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World File Search System蚀刻
单组分等离子体在光电探测器阵列周期性结构的 ICP-RIE 蚀刻工艺中的应用
红外 (IR) 探测技术的发展主要依赖于 InAs/GaSb SL 外延 [1] 和生长后处理 [2] 的改进。为了实现最佳性能，必须优化器件架构 [3] 以及台面结构，使其侧壁垂直且光滑，以防止像素间距较小的焦平面阵列 (FPA) 中的串扰，其中周长与表面积的纵横比很高 [2, 4]。表面台面的粗糙度、反应产物的存在以及电活性缺陷的表面密度（包括断裂的化学键）都会影响表面漏电流的大小 [5]。台面型结构可以通过湿法或干法蚀刻来创建。先前的研究表明，无机和有机酸性蚀刻剂都适用于 InAs/GaSb 超晶格 (SL) 的湿法蚀刻 [5, 6]。湿法蚀刻有许多优点，例如断裂的化学键数量少、自由载流子密度降低，因此漏电流低 [6, 7]。然而，也会产生不良反应产物并残留在侧壁表面上，导致漏电流的显著增加。湿法蚀刻也是各向异性的，导致台面侧壁几何形状不理想 [8]。另一方面，InAs 和 GaSb 材料的干法蚀刻经常使用气态氯与惰性气体（如氩气）的组合 [9, 10]。气态氯因其高挥发性和高蚀刻速率而受到青睐，而氩离子通过轰击蚀刻表面简化了反应产物的解吸。BCl 3 蚀刻具有较低的蚀刻速率，但使用它会产生更光滑的台面侧壁 [11]。BCl 3 /Ar 等离子体的使用已被证明在分立探测器中是有效的。尽管如此，当用于台面时，它表现出次优性能
利用电化学技术对纳米微电子应用的半导体化合物进行工程设计
通常，半导体纳米线是通过众所周知的技术来制备的，例如多孔模板中的电化学沉积、化学传输、使用金催化种子的化学气相沉积等[3-5]，这些技术代表了自下而上的技术。在过去的二十年中，已经证明，电化学蚀刻大块半导体晶体可作为纳米结构的一种经济有效的方法[6-8]。此外，通过优化电化学参数可以制备大量垂直于晶体表面的半导体纳米线。通过阳极氧化制备纳米线具有一些优点：蚀刻时间短；阳极氧化在室温下进行；不需要昂贵的设备；电解质用量少等。此外，已经证明了通过“快速电化学蚀刻”InP半导体化合物来经济高效地制备InP纳米线的可能性[9]。使用这种方法，作者在3秒的电化学蚀刻期间制备了长度为2μm的半导体纳米线，蚀刻速率达到约40μm/min。
正性光刻胶系列 ma-P 1200
ma-P 1200 是正性光刻胶系列，专为微电子和微系统技术而设计。这些光刻胶具有多种粘度，一次旋涂即可获得 0.3 – 40 μm 的薄膜厚度。非常适合用作蚀刻掩模，具有较高的干湿蚀刻耐受性 - 宽带、g-、h- 和 i-line 曝光 - 在湿蚀刻工艺和酸性和碱性电镀槽中具有非常好的图案稳定性 - 在干蚀刻工艺（例如 CHF 3 、CF 4 、SF 6）中具有高度稳定性 - 可获得良好的光刻胶图案热稳定性 - 水性碱性显影
HF 暴露于 TiO2
摘要：采用计算和实验相结合的方法了解自限制 (SL) 和化学气相蚀刻 (CVE) 反应之间的竞争，以设计原子层蚀刻 (ALE) 工艺。ALE 工艺中的脉冲必须是自限制的；即，反应应在足够的脉冲时间后达到饱和。通过使用密度泛函理论 (DFT) 比较相应的 SL 和 CVE 反应的反应自由能，可以预测有利于 SL 或 CVE 反应的温度和压力条件。以 TiO 2 暴露于 HF 气体时的蚀刻为测试案例。模拟表明，当 TiO 2 暴露于压力为 0.2 Torr 的反应物 HF 时，在高达 87 °C (360 K) 的温度下，SL 反应优先去除 0.01 Torr 下的 H 2 O 并使表面氟化。在较高温度下，根据受动力学活化能垒影响的反应 TiO 2 + HF → TiF 4 + H 2 O，CVE 会持续去除 TiO 2。将原位傅里叶变换红外 (FTIR) 光谱和四极杆质谱 (QMS) 的实验结果与理论预测进行了比较。与理论高度一致，FTIR 光谱研究表明自发蚀刻 (CVE) 在温度约为 80 − 90 °C 时开始。此外，QMS 分析观察到 TiF 4 和 H 2 O 作为蚀刻产物，进一步验证了计算结果。计算还预测反应气体压力的增加会增强高温下的蚀刻。这种理论方法的计算成本低，可以快速筛选蚀刻试剂并预测反应在 SL 或 CVE 范围内的温度/压力窗口。
