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World File Search System蚀刻
蚀刻的离子轨膜作为li – S电池中量身定制的分离器
抽象锂 - 硫（Li - S）电池被认为是锂离子电池的有希望的下一代替代品，由于其高能量密度，用于储能系统。然而，尚未解决的几个挑战，例如导致电池自放电的多氧化还原航天飞机。在本文中，我们探讨了聚合物蚀刻离子轨膜作为LI - S电池中的分离器的使用，以减轻氧化还原班车的效果。与商业分离器相比，它们的独特优势在于它们非常狭窄的孔径分布，并且有可能以独立的方式量身定制和优化纳米孔的密度，几何形状和直径。直径在22到198 nm之间的各种聚对邻苯二甲酸酯膜，并且成功地整合到Li - S Coin细胞中。据报道的库仑效率高达97％，容量较小，为使用量身定制的膜在Li - S电池中的多氧化氧化还原航天飞机开辟了一条途径。
使用残余气体分析仪进行 NF3 和 F3NO 等离子体的氧化硅蚀刻工艺
摘要：NF 3 的使用量每年都在显著增加。然而，NF 3 是一种温室气体，具有极高的全球变暖潜能值。因此，开发一种替代 NF 3 的材料是必需的。F 3 NO 被认为是 NF 3 的潜在替代品。在本研究中，研究了替代温室气体 NF 3 的 F 3 NO 等离子体的特性和清洁性能。对 SiO 2 薄膜进行了蚀刻，分析了两种气体（即 NF 3 和 F 3 NO）等离子体的直流偏移，并进行了残留气体分析。基于分析结果，研究了 F 3 NO 等离子体的特性，并比较了 NF 3 和 F 3 NO 等离子体的 SiO 2 蚀刻速率。结果表明，两种气体的蚀刻速率平均相差 95%，从而证明了 F 3 NO 等离子体的清洁性能，并证实了用 F 3 NO 替代 NF 3 的潜在益处。
讲座#13 表面和石英微加工
现在，表面微加工是半导体制造技术的直接延伸。直接延伸意味着，它来自 VLSI 加工中使用的常规蚀刻。体微加工不是直接延伸，因为常规 VLSI 工艺不需要蚀刻到 300 微米、400 或 500 微米。但这里的表面微加工蚀刻范围是几微米、1 微米或 2 微米；在某些情况下也可能是 500 埃。这就是为什么他们提到这些表面微加工现象是半导体制造工艺的直接延伸，因为蚀刻深度与 VLSI 工艺大致相同。下一点是，它可以制造比体微加工小一个数量级的器件，数量级为 50 到 100 微米。这意味着，制造设备可以制造得更小，尺寸小一个数量级。原因是如果你追求更高的蚀刻，更高的蚀刻深度，那么自然就会有一些倾斜部分没有被蚀刻，就像金字塔结构一样。因此，你必须留出一定的空间，但如果你追求的是范围内非常小的蚀刻量
HF/H2O中硅片减薄的刻蚀特性...
R. Ariff a,b , CK Sheng a,* a 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。b 马来西亚登嘉楼大学海洋工程技术与信息学学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿法蚀刻具有技术和基础意义，这对于生产用于微电子封装所需厚度的可靠硅芯片至关重要。在这项工作中，我们研究了湿法蚀刻对浸入 48% HF/水溶液中的硅晶片的厚度耗散、重量损失、蚀刻速率、表面形貌和晶体性质的影响。蚀刻速率是通过蚀刻重量损失和深度随时间的变化确定的。结果表明，随着蚀刻时间的增加，硅的厚度减少和重量损失增加。在高分辨率光学显微镜下可以在蚀刻后的硅晶片表面观察到粗糙的表面。从 XRD 分析可以看出，蚀刻后硅的结晶峰强度变弱，这意味着硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟，这一发现可以作为生产可靠的硅薄晶片的参考，这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要，从而减少环境污染和能源消耗，实现未来的可持续发展。（2021 年 3 月 27 日收到；2021 年 7 月 7 日接受）关键词：湿法蚀刻、Si、蚀刻速率、HF、H 2 O
微电子的血浆| IEE NPSS
图5：硅等离子体蚀刻的示意图。在光孔中的模式转移到SIO 2（SIO 2）中（此处未显示，也使用等离子体蚀刻）后，硅（Si）暴露于AR /Cl 2 /O 2等离子体。Cl 2仅攻击SI而不是SIO 2。在蚀刻线时，将暴露的Si侧壁氧化：血浆中的氧与Si形成SiO 2的薄层Si结合。此“氧化物”层可保护侧壁免受Cl 2蚀刻。该特征的底部也被氧化。，但氩离子（AR+）垂直加速了RF偏置打击仅特征的底部（而不是侧面）去除薄氧化物层并暴露基础的Si（XSI），以将其蚀刻为Cl 2。暴露的硅（XSI）被氯原子蚀刻，从而释放了气态SICL 4。（来源：TEL）
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846
