XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System薄膜的
DNA 增加 PVDF 薄膜的 β 相含量
摘要 — 已证实脱氧核糖核酸 (DNA) 能与聚偏氟乙烯 (PVDF) 相互作用，从而在某些铸造条件下增加电活性 β 相含量和压电响应。虽然使用 DNA 作为自极化剂有可能消除压电 PVDF 薄膜中额外拉伸和极化步骤的需要，但 DNA 极化 PVDF 的机制尚不清楚，这阻碍了该过程的优化。在此，我们进行了一项研究，以筛选干燥温度、核酸添加剂的量、PVDF 的重量百分比、旋铸速度和 PVDF 的分子量对旋铸 PVDF-DNA 混合薄膜的影响。分别使用傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 和压电计量化所得薄膜的相组成和压电响应。我们发现 DNA 对 PVDF 薄膜的 β 相含量有显著影响；然而，这种影响在低干燥温度下被掩盖了。虽然 DNA 促进了 PVDF 电活性 β 相的形成，但我们找不到 DNA 增强 PVDF 压电响应的证据。这些结果与之前的文献相矛盾，之前的文献报告称 DNA 使 PVDF 的偶极子对齐，从而使薄膜表现出显著的压电响应。总体而言，这项研究发现，在某些铸造条件下，核酸添加剂对 PVDF 薄膜相组成有重要影响。
P型无定形硅薄膜的高热电学因子用超铁硅纳米晶体分散
硅是一种用于低温热能清除应用的丰富元素热电材料，通常患有相当低的热电效率。提高效率的一种可行解决方案是提高非硅硅（A-SI）的功率因数（PF），同时保持热导率足够低。在这项工作中，我们报告说，Pf> 1 m wm-1 K-2是可用于硼植入的p型P型A-SI膜，该膜分散，通过在温度≤600°C的温度下通过退火而实现的超细晶体。在550°C下退火可启动用嵌入A-SI基质中的亚纳米晶体结晶。所得的薄膜保持高电阻，因此产生了低的PF。在600°C下的退火大约使以双峰尺寸分布特征的特征降低了亚5-nm纳米晶体的密度，并因此减少了膜中无定形相的分数。因此，在室温下测得的PF> 1 m wm -1 k - 2急剧增强的电导率，因此Pf> 1 m wm -1 k -2。结果表明，在大型热电应用中，硅具有巨大的潜力，并基于硅热电话建立了通往高性能能量收集和冷却的途径。
优化绝缘体薄膜的双层剥离抗蚀剂工艺
利用 5G 延迟优势实现的 VCSEL 应用部署可以通过使用商业化技术来遵循行业发展时钟速度而受益。[1] 根据功率输出，VCSEL 器件可以根据沉积材料厚度和结构进行大致分类。[2] 本研究量化了与参考金属化膜铝最相关的双层结构特征，以便有效使用。它基于这些发现探索了成功使用常见金属氧化物绝缘体 (SiO 2 / Al 2 O 3 ) 双层处理所需的多元优化，各向同性溅射沉积厚度为 100nm 至 250nm。提出了一个表征关键变量的模型。此外，它还介绍了一种新的高温双层工艺，使用负像抗蚀剂，能够在高温绝缘体沉积期间保持稳定性。本研究确定了制造成功双层的尺寸目标，用于溅射绝缘体，适用于工艺优化，以促进不断发展的 III-V 应用。介绍
植入或妊娠/哺乳高脂饮食改变成人后代的代谢和神经发生在PT/TiO2/Sio2/Si上的金红石TiO2薄膜的生长（SSTOP ...
