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AlN 和 AlScN 薄膜 ICP 蚀刻微
随着对电子设备成本更低、性能更好、尺寸更小、可持续性更强的需求，微机电系统 (MEMS) 换能器成为受益于小型化的主要下一代技术候选之一 [1-3]。压电 MEMS 谐振器具有高品质因数和大机电耦合度，是射频 (RF) 系统中很有前途的产品 [4-8]。压电 MEMS 谐振器的主要材料是氮化铝 (AlN)、压电陶瓷 (PZT)、氧化锌 (ZnO) 和铌酸锂 (LN) [9-13]。近年来，掺杂 AlN 薄膜，尤其是氮化铝钪 (AlScN)，因其能提高 d 33 和 d 31 压电系数而备受研究 [14]。基于AlN和AlScN薄膜的压电MEMS谐振器凭借单片集成度高、性能优越等特点，受到越来越多的关注。MEMS谐振器种类繁多，如表面声波（SAW）谐振器[15，16]、薄膜体声波谐振器（FBAR）[17-19]。但SAW器件与CMOS工艺不兼容，FBAR的频率主要取决于压电层厚度，因此很难在一个芯片上实现多个工作频率或宽频率可调性。另一方面，基于AlN和AlScN的轮廓模式谐振器（CMR）与CMOS工艺兼容[20-24]。同时，工作频率和谐振频率与CMOS工艺兼容，而基于CMR的器件的工作频率和谐振频率与CMOS工艺不兼容。
b'摘要 提出了一种毫米波\xe2\x80\x90 低\xe2\x80\x90 轮廓宽带微带天线。为了加宽阻抗带宽并同时实现稳定的大增益，在由同轴探针馈电的微带贴片两侧布置共面寄生贴片阵列。在微带贴片上蚀刻双槽以降低 H \xe2\x80\x90 平面交叉\xe2\x80\x90 极化水平。提出了使用 Floquet \xe2\x80\x90 端口模型进行零\xe2\x80\x90 相位\xe2\x80\x90 反射分析以预测寄生贴片阵列的谐振频率。根据理想探针的输入阻抗来验证激发的谐振模式。依次激励两个相邻的宽边谐振，分别以微带贴片的准 \xe2\x80\x90 TM 10 模式和寄生贴片阵列的准 \xe2\x80\x90 TM 30 模式为主导。所提出的天线尺寸为 1.06 1.06 0.024 \xce\xbb 0 3（\xce\xbb 0 为自由空间中 29 GHz 的波长），在 | S 11 | \xe2\x89\xa4 10 dB 时实现 15%（27\xe2\x80\x93 31.35 GHz）的阻抗带宽。实现的峰值增益高达 9.26 dBi，2 \xe2\x80\x90 dB 增益带宽为 15.7%。 H \xe2\x80\x90 平面交叉 \xe2\x80\x90 极化水平在 3 \xe2\x80\x90 dB 波束宽度内小于 14 dB，背部辐射水平小于 17.9 dB。'
b'摘要 提出了一种毫米波\xe2\x80\x90 低\xe2\x80\x90 轮廓宽带微带天线。为了加宽阻抗带宽并同时实现稳定的大增益，在由同轴探针馈电的微带贴片两侧布置共面寄生贴片阵列。在微带贴片上蚀刻双槽以降低 H \xe2\x80\x90 平面交叉\xe2\x80\x90 极化水平。提出了使用 Floquet \xe2\x80\x90 端口模型进行零\xe2\x80\x90 相位\xe2\x80\x90 反射分析以预测寄生贴片阵列的谐振频率。根据理想探针的输入阻抗来验证激发的谐振模式。依次激励两个相邻的宽边谐振，分别以微带贴片的准 \xe2\x80\x90 TM 10 模式和寄生贴片阵列的准 \xe2\x80\x90 TM 30 模式为主导。所提出的天线尺寸为 1.06 1.06 0.024 \xce\xbb 0 3（\xce\xbb 0 为自由空间中 29 GHz 的波长），在 | S 11 | \xe2\x89\xa4 10 dB 时实现 15%（27\xe2\x80\x93 31.35 GHz）的阻抗带宽。实现的峰值增益高达 9.26 dBi，2 \xe2\x80\x90 dB 增益带宽为 15.7%。 H \xe2\x80\x90 平面交叉 \xe2\x80\x90 极化水平在 3 \xe2\x80\x90 dB 波束宽度内小于 14 dB，背部辐射水平小于 17.9 dB。'