SPIE 会议纪要
光子生物传感器的制造是在 200 毫米绝缘体上硅技术平台上实现的。虽然光子生物传感器是从晶圆顶部构造的，但微流体通道是通过背面释放工艺局部引入的，该工艺结合了干湿蚀刻。对于 760 µ m 厚的硅基板的局部背面蚀刻，采用了深反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺和硬掩模，二氧化硅与硅的选择性非常高（SiO2:Si 选择性为 1:200）。这保证了对埋层氧化物 (BOX) 的严格控制。我们选择了 RIE 和湿蚀刻的组合来去除 BOX，因为如果仅使用 RIE，波导结构可能会受损。纯化学湿蚀刻的缺点是由于 BOX 的蚀刻速率低，工艺时间延长。图 1 a 显示了制造的光子传感器芯片。可以在其他地方找到制造过程的全面描述。7 – 9
细间距高纵横比FPC电镀工艺
方法图1示出了传统上用于制造FPC的减成法。在铜箔层上形成抗蚀层，在蚀刻过程中，铜箔层的未覆盖部分被溶解并去除。之后，去除抗蚀层，铜箔层的剩余部分成为线路。在蚀刻过程中，蚀刻不仅在铜箔层的厚度方向上进行，而且在横向（侧蚀）方向上进行，这使得在高密度布线中难以缩小线路间距。此外，由于使用厚铜箔，需要蚀刻大量的铜材料，这导致侧蚀的进展变化很大，因此线路宽度变化很大。此外，蚀刻开始的铜箔层的上部比下部蚀刻得更多，结果，线路横截面的顶部比底部更窄
材料快报
本研究利用电感耦合等离子体 (ICP) 研究了 C 4 F 8 、C 5 F 8 和 C 7 F 8 等全氟碳对 SiO 2 的蚀刻特性，以研究高 C/F 比对 ICP 的 SiO 2 蚀刻特性的影响。使用 C x ( x = 4,5,7)F 8 /Ar/O 2 混合物测量了 SiO 2 对 Si 3 N 4 和非晶碳层 (ACL) 的蚀刻速率和蚀刻选择性。全氟碳的 C/F 比越高，SiO 2 蚀刻速率越低，但蚀刻选择性却高于 Si 3 N 4 和 ACL，这是因为 C 2 越高，而等离子体中的 F 值却相同（通过光发射光谱法观察到），并且由于氟碳层越厚，材料表面富碳氟碳越多（通过 X 射线光电子能谱法观察到）。尤其是 C 7 F 8 是一种环境友好型材料，因为它不仅具有相对较低的全球变暖潜能值，而且可以使用捕获系统轻松捕获（室温下为液态）。因此，C 7 F 8 可用作下一代全氟碳蚀刻材料之一。
高密度PWB
高密度PWB Ryoichi Watanabe和Hong的新电路编队技术赢得了Kim Samsung Electro-Mechanics Co.，Ltd。Suwon，S。韩国摘要为满足普华永道的未来需求，已讨论了普华永道的各种流程，材料和工具的技术。特别重要的是高端PWB的电路形成技术。在这些年中，从工业上讲，良好模式的电路形成方法已经改变了从减法过程到半添加过程（SAP）。SAP可以形成更细的电路，因为它不会引起侧面蚀刻，这是减法方法的问题。但是，SAP的闪光蚀刻过程会导致其他问题，例如由于电路之间的残留种子金属层，电路蚀刻和由于蚀刻而引起的电路分层引起的短缺陷。同样，由于形成电路的绝缘体表面的粗糙度，不仅有良好的电路形成的困难，而且是电特性的损失。在本文中，讨论了一种新的电路形成方法，以克服SAP原因闪光蚀刻过程的问题。它不需要闪光蚀刻过程，因此可以形成更细的模式。该细线电路形成的能力取决于图案抵抗分辨率，并被确认在L/S（线/空间）= 10/10UM或更少的情况下表现良好。也将电路模式埋在绝缘体层中，并且是带有绝缘体表面的刨床，因此电路具有高骨强度，具有绝缘体，并且通过制造设备或工艺之间的处理，损坏较小。此方法适用于建立PCB和FCP作为满足未来需求的电路形成技术。介绍电子设备的演变，该电子设备的发展速度更快，更小，更多功能但更具成本效益，PWBS的各种技术对于较高的密度需要各种技术。三星电力学有限公司，有限公司制造了许多PWB，例如HDI，用于手机，数字静止相机等，BGA软件包，FC BGA包装。为了满足未来的需求，特别是对于FCBGA，由于其高密度，生产FC BGA的产品变得越来越困难。电路的形成是需要在高密度方面快速进步的过程之一。已讨论了作为电路形成过程的减法过程和半添加过程（SAP），以提高其高密度。1，3但是，由于化学蚀刻而引起的减法过程具有侧面蚀刻的基本问题，并且由于闪光蚀刻过程，SAP具有局限性。SAP的闪光蚀刻过程会导致电路蚀刻等问题，如图1所示，在电路底部切割，如果闪光蚀刻不足，则在电路底部和种子层残基。由于种子层通常是铜，与电路相同，因此闪光蚀刻过程不仅蚀刻了种子层，还可以蚀刻电路。因此，电路宽度和厚度必须比闪光蚀刻之前的最终尺寸更宽，更厚，以在闪光蚀刻后保持设计规则。例如，在降低20UM电路的底部分离后，如图1所示，仅粘附的宽度仅为20UM螺距，如图1所示。这被认为是不足以为20UM电路提供足够的剥离强度。当电路变得更细时，由于制造输送机或滚筒的处理损坏，底切将是一个更大的问题，制造业产量将更低。出于这些原因，需要基于新概念的电路形成技术才能使线路电路形成并解决这些技术困难。