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World File Search System薄膜的
自卷曲并列薄膜的制备及性能...
摘要 以两种特性黏度差异较大的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为原料,采用熔融纺丝制备自卷曲并列双组份长丝(SBSBF),利用广角X射线衍射、差示扫描量热法(DSC)、扫描电子显微镜等研究了体积配比对双组份长丝表面形貌、结晶度、卷曲性能、力学性能和收缩性能的影响。此外，体积比为50:50的双组分长丝的卷曲性能优于其他体积比的长丝。
Tedlar PVF 薄膜的耐化学性
Tedlar 的强耐化学性源于其高度惰性的化学性质。将氟加入单体单元中，可将电子密度从线性碳主链上拉开，从而有效地在整个聚合物链中形成更强的键。因此，PVF 树脂在室温下不溶于任何已知溶剂，不吸水，并且不易被强酸和强碱侵蚀，从而具有最高水平的耐化学品、污染物、腐蚀剂、清洁剂和消毒剂性能。耐化学性还可防止染色剂侵入，并可使用多种清洁剂和溶剂去除表面的污渍或涂鸦，不会留下重影。
氧化锆薄膜的原子层沉积
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（GO-MGO-POPDA-PVA）纳米复合薄膜的介电性能
本工作利用溶液浇铸工艺制备了不同重量比（0、2、4、6、8、10 wt%）的氧化镁、氧化石墨烯聚邻苯二胺（GO-MgO-PoPDA）增强的纯（PVA）聚合物薄膜。研究了纳米粒子氧化镁（MgO）和氧化石墨烯（GO）的不同重量比对纳米复合薄膜介电性能的影响。使用 FTIR、SEM、X-RAY 对纳米复合材料进行表征。介电性能结果表明，随着（GO-MgO-PoPDA）纳米粒子的添加、施加电场频率的增加和粒子含量的增加，制备的薄膜的交变电导率值增大，而介电常数值随（GO-MgO-PoPDA）纳米粒子含量的增加而增大，但随频率的增加而降低。而当添加纳米粒子且随着频率的增加而制备的薄膜的介电损耗系数降低。
KTaO₃ 薄膜的首次生长和表征......
该项目首次采用氧化物分子束外延 (MBE) 来生长 KTaO ₃ (KTO) 薄膜。早期生长使用 (100) SrTiO ₃ (STO) 基材进行，以尝试微调生长参数。此外，还使用了通过炉加热的 TaO ₂ 亚氧化物源和通过电子束加热的 Ta 源，并分析和比较了它们各自的薄膜。通过反射高能电子衍射 (RHEED) 进行原位监测，以及通过原子力显微镜 (AFM) 和 X 射线衍射 (XRD) 进行生长后表征，可以在整个项目中进行表面和晶体分析。来自亚氧化物和电子束加热 Ta 源的薄膜显示出相似的晶体质量，然而，在亚氧化物生长的 KTO 表面上发现更高浓度的氧化物杂质。成功生长 KTO 后，使用稀土钪酸盐 (110) 衬底 GdScO ₃ (GSO) 和 DyScO ₃ (DSO)，因为它们与 KTO 的“立方体对伪立方体”界面将分别产生理论上 0.55% 和 0.93% 的压缩应变。通过逆空间映射 (RSM)，GSO 衬底在 KTO 薄膜上显示出相称的应变，而 DSO 衬底仅显示部分应变。总体而言，使用 MBE 生长 KTO 可实现高结晶质量，为 KTO 薄膜合成和铁电 KTO 分析指明了光明的未来。
氧化物超薄膜的 STM 和 STS
典型的超薄氧化膜由晶体金属支撑物上的单层氧化物材料组成。在某些情况下，薄膜可能由两到三个单层组成，但通常这些超薄膜的厚度不超过一纳米，可以被视为二维材料。1 扫描隧道显微镜 (STM) 是研究这些薄膜的绝佳方法，因为这种技术可以在非常高的放大倍数下对表面进行成像。2 为了获得原子分辨率图像，STM 要求样品具有导电性、无表面污染物并且在原子尺度上平坦。STM 不仅可以揭示表面和薄膜的结构，还可以用于研究原子级缺陷，例如原子空位和杂质 3 或更多扩展结构，例如两个具有不同晶体取向的超薄膜相遇的域边界。STM 还可以对非晶态氧化物膜进行非常详细的研究。
独立超薄膜的泊松比和残余应变
利用拉伸桥中的横向起皱现象来表征超薄膜 (<100 nm) 的泊松比和残余应变。该测试方法利用残余应力驱动结构和易于复制的洁净室制造和计量技术，可无缝整合到薄膜生产装配线上。独立式矩形超薄膜桥采用可产生可重复横向起皱图案的尺寸制造。基于非线性 Koiter 板壳能量公式进行数值建模，将泊松比和残余应变与测得的起皱变形关联起来。泊松比会影响峰值幅度，而不会显著改变皱纹的波长。相比之下，应变会同时影响波长和幅度。使用 65 nm 厚的铜膜演示了概念验证。测量结果显示泊松比为 0.34 ± 0.05，拉伸残余应变为 (6.8 ± 0.8)x 10 − 3。测量的残余应变与使用相同薄膜的交替残余应力驱动测试结构测得的残余应变 (7.1 ± 0.2)x 10 − 3 高度一致。
薄膜的指导模式Niobate平板1简介
摘要：用薄膜 - 氯尼贝特（TFLN）培养基制成的介电平板波导，以在线性状态下进行操作。我们概述并实施了一个很大程度上的分析程序，以对具有双重，各向异性核心的三层平板进行严格的模态分析。对于z切波指南，平板本本元素问题将TE和TM模式的标量方程组分开。平板主要支持杂种特征模式，具有明显的占主导地位的TE或TM极化，并且具有相对于晶体轴的模式的传播方向的有效指标。在没有垂直对称性的单数构型中，可以观察到近堕落模式的强杂交，或者在对称板中，其中两个近乎退化的模式为相同的对称类别。讨论了具有氧化物和空气盖的平板，讨论了平板厚度和俯冲角的分散曲线。
含氟芳香族聚酰亚胺薄膜的介电性能
摘要：采用化学酰亚胺化法制备了具有刚性聚合物主链的氟化芳香族聚酰亚胺 (FAPI) 薄膜。聚酰亚胺薄膜表现出优异的力学性能，包括高达 8.4 GPa 的弹性模量和高达 326.7 MPa 的拉伸强度，以及突出的热稳定性，包括玻璃化转变温度 (T g ) 为 346.3–351.6 ◦ C 和空气中的热分解温度 (T d5 ) 为 544.1–612.3 ◦ C，以及在 500 nm 处>81.2% 的高无色透过率。此外，聚酰亚胺薄膜在 10–60 GHz 下表现出稳定的介电常数和低介电损耗，这归因于刚性聚合物主链的紧密堆积限制了电场中偶极子的偏转。还建立了分子动力学模拟来描述分子结构和介电损耗的关系。