图2。（a）电气测试前PT顶电极的SEM地形，（b）电气测试前PT信号，（c）电测试后的顶电极，以及（d）电测试后PT的信号。
聚合物两性离子对 CsPbBr3 钙钛矿纳米粒子和纳米复合薄膜的稳定作用
摘要：以磺基甜菜碱或磷酰胆碱两性离子为侧链基团的功能性聚合物被证实既是 CsPbBr 3 钙钛矿纳米粒子 (PNP) 的配体，又是其基质。这些聚合物可制备出具有出色 NP 分散性、光学透明度和出色的抗 NP 降解性（暴露于水中时）的纳米复合膜。含两性离子的共聚物与 PNP 的多齿相互作用可诱导分散或弱聚集的纳米复合形态，具体取决于聚合物中两性离子官能团的程度。将其他官能团（例如二苯甲酮侧链基团）加入聚合物中可产生可光刻图案化的薄膜，而时间分辨光致发光测量可深入了解 PNP 在两性离子聚合物基质中的电子影响。
使用 Fourier 分析研究 AlN 薄膜的结构...
本研究重点关注使用原子层沉积法 (ALD) 获得的 AlN 薄膜中氢杂质引起的结构缺陷。目前，关于 AlN 薄膜本体中氢的存在的研究严重不足。傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 是少数几种可以检测轻元素键的方法之一，尤其是氢。众所周知，氢是通过 ALD 方法生长的 AlN 薄膜中常见的污染物，它可能与氮形成不同的键，例如氨基 (-NH2) 或酰亚胺 (-NH) 基团，这会损害所得薄膜的质量。这就是为什么研究氢现象以及寻找合适的方法来消除或至少减少氢的数量很重要。在这项工作中，使用不同的前体、基材和沉积参数制备了几个样品，并使用 FTIR 和其他技术（如 AFM、XPS 和 EDS）进行了表征，以提供 AlN 薄膜的地形、形态和化学成分的比较和全面分析。
磁控溅射沉积氮化钛薄膜的结构和光学特性
摘要。氮化钛的应用涵盖了微电子、生物医药等不同行业。本文介绍了不同沉积条件下氮化钛薄膜的结构和光学特性分析。样品采用直流磁控溅射沉积在硅基片上。沉积在室温下进行，在预热至 300°C 的基片上进行，在分别以 -40 V 和 -90 V 极化的基片上进行。结果表明，当沉积在室温下进行时，结构取向与沉积过程存在依赖性。当沉积在预热的基片上进行时，没有结构取向。基片的负极化导致小尺寸晶体的形成。至于光学特性，薄膜表现出良好的半导体特性和低反射率。
磁控溅射沉积氮化钛薄膜的结构和光学特性
摘要。氮化钛的应用涵盖了微电子、生物医药等不同行业。本文介绍了不同沉积条件下氮化钛薄膜的结构和光学特性分析。样品采用直流磁控溅射沉积在硅基片上。沉积在室温下进行，在预热至 300°C 的基片上进行，在分别以 -40 V 和 -90 V 极化的基片上进行。结果表明，当沉积在室温下进行时，结构取向与沉积过程存在依赖性。当沉积在预热的基片上进行时，没有结构取向。基片的负极化导致小尺寸晶体的形成。至于光学特性，薄膜表现出良好的半导体特性和低反射率。
氧化物超薄膜的 STM 和 STS
典型的超薄氧化膜由晶体金属支撑物上的单层氧化物材料组成。在某些情况下，薄膜可能由两到三个单层组成，但通常这些超薄膜的厚度不超过一纳米，可以被视为二维材料。1 扫描隧道显微镜 (STM) 是研究这些薄膜的绝佳方法，因为这种技术可以在非常高的放大倍数下对表面进行成像。2 为了获得原子分辨率图像，STM 要求样品具有导电性、无表面污染物并且在原子尺度上平坦。STM 不仅可以揭示表面和薄膜的结构，还可以用于研究原子级缺陷，例如原子空位和杂质 3 或更多扩展结构，例如两个具有不同晶体取向的超薄膜相遇的域边界。STM 还可以对非晶态氧化物膜进行非常详细的研究。