基于法拉第笼式蚀刻技术的全钻石扫描探针的开发
我们提出了一种用于原子力显微镜（AFM）的单晶钻石扫描探针的新型制造方法，利用了法拉第笼式角度蚀刻（FCAE）。常见的，基于氧气的，电感耦合的血浆（ICP）钻石的干蚀刻过程相对于可实现的几何形状受到限制。因此，独立微型和纳米结构的制造是具有挑战性的。这是几个应用领域的主要缺点，例如，用于实现基于氮空位（NV）中心的扫描磁力测定探针，并且能够测量纳米级的磁场。与既定的机械钻石设备的既定制造技术相比，将平面设计与FCAE和最先进的电子束光刻（EBL）相比，过程复杂性和成本降低。在这里，我们报告了两种方法的直接比较，并在扫描探针应用程序中目前的第一个概念验证平面-FCAE-PROTOTYPES。
隧道的各种金属尖端的系统电化学蚀刻
a）应向信件解决的作者：jianwangphysics@pku.edu.cn抽象硬点接触光谱和扫描探针显微镜/光谱是研究具有强大可扩展性的材料的强大技术。为了支持这些研究，需要具有各种物理和化学特性的技巧。为了确保实验结果的可重复性，应标准化尖端的制造，并应设置可控且方便的系统。在这里，提出了一种用于制造各种技巧的系统方法，涉及电化学蚀刻反应。反应参数分为四类：解决方案，电源，浸入深度和中断。设计和构建了蚀刻系统，以便可以准确控制这些参数。使用该系统，探索和标准化了铜，银，金，铂/虹膜合金，钨，铅，铅，铁，铁，镍，钴和薄金的蚀刻参数。在这些技巧中，探索并标准化了白银和尼伯族的新食谱。进行光学和扫描电子显微镜，以表征尖锐的针头。用蚀刻的银色尖端进行了相关的点接触实验，以确认被制成尖端的适用性。I.引言是研究超导体的强大工具，点接触光谱（PC）技术已成功地应用于对具有各种特性的材料的研究。1-8在实验中，PC被归类为软点接触和硬点接触。7-13前者通常使用银色涂料形成点接触。硬点接触中的技巧用法使PC具有更多的可能性。传统上，通过PCS，可以方便地测量超导体的超导差距和配对对称性，以及通过PCS进行的有关准二粒激发（例如镁质和声子）的能量信息。1-5近年来，在硬点接触实验中发现了尖端诱导的或增强的超导性，其机制归因于局部掺杂效应，局部高压效应和对边界的界面效应。
通过电感耦合的质量质等质子状态和食谱的目录对单晶钻石的反应离子蚀刻
在过去的十年中，单晶钻石（SCD）生长的显着技术进步导致了高质量SCD底物的商业产品，通常以尺寸的几个平方毫米的良好特定板的形式获得[1]。同时，此类板的成本已大大降低[2]，这引发了重要的研发工作，旨在利用SCD的特性[3]，热[4]和机械性能[5] [5]用于电子学中的各种应用[6]，光（光（光环）[7-10]，光学和光学技术[11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11]）[11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11]。高质量的SCD板是通过化学蒸气沉积（CVD）[13，14]或高压高温（HPHT）[15]技术生长的。记录示范最近产生的SCD底物直径为10 cm [16]，但如今更典型的尺寸为1 mm – 10 mm，厚度为50μm -1 mm。基板以不同的“等级”类别提供（例如电子[6，17]，光学[18]或机械[19]）根据其杂质的程度，这表明底物性质已被遗忘，特别适合特定的应用区域。SCD的精确成型主要是使用激光切割和烧蚀技术以毫米尺度的目标维度进行的，具有几微米的精确性要求，例如切片钻石板或制造切割工具，用于转弯，敷料或铣削。微丝[41-47]和光栅[48，49]）和光子学（例如用于耦合器[50-54]和谐振器[52，55-59]）。激光处理也用于千分尺尺度的结构，例如复合折射率[20-23]，埋入的波导[24-26]和微通道[27，28]。离子束蚀刻（IBE）可以有效地平滑并抛光SCD板[29，30]，而聚焦的离子束（FIB）铣削已用于制造悬浮的结构[31-33]，砧[34，35]和固体膜片[36-38]。尽管这些图案技术对于一组特定形状和设备最有效，但基于反应性离子蚀刻（RIE）制造方法是最常用的方法，用于广泛的应用，需要亚微米精度[39，40]，例如微观典型（例如，与Rie相比
