的尺寸和薄层电阻具有出色的耐受性,使该设备成为毫米波和太赫兹系统(特别是射电天文接收器)非常实用的组件。
随着近年来微纳加工技术的快速发展,纳米薄膜[1–8]的基础研究及其在电子/光电子[3,8,9]、微纳机电系统(MEMS/NEMS)[6,10]和光学[11,12]等领域的应用已成为一个具有巨大潜力和机遇的领域。同时,纳米薄膜技术正逐渐广泛深入人们的日常生活,在现代智能社会的发展中发挥着越来越重要的作用。例如,基于纳米薄膜技术的微电子器件(如手机、笔记本电脑和可穿戴设备)作为人工智能技术中生命信号采集和传输的物理载体,集成的功能越来越多,尺寸却不断减小[13,14]。然而,纳米膜在微电子领域的应用主要集中在二维微纳结构和平面器件上。纳米膜的二维布局可能不利于实现进一步的性能提升或满足某些场景下的特定关键要求[13,15–17],如空间光调制[18]、具有高Q值的非传统近场通信(NFC)[19,20]和高效能量收集器[21]。发展将纳米膜转化为三维微纳结构的技术可以绕过平面设计中遇到的一些挑战,为实现器件设计的多样性、更好的性能和更先进的功能提供了可行途径[22,23]。然而,三维微纳结构的制备存在许多技术挑战[24]。在过去的几十年里,人们投入了大量的努力来开发新的制造方法,三维纳米膜的制备也取得了重大进展。在这些方法中,二维到三维的组装方法脱颖而出,由于其与现代平面制造具有良好的兼容性等固有优势而受到广泛关注
摘要。目标。确保可植入设备的寿命对于它们的临床实用性至关重要。这通常是通过密封在不可渗透的外壳中密封敏感的电子产品来实现的,但是,这种方法限制了微型化。另外,有机硅封装已显示出对植入的厚膜电子设备的长期保护。然而,当前的许多保形包装研究都集中在更刚性的涂层上,例如丙烯烯,液晶聚合物和新型无机层。在这里,我们考虑使用薄膜技术保护植入物的潜力,其特征是厚膜的33倍。方法。在血浆增强化学蒸气下沉积的钝化(Sio X,Sio X N Y,Sio X N Y + SIC)下的铝合作的梳子结构封装在医疗级硅硅酮中,共有六种钝化/硅酮组合。在连续的±5 V双相波形下,在67天的磷酸盐生理盐水中将样品在磷酸盐生理盐水中陈化多达694天。周期性的电化学阻抗光谱测量值监测了金属痕迹的泄漏电流和降解。使用傅里叶转换红外光谱,X射线光电光谱,聚焦离子束和扫描电子显微镜来确定任何封装材料变化。主要结果。在衰老过程中未观察到硅酮分层,钝化溶解或金属腐蚀。对于这些样品,唯一观察到的故障模式是开路线键。明显的能力。阻抗大于100gΩ,在铝轨道之间保持了硅胶封装和SIC钝化的封装。相比之下,Sio X的进行性水合导致其阻力减小数量级。这些结果表明,当与适当的无机薄膜结合使用时,有机硅封装对薄膜进行轨道的良好保护。该结论对应于先前的有机硅
1.6.1 学位课程和要求 工程硕士和哲学博士学位(研究型) MAE 提供机械和航空航天工程所有领域的研究课程,可授予哲学博士和工程硕士学位。充足的先进设施和专业知识支持各个研究领域,提供无与伦比的学习体验。我们还与世界各地的知名大学和研究所保持着持续的学术和研究联系。 考生在经批准的高级研究领域进行独立但有监督的研究,并必须提交论文。考生还必须参加至少三到六门课程的课程并通过考试。被录取的考生必须参加资格考试和确认练习。完成研究后,考生需要提交其研究的论文以供审查。对于哲学博士学位,还会对其论文和其他相关课程进行课程内容的考试。战略研究计划MAE学院提供一系列多学科战略研究计划,专注于开发当前和未来有前景和影响的前沿知识和技术。更多信息请访问 http://www.ntu.edu.sg/mae/content.asp?mid=10 或 http://www.ntu.edu.sg/mae/content.asp?mid=17 先进电子与制造工艺 • 先进材料建模与工艺 • 电子封装 • 薄膜技术 生物医学与生物材料工程 • 生物医学工程 • 生物材料工程 • 组织工程 计算工程 • 计算材料 • 计算力学 • 计算流体动力学 工程设计与建模 • 产品设计、智能建模与实现、人为因素工程 • 工程计算与建模 • 虚拟现实与软计算 智能系统、物流与工程管理 • 工程管理与物流 • 智能机器、微型机器与机器人 • 视觉、控制与车辆技术 纳米技术和微系统 • 微机电系统(MEMS) • 生物微机电系统(Bio-MEMS) • 精密工程 • 传感器和执行器、智能材料与结构 能源与环境技术 • 燃料电池 • 环境技术和工艺航空航天工程•空气动力学、边界层和计算流体力学•推进、燃烧和涡轮机械