肌肉衍生的干细胞增强支架能够增强鼠体积损失缺陷的愈合
根据我们的协议，接受全腹部蚀刻的患者还必须具有长期的健康和健身目标。总体脂肪应在8％至15％之间。通常，这些患者非常适合，腹部扁平，但希望脂肪组织的特定减少以增强和详细说明肌肉组织。患者选择对于维持长期结果至关重要。我们以10年的术后结果进行了证明（图1）。我们认为，使用营养师和/或私人教练不一定是强制性的，因为许多患者保持健康的生活方式和低身体脂肪，而与这些介入无关。我们针对修饰的腹部蚀刻的选择标准，其中通过谱系半肌和沿着Linea alba的定义获得了较软的腹部轮廓，但不一定是“六羽”的完整肌肉定义，并不像全腹部蚀刻患者那样严格。与全腹蚀刻患者不同，他们的腹部脂肪垫中等。这些患者还应该具有运动性腹部肌肉和合理的健康计划。这项研究还证明了10％的血清率。我们注意到1990年代首次开始此过程时的血清瘤率很高，并开始使吸脂端口开放到排水管。自从这种情况下，我们注意到血清瘤速率为0％。这项研究也不特别认识到与腹部蚀刻相关的陡峭学习曲线和技术困难。意识到技术并学习这种技术确实存在陡峭的学习曲线，应该谨慎地形成。从使用较小，侵略性较小的插管和改良的腹部蚀刻开始（仅蚀刻Linea alba和Linea semilunaris）是一种安全的方法，对于外科医生开始使用该技术。首先通过浅表吸脂和差异脂质来建立凹槽是关键的。
采用湿法钪蚀刻在硅基板上形成硬掩模
如今，微电子技术需要寻找新材料，包括用于创建结构的掩模。中间硬掩模策略是实现微电子制造中光刻和蚀刻之间良好平衡的关键问题之一。微电子和光伏技术中一个有趣的挑战是在 Si 衬底上创建间距垂直取向的硅阵列，用于多功能半导体器件。制造这种结构仍然是一个严重的技术问题，需要寻找新的方法和材料。在这项工作中，我们建议使用钪作为硅上的新硬掩模材料，因为它具有高抗等离子化学蚀刻性和低溅射系数。我们已经证明，对厚度为几纳米的钪层进行湿法蚀刻可用于在硅上获得分辨率高达 4 微米的图案结构，这对于湿法蚀刻方法来说是一个很好的结果。在选定的等离子蚀刻条件下，与其他金属掩模相比，钪是一种具有极佳抗性的硅掩模，蚀刻速率最低。因此，钪硬掩模可以为形成不同的微尺度地形图案开辟新的可能性。
通过低...
制定绿色和有效的制备策略是2D过渡金属氮化物和/或碳化物（MXENES）领域的持续追求。传统的蚀刻方法，例如基于HF的或高温的Lewis-Acid-Molten-Molten-Salt蚀刻途径，需要更严格的蚀刻条件，并且表现出较低的制备效率，具有有限的可扩展性，严重限制了其商业生产和实际应用。在这里，通过使用NH 4 HF 2作为Etchant，提出了一种超快低温熔融盐（LTMS）蚀刻方法，用于大规模合成不同的MXENES。增加的热运动和改善的熔融NH 4 HF 2分子显着加快了最大相的蚀刻过程，从而在短短5分钟内实现了Ti 3 C 2 T X Mxene的准备。LTMS方法的普遍性使其成为快速合成各种MXENE的宝贵方法，包括V 4 C 3 T X，NB 4 C 3 T X，MO 2 TIC 2 T X X和MO 2 CT X。LTMS方法易于扩展，并且可以在单个反应中产生超过100 g Ti 3 c 2 t x。获得的LTMS-MXENE在超级电容器中表现出出色的电化学性能，显然证明了LTMS方法的效果。这项工作为大规模商业生产提供了一种超快，通用和可扩展的LTM蚀刻方法。