具有 5 纳米图案化能力的高抗蚀刻性含二茂铁嵌段共聚物
1.引言在摩尔定律的驱动下，半个多世纪以来半导体产业一直致力于缩小特征尺寸。最近，13.5 纳米极紫外光刻 (EUVL) 技术已经应用于 5 纳米节点 HVM。由于目前 0.33 NA 的限制，EUVL 无法分辨小于 13 纳米线/线距的特征。与 EUVL 相比，定向自组装 (DSA) 表现出高达 5 纳米 L/S 的极精细分辨率，被视为亚 10 纳米甚至亚 5 纳米特征尺寸的潜在图案化技术[1-9]。最近，含金属 EUV 光刻胶已被开发用于提高超薄 EUV 光刻胶膜的抗蚀刻性[10，11]。最近，我们的研究小组报道了一系列具有氟化嵌段的 BCP，经过中等温度下 1 分钟的热退火后迅速形成亚 5 纳米域[12，13]。我们假设氟化侧链对超精细分辨率和图案化速度起着关键作用。然而，由于薄膜超薄，抗蚀刻性是 5 纳米以下 DSA 材料的主要问题。
离子束蚀刻 Scia Systems Coat 200
离子束蚀刻 (IBE) 通过定向和精确控制的离子能量轰击蚀刻目标，去除材料。IBE 也称为“离子束铣削”。IBE 源从惰性气体（通常是氩气）产生等离子体。一组电偏置网格确定离子束能量和离子束内的离子角发散。离子束撞击基材，通过物理溅射去除材料。离子束蚀刻具有其他等离子体工艺所不具备的定向灵活性。虽然 IBE 的蚀刻速率通常低于反应离子蚀刻 (RIE)，但 IBE 可为需要精确轮廓控制的应用提供高精度（高各向异性）。此外，离子束蚀刻可用于去除 RIE 可能无法成功的材料。离子束可以蚀刻与 RIE 不兼容的合金和复合材料。离子束蚀刻有许多应用，包括磁传感器的纳米加工、MEMS 设备以及表面声波 (SAW) 和体声波 (BAW) 滤波器的修整。一种较新的应用是制造高性能非易失性存储器，特别是“自旋转移扭矩” MRAM（磁阻随机存取存储器）。
HF蚀刻时间和浓度对硅晶片的影响
摘要：为实现更薄的微电子封装，生产所需厚度的新型半导体硅片不仅需要高成本和能源，而且还会造成环境污染问题。然而，这一问题可以通过使用一步化学蚀刻来生产所需厚度的硅芯片以进行适当的封装，从而简单地解决。在本研究中，使用各向同性的湿化学蚀刻法，通过改变HF蚀刻剂浓度来研究蚀刻时间对HF/HNO 3 /CH 3 COOH混合溶液中的Si晶片的影响。研究的蚀刻时间为5分钟至30分钟，HF蚀刻剂浓度在（20-24）wt％范围内。从结果可以看出，随着蚀刻时间的延长，重量损失和蚀刻深度的变化单调增加。然后根据重量损失和蚀刻深度随时间的变化来确定蚀刻速率。结果表明，Si晶片的蚀刻速率随时间降低，在较高的HF浓度下增大。在光学显微镜下观察到蚀刻后Si晶片的表面变得光滑抛光。 X 射线衍射图表明，蚀刻硅的晶体峰强度高于纯硅，随着 HF 浓度的增加，与 Si 相关的峰略微向 2θ 方向移动。目前的发现表明，化学蚀刻硅晶片的所需厚度可以潜在地装入微电子设备制造的更薄的封装中，从而减少能源和成本浪费，实现未来的可持续发展。
铝的反应性离子蚀刻
对于这个项目，这些挑战本来可以在各种蚀刻化学中遇到。当前用于等离子蚀刻铝的气体为BC13，SICL4，CC14，CL2，BBR3，HBR和BR2 [1,4]。这些气体都是剧毒或致癌的。四胆碱硅不被认为是致癌物，而是毒性。这是选择SICL4作为该项目的蚀刻气体的主要原因之一。SICL4的另一个优点是，它增加了铝对光抗抗命天的选择性。使用SICL4作为唯一的蚀刻气体时，血浆中的过量电弧可能以相对较低的功率发生（<100瓦）发生，因此需要稀释剂来防止这种弧形。这样的稀释剂不仅可以减少等离子体中的弧菌，而且还提高了光膜天固醇的选择性是氦气[2]。使用SICL4和高功率（300瓦）的SICL4和Argon的混合物来完成氧化铝的突破。氩气，是因为其离子很重，因此在溅射过程中对表面造成了更大的损害。SIC14通过减少血浆气氛中的水分来充当水清除剂，从而防止了氧化铝的进一步生长[1]。