BME 5267 生物流体力学 MAP 2302, EML 3701, EML 4703 √ FA 3(3,0) EAS 5123 中级空气动力学 EAS 4143, (EML 5060) √ 偶尔 3(3,0) EAS 5211 气动弹性学 EAS 3101/EML 3701, EAS 4210/EML 4220 √ 偶尔 3(3,0) EAS 5315 火箭推进 EAS 4134/ EML 4703 √ 偶尔 3(3,0) EEE 5332C 薄膜技术 EEE 3350/ 同等学历 √ 偶尔 3(2,1) EEE 5352C 半导体材料与器件特性 EEE 3350/ CI √奇数 FA 3(2,3) EEE 5356C 固态器件制造 EEE 3350 √ FA/ SP 4(3,3) EEE 5378 CMOS 模拟和数字电路设计 EEE 4309C √ FA 3(3,0) EEE 5513 数字信号处理应用 EEL 4750 √ SP 3(3,0) EEE 5542 随机过程 I EEL 3552C, STA 3032 √ FA/ SP 3(3,0) EEE 5557 雷达系统简介 EEL 3552C √ SP 3(3,0) EEL 5173 线性系统理论 EEL 3657 √ SP 3(3,0) EEL 5245C 电力电子学 EEE 4309C √ FA 3(3,0) EEL 5437C 微波工程EEL 3470/ CI √ FA 4(3,3) EEL 5462C 天线分析与设计 EEL 3470/ 等效 √ 奇数 FA 3(3,1) EEL 5630 数字控制系统 EEL 3657 √ FA 3(3,0) EEL 5669 自主机器人系统 EEL 5173/ CI √ 奇数 FA 3(3,0) EEL 5722C 现场可编程门阵列 (FPGA) 设计 EEE 3342C √ 偶数 FA 3(3,3) EIN 5108 技术组织环境 研究生身份/ CI √ FA 3(3,0) EIN 5117 管理信息系统 I CI √ SP 3(3,0) EIN 5140 项目工程 研究生身份/ CI √ FA/SP 3(3,0) EIN 5248C人体工程学 CI √ FA 3(2,2) EIN 5251 可用性工程 STA 3032/ 同等 √ SP 3(3,0) EIN 5346 工程物流 ESI 5306/ ESI 4312 √ 偶尔 3(3,0) EMA 5060 高分子科学与工程 EGN 3365 √ 偶尔 3(3,0) EMA 5104 中间结构与材料属性 EGN 3365 √ FA 3(3,0) EMA 5106 冶金热力学 EGN 3365 √ 偶尔 3(3,0) EMA 5140 陶瓷材料概论 EGN 3365 √ 偶尔 3(3,0) EMA 5317 材料动力学 CI √ 偶尔3(3,0) 指数移动平均线5584 生物材料 EGN 3365 √ 偶数 SP 3(3,0) EMA 5610 激光材料加工 EGN 3343/ EMA 5106 / CI √ 偶尔 3(3,0) EML 5060 MAE 中的数学方法 MAP 2302 √ FA 3(3,0) EML 5152 中级传热 EML 4142, EML 5060 √ 偶尔 3(3,0) EML5228C 模态分析 EML 3303C, EML 5060 √ 偶尔 3(3,0) EML 5237 中级材料力学 EML 3500/ EAS 4200, EML 5060 √ FA 3(3,0) EML 5271 中级动力学 EGN 3321/ EML 3217 √ 偶尔 3(3,0) EML 5290 MEMS 与微机械加工简介 研究生身份/CI √ 零星 FA 3(3,0) EML 5311 系统控制 EML 4225C,(EML 5060) √ 偶尔 3(3,0) EML 5402 涡轮机械 EML3101,EML 4703/EAS 4134 √ 偶尔 3(3,0) EML 5456 可持续电力涡轮机 EML 5237 √ FA 3(3,0) EML 5546 复合材料工程设计 EML 5237 √ 偶尔 3(3,0) EML 5713 中级流体力学 EML 4703,(EML 5060) √ 偶尔 3(3,0)需缴纳研究生学费和费用(GPA ≥ 3。0 必修)本科生需要 Override 才能注册这些课程。未在此列表中列出的课程必须获得系副主任的批准。于 2022 年 8 月 22 